专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]多波段自由基激发光源系统及包括其的电子自旋共振谱仪-CN202223212629.1有效
  • 闫丽琴 - 中国科学院物理研究所
  • 2022-12-01 - 2023-07-14 - G01N24/10
  • 本实用新型涉及多波段自由基激发光源系统及包括其的电子自旋共振谱仪。所述多波段自由基激发光源系统可包括:多个光源模块,其发射波长至少部分地彼此不同;光源驱动和控制电路,用于控制所述多个光源模块;上位机,用于设置所述多个光源模块的控制参数,并且向光源驱动和控制电路发送对应的控制指令以执行对所述多个光源模块的控制;合束器,用于对所述多个光源模块发射的光束进行合束处理;以及准直镜头,用于对合束后的光束进行准直处理,并且引导准直光束照射样品材料以激发自由基。本实用新型的光源系统能够提高多种样品的自由基浓度,从而拓展电子自旋共振谱仪的样品测量范围。
  • 波段自由基激发光源系统包括电子自旋共振
  • [发明专利]一种非晶软磁合金的筛选方法-CN202211164112.1在审
  • 孙保安;侯锡贝;李雪松;周靖;黄潇;柯海波;张博 - 松山湖材料实验室;中国科学院物理研究所
  • 2022-09-23 - 2023-06-27 - G01N23/207
  • 本申请提供一种非晶软磁合金的筛选方法,属于磁性材料技术领域。非晶软磁合金的筛选方法包括将制备好的成分梯度薄膜划分成多个区域,分别测得每个区域的薄膜的晶化程度、饱和磁感应强度和矫顽力,筛选出同时满足以下条件a~c的区域,确定同时满足以下条件a~c的区域的薄膜的成分。a、饱和磁感应强度≥1.6T,b、矫顽力≤5A/m,c、非晶态。本申请的非晶软磁合金的筛选方法可在具有不同浓度梯度的薄膜上筛选出综合性能优异的软磁非晶合金成分,即筛选出既具有较高饱和磁感应强度和较低矫顽力的软磁非晶合金成分,本申请的高通量的性能筛选方法可以节约大量的检测经费和人力成本,从而加快新材料的开发效率。
  • 一种非晶软磁合金筛选方法
  • [实用新型]锂离子电池试验装置-CN202223036426.1有效
  • 田莉;詹元杰;武怿达;黄学杰;马晓威 - 松山湖材料实验室;中国科学院物理研究所
  • 2022-11-15 - 2023-06-27 - G01R31/378
  • 本实用新型涉及一种锂离子电池试验装置,锂离子电池试验装置包括:容器、主盖体及导体组件。容器设有内腔。容器在内腔臂上形成有第一内侧面及第二内侧面。第一内侧面与第二内侧面相对设置。容器在第一内侧面设有多个第一卡槽,相邻的两个第一卡槽间隔设置。容器在第二内侧面设有多个第二卡槽,相邻的两个第二卡槽间隔设置。第一卡槽与第二卡槽相对设置。第一卡槽及第二卡槽分别用于容纳极片的两个侧边部。主盖体可拆卸地连接于容器并密封围蔽内腔的开口。主盖体与容器的至少一个具有窗面部,窗面部的内侧朝向于极片,窗面部具有可透视性。主盖体设有通线孔。研发人员能够通过窗面部观察极片未被隔膜覆盖的表面的反应变化。
  • 锂离子电池试验装置
  • [发明专利]一种异质结太阳电池及其制备方法-CN202310167068.8在审
  • 冯博文;杜小龙;陈兴谦;李昊臻;刘尧平 - 松山湖材料实验室;中国科学院物理研究所
  • 2023-02-24 - 2023-06-23 - H01L31/0224
  • 本申请实施例提供一种异质结太阳电池及其制备方法,涉及新能源领域。金属种子层的制备方法包括以下步骤:取电池片,其中电池片的至少一表面设置有透明导电层,透明导电层中含有金属氧化物;金属氧化物为氧化铟、氧化锡、氧化锌、氧化锑、氧化镉中的任一种;使用电化学法在透明导电层的部分区域制备金属形核层;在金属形核层的表面电镀金属薄层,相同材质的金属薄层与金属形核层结合形成金属种子层;再以金属种子层为基础,形成金属栅线。本申请实施例的异质结太阳电池中,金属栅线和电池片之间的附着力强,有利于增大异质结太阳电池的使用寿命和转化效率,而且本申请实施例的制备方法也较为简单。
  • 一种异质结太阳电池及其制备方法
  • [发明专利]碳化硅单晶的生长方法、碳化硅单晶、坩埚和生长系统-CN202211566479.6在审
  • 陈小龙;王国宾;郭建刚;李辉;王文军;盛达 - 中国科学院物理研究所
  • 2022-12-07 - 2023-06-23 - C30B11/00
  • 本发明提供了一种碳化硅单晶的生长方法、碳化硅单晶、坩埚和生长系统。生长方法包括:将碳化硅籽晶置于坩埚的底部;将原料块覆盖在碳化籽晶上;其中原料块包括硅元素和碳元素;将助熔剂装到原料块和坩埚内壁之间的区域;对坩埚进行加热,以使助熔剂熔化;向上提拉原料块,使熔化后的助熔剂流入碳化硅籽晶和原料块之间,且使原料块的底面与助熔剂接触;经第一预设时长后,向上提拉原料块,使其与熔化的助熔剂分离;将坩埚的温度降低至指定温度,得到基于碳化硅籽晶生长的碳化硅单晶。本发明不存在或可大大减小籽晶掉落的可能性,生长前SiC籽晶被上方的原料块覆盖,阻碍了助熔剂熔体挥发物在籽晶表面上的沉积,防止了生长初期产生的大量缺陷。
  • 碳化硅生长方法坩埚系统

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