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[发明专利]一种改性硅酸锂及其制作方法、应用和制品-CN202210151302.3有效
发明人：闫勇;黄学杰;石磊 -专利权人：松山湖材料实验室;中国科学院物理研究所
申请日： 2022-02-16 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01M4/58 文献下载
摘要：一种改性硅酸锂及其制作方法、应用和制品，属于锂电池领域。改性硅酸锂包括内核和表层。其中内核具有硅酸锂材料，且硅酸锂材料包括Li4SiO4和/或Li2SiO3。表层结合于内核的表面，且表层含有硫元素，其中的元素的价态为0价、+4价以及+6价中的一种或多种。该改性硅酸锂可以用于对锂离子电池进行正极补锂，从而改善电池的性能。
一种改性硅酸及其制作方法应用制品

[发明专利]三维微结构高通量芯片的制备方法及生物试剂筛选方法-CN202310535764.X在审
发明人：叶方富;高警蔚;樊琪慧 -专利权人： 中国科学院物理研究所;国科温州研究院（温州生物材料与工程研究所）
申请日： 2023-05-12 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C12Q1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维微结构高通量芯片的制备方法及生物试剂筛选方法。该制备方法包括如下步骤：提供柔性生物材料原液和具有微结构阵列的三维高通量的PDMS芯片模板；制备柔性生物材料原液和荧光微球的混合溶液；吸取部分混合溶液，并将其施加至小孔玻璃培养基材中；在PDMS芯片模板上施加混合溶液，使得柔性生物材料保留在PDMS芯片模板的表面；将PDMS芯片模板的具有柔性生物材料的一侧覆盖在小孔玻璃培养基材中的混合溶液上，并放置在细胞培养箱内，静置使得柔性生物材料固化；将固化后的柔性生物材料与PDMS芯片模板分离，从而得到生物三维微结构高通量芯片。本发明方案可以进行细胞力学特性定量分析，从而筛选出有效生物试剂及其最佳作用剂量。
三维微结构通量芯片制备方法生物试剂筛选

[发明专利]锂离子电池电解液添加剂、电解液及其锂离子电池-CN202111550981.3有效
发明人：詹元杰;黄学杰;武怿达;马晓威 -专利权人：松山湖材料实验室;中国科学院物理研究所
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01M10/0567 文献下载
摘要：本发明涉及锂离子电池技术领域，特别是涉及一种锂离子电池电解液添加剂、电解液及其锂离子电池。所述锂离子电池电解液添加剂，包括第一化合物和第二化合物，所述第一化合物具有式I或式Ⅱ所示的结构，其中，R1、R2、R3、R4、R5和R6分别独立选自H、F、C1～C5的烷基或氟代烷基中的一种或多种；所述第二化合物具有式Ⅲ所示的结构，其中，R1、R2、R3和R4分别选自H、F、C1～C5的烃基或氟代烃基、氰基、甲氧基和乙氧基的一种或多种。
锂离子电池电解液添加剂及其

[发明专利]耦合强度可调的量子比特结构-CN202110930931.1有效
发明人：相忠诚;宋小会;郭学仪;宋鹏涛;王战;郑东宁 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G06N10/40 文献下载
摘要：提供一种耦合强度可调的量子比特结构，其包括：第一量子比特、第二量子比特以及位于所述第一量子比特与所述第二量子比特之间的可调耦合器；所述第一量子比特和所述第二量子比特分别电容耦合至所述可调耦合器，所述可调耦合器控制所述第一量子比特和所述第二量子比特之间的耦合系数；以及其中，所述第一量子比特和所述第二量子比特是transmon的形式，所述可调耦合器是xmon的形式。
耦合强度可调量子比特结构

[发明专利]正极补锂剂及其制备方法和应用-CN202210031227.7在审
发明人：杨阳宇尘;洪响;王玉轲;傅正文 -专利权人：华为技术有限公司;中国科学院物理研究所;天目湖先进储能技术研究院有限公司
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01M4/62 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种正极补锂剂，包括颗粒本体，该颗粒本体包括过渡金属的硫硒化物的锂化物，该过渡金属的硫硒化物的锂化物的平均化学式为LixMSySe2‑y，其中，1＜x≤4，0＜y＜2，M代表过渡金属。该正极补锂剂脱出活性锂离子时的分解电压低，且不产气，能提供的补锂容量高，脱锂后的产物不影响电池正极性能的发挥。本申请实施例还提供了该正极补锂剂的制备方法、电池正极极片、电化学电池和电子设备。
正极补锂剂及其制备方法应用

[发明专利]磁性氦原子散射谱仪-CN202210004602.9有效
发明人：薛思玮;李毅;郭建东;朱学涛 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2022-01-05 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G01N27/626 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性氦原子散射谱仪，包括：氦原子束产生系统，用于产生氦原子束；氦原子束激发器，用于激发所述氦原子束；样品台，被配置用于放置样品；二维空间探测器，用于接收从所述样品表面散射的不同散射角的氦原子束并输出电信号；以及电子控制与数据采集系统，其基于所述电信号获得所述样品的二维散射图。本发明的磁性氦原子散射谱仪分辨率高、测量重复性好、采集效率高。
磁性原子散射

[发明专利]具有亚波长结构的超宽带吸波器及其制备方法和应用-CN202210717641.3有效
发明人：李俊杰;李晨圣;潘如豪;耿广州;郭海明 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有亚波长结构的超宽带吸波器，其包括：衬底；位于所述衬底之上的反射层；位于所述反射层之上的第一吸收层；位于所述第一吸收层之上的第二吸收层；其中，所述第一吸收层为薄膜结构，并且所述第二吸收层具有由锗锑碲合金形成的亚波长结构。本发明还提供制备本发明的吸波器的方法。本发明还提供本发明的具有亚波长结构的超宽带吸波器或者本发明的方法制得的具有亚波长结构的超宽带吸波器在光电器件中的应用。本发明的吸波器既具有高的光吸收效率又具有宽的吸收带。本发明的吸波器不依赖入射电磁波的偏振状态，对于TE波、TM波以及非偏振光，均能实现完美吸收。本发明的吸波器对于大角度入射的电磁波，也能保持较高的吸收率。
具有波长结构宽带吸波器及其制备方法应用

[发明专利]晶体硅制绒添加剂、晶体硅制绒剂以及晶体硅倒金字塔绒面结构的制备方法-CN202210618967.0有效
发明人：孙纵横;张小虎;陈伟;刘尧平;王燕;杜小龙 -专利权人：松山湖材料实验室;中国科学院物理研究所
申请日： 2022-06-01 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：一种晶体硅制绒添加剂、晶体硅制绒剂以及晶体硅倒金字塔绒面结构的制备方法，属于太阳能电池技术领域。制绒添加剂包括：形核剂、阴离子表面活性剂、分散剂、螯合剂以及余量的水；形核剂包括β‑环糊精、麦芽糊精以及木质素磺酸盐中的至少一种。利用上述晶体硅制绒添加剂添加于碱液中进行碱制绒，可晶体硅的表面形成倒金字塔绒面结构，由于制绒时在碱性环境中，相比于酸制绒成本更低，并且其不涉及金属离子的使用，因此有利于提高制绒后的晶体硅的纯净度。
晶体硅制绒添加剂硅制绒剂以及金字塔结构制备方法

[发明专利]一种纳米材料的针尖-胶膜联合转移装置和方法-CN202010298885.3有效
发明人：吕昭征;吕力 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提一种纳米材料的针尖‑胶膜联合转移装置，该装置包括：可移动的转移针尖；具有开口的胶转移架，其适于在开口处承载转移胶膜；以及容纳样品的样品台，其包括具有第一温度的第一温度区和具有第二温度的第二温度区；其中，转移针尖能够移动经过胶转移架上的转移胶膜，从而使所述转移针尖的表面上包覆转移胶膜的至少一部分，进而在第一温度区和所述第二温度区之间移动；以及转移胶的粘附性对温度敏感，其在第一温度时粘附样品，而在第二温度时失去粘性。
一种纳米材料针尖胶膜联合转移装置方法

[发明专利]锗衬底-砷化镓/锗异质结薄膜复合结构及其制法和应用-CN202110274722.6有效
发明人：张建军;黄鼎铭 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明提供一种锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构，其包括具有图形结构的锗衬底、位于所述锗衬底上的具有无原子台阶锗表面的锗层，以及位于所述锗层上的砷化镓层。本发明还提供一种制备本发明的锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构的方法。本发明还提供本发明的锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构或本发明的方法制得的锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构在锗基III‑V族半导体光电器件中的应用。本发明的锗衬底‑砷化镓/锗异质结薄膜复合结构能够完全避免砷化镓/锗异质结构中反向畤的产生，进而实现无缺陷的异质结薄膜。本发明的制备方法简单，且能够实现大规模阵列式可控生长。
衬底砷化镓锗异质结薄膜复合结构及其制法应用

[发明专利]制备高度上连续可调的三维纳米结构的方法-CN202010494162.0有效
发明人：耿广州;李俊杰 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种制备高度上连续可调的三维纳米结构的方法，其包括如下步骤：(1)对第一衬底进行表面清洁处理；(2)在步骤(1)中得到的第一衬底上制备牺牲层；(3)使用电子束抗蚀剂旋涂制得的牺牲层，以形成抗蚀剂层；(4)使用电子束曝光系统以不同的曝光剂量，对步骤(3)中得到的抗蚀剂层进行图形曝光、显影和定影以形成具有不同深度的抗蚀剂层；(5)对步骤(4)中制得的抗蚀剂层进行薄膜沉积；(6)将步骤(5)中制得的样品置于能够溶解所述牺牲层的溶液中，使得除所述第一衬底外的样品漂浮于溶液上，然后将样品翻转转移至第二衬底上；(7)去除位于所述第二衬底上的抗蚀剂，获得最终的样品。本发明的方法不用套刻，大大简化了制作过程。
制备高度连续可调三维纳米结构方法

[发明专利]一种制备变径纳米结构的方法-CN202010174972.8有效
发明人：耿广州;李俊杰 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种制备变径纳米结构的方法，包括以下步骤：(1)对衬底进行表面清洁处理；(2)使用灵敏度不同的抗蚀剂对所述衬底进行旋涂以形成至少为2层的抗蚀剂层，其中，相邻层的抗蚀剂层所采用的抗蚀剂的灵敏度不同；(3)对步骤(2)中具有抗蚀剂层的衬底进行图形曝光、显影和定影以形成具有图形结构的抗蚀剂层；(4)对步骤(3)中形成的具有图形结构的抗蚀剂层进行薄膜沉积，然后去除抗蚀剂层。本发明的方法制备的变径三维纳米结构可以包含任意能够曝光出的图案、尺寸，可以是实心，也可以是空心的，也可以是由原子层沉积可以实现的多种材料来构成。本发明制备的变径三维纳米结构可以用在超材料表面、超透镜、光电器件和传感器等领域。
一种制备纳米结构方法

[发明专利]一种钬掺杂上转换材料及其制备方法和应用-CN202011368656.0有效
发明人：麻朝阳;曹永革;汪玉珍 -专利权人：松山湖材料实验室;中国科学院物理研究所
申请日： 2020-11-27 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C09K11/74 文献下载
摘要：一种钬掺杂上转换材料及其制备方法和应用，属于无机发光材料领域。钬掺杂上转换材料的组成通式为：Na0.5Bi0.5‑xTiO3Hox，0.002≤x≤0.006。本申请以钛酸钠铋盐为基体，以钬离子为激活剂，构成一种上转换发光材料，其不仅化学和物理稳定性高，而且在低温条件下兼具高灵敏的温度响应。
一种掺杂转换材料及其制备方法应用

[发明专利]一种含有金属元素梯度掺杂的负极材料及其应用-CN202011031911.2有效
发明人：殷营营;刘柏男;罗飞;李泓 -专利权人：溧阳天目先导电池材料科技有限公司;中国科学院物理研究所
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种含有金属元素梯度掺杂的负极材料及其应用，其中，负极材料包括具有金属元素M梯度掺杂的颗粒状氧化亚硅/M复合材料；所述氧化亚硅的通式为SiOx，其中0x2；所述金属元素M包括Na、Mg、Al、Li、Mn、Fe、Co、Ni、Cu或Zn中的一种或几种；所述负极材料中，金属元素M的含量从表面到核心逐渐减少，呈连续浓度梯度的掺杂分布；所述氧化亚硅/M复合材料的化学通式为SiMyOz，其中0y10，0z10。
一种含有金属元素梯度掺杂负极材料及其应用

[发明专利]磷酸盐包覆正极活性材料的制备方法-CN202011284593.0有效
发明人：武怿达;黄学杰;詹元杰;马晓威 -专利权人：松山湖材料实验室;中国科学院物理研究所
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C01B25/37 文献下载
摘要：本发明涉及一种磷酸盐包覆正极活性材料的制备方法，包括以下步骤：将磷源和氨水加入去离子水中混合形成包覆分散液，所述磷源为磷酸铁、磷酸镍、磷酸钴、磷酸锰、磷酸铜和磷酸镁中的一种或多种；将所述包覆分散液包覆于具有尖晶石结构的正极活性材料表面，干燥得到粉体；以及将所述干燥粉体在200℃～600℃下进行烧结。
磷酸盐正极活性材料制备方法