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[发明专利]制备多级台阶微结构的方法-CN202310246552.X在审
发明人：伦婷婷;李俊杰;潘如豪;张忠山 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2023-03-15 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种制备多级台阶微结构的方法，其包括如下步骤：(1)在衬底上制备光刻胶涂层；(2)设计初始曝光版图，所述初始曝光版图为灰度图，且所述灰度图中每个像素点的灰度值为0‑255灰阶；所述初始曝光版图上每个像素点的灰度值与紫外光束对光刻胶涂层上每个点的曝光剂量呈相关性；(3)优化所述初始曝光版图以获得优化曝光版图；(4)将所述优化曝光版图导入紫外光刻系统，利用紫外光刻设备对所述光刻胶涂层进行曝光加工；(5)对曝光后的光刻胶涂层进行显影工序，以在所述光刻胶涂层上产生与所述优化曝光版图对应的光刻胶台阶微结构。本发明的方法可以以高精度制备小尺寸、多台阶阶次、任意高度的台阶微结构。
制备多级台阶微结构方法

[发明专利]聚碳酸酯透明陶瓷复合材料及其制备方法-CN202310265553.9在审
发明人：麻朝阳;曹永革;文子诚;李英魁;唐健 -专利权人：松山湖材料实验室;中国科学院物理研究所
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C04B41/83 文献下载
摘要：本申请涉及一种聚碳酸酯透明陶瓷复合材料及其制备方法，属于透明陶瓷领域。聚碳酸酯透明陶瓷复合材料包括：透明陶瓷样品以及聚碳酸酯层，聚碳酸酯层直接形成于透明陶瓷样品的表面，聚碳酸酯层的厚度为100nm～1mm。聚碳酸酯透明陶瓷复合材料利用将聚碳酸酯直接复合在透明陶瓷样品的表面，以提高透明陶瓷样品的耐力学冲击性，同时又提高其光学透过率。
聚碳酸酯透明陶瓷复合材料及其制备方法

[发明专利]无机玻璃态钠离子固体电解质及其制备方法-CN202110334142.1有效
发明人：胡勇胜;代涛;陆雅翔;陈立泉 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01M10/0562 文献下载
摘要：本发明提供一种无机玻璃态钠离子固体电解质，其具有以下化学式：NaAxOyClz，其中，A选自B、Al、Fe、Ga、In、As、Sb、Mo和Bi中的一种或几种；0.2≤x≤3，0y≤3，0z≤9且Na的摩尔占比小于0.5。本发明还提供本发明的无机玻璃态钠离子固体电解质的制备方法。本发明的固体电解质加工性能优异并且耐高压，兼具氧化物陶瓷正极的耐高电压特性以及硫化物和PEO聚合物固体电解质优异的加工性能，可以解决全固态钠离子电池的正极侧界面问题。
无机玻璃钠离子固体电解质及其制备方法

[发明专利]具有锥形绒面的压花玻璃和太阳能电池组件-CN201910154196.2有效
发明人：陈全胜;赵燕;刘尧平;吴俊桃;唐旱波;林珊;杜小龙 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本发明提供一种具有锥形绒面的压花玻璃，其中，所述具有锥形绒面的压花玻璃包括迎光面和背光面，所述迎光面具有锥形绒面结构；所述锥形绒面结构为正置棱锥或倒置棱锥。本发明还提供一种太阳能电池组件，包括：本发明所述的具有锥形绒面的压花玻璃、封装胶膜、电池片以及背板。在光线垂直入射时，本发明所述的具有锥形绒面的压花玻璃具有优异的光学性能；同时与现有平面玻璃相比，具有非常优异的全向性能，能够满足全天候发电、易于接收散射光能。采用本发明所述的具有锥形绒面的压花玻璃的太阳能电池可以明显提高太阳能电池的功率，并可以在实际应用中，增加一天内的发电量。
具有锥形压花玻璃太阳能电池组件

[发明专利]一种制备悬空的层状金属硫属化合物的方法-CN201910529623.0有效
发明人：黄元;罗海兰;赵林;周兴江 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2019-06-19 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种制备悬空的层状金属硫属化合物的方法，包括如下步骤：(1)在基底上制备出图案化的孔阵列；(2)在具有孔阵列的基底上形成第一金属层，然后在所述第一金属层上形成第二金属层；所述第一金属层由Ti、Cr、Zn、Al、Ni、Cu、Fe或其两种以上的合金形成，所述第二金属层由Au形成；(3)用胶带机械解理金属硫属化合物，将胶带上的金属硫属化合物贴附到步骤(2)中的所述第二金属层上，并进行热处理；(4)热处理完成后，冷却至室温，随即从具有孔阵列的基底上剥离胶带，从而在具有孔阵列的基底上制得悬空的层状金属硫属化合物。本发明的制备方法步骤少、简单易实现、制备效率高。
一种制备悬空层状金属化合物方法

[发明专利]转变PbTiO3-CN201910785451.3有效
发明人：陈潘;白雪冬 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H10B53/00 文献下载
摘要：一种转变PbTiO3/SrTiO3超晶格材料的涡旋畴的方法，包括如下步骤：对具有涡旋畴的PbTiO3/SrTiO3超晶格材料施加压强为0.4‑1.0GPa的力，所述PbTiO3/SrTiO3超晶格材料的涡旋畴则变为面内畴；撤去所述力，所述PbTiO3/SrTiO3超晶格材料的面内畴恢复为涡旋畴。本发明首次实现了普通实验手段很难观测到的涡旋畴的力学转变，确定了涡旋畴转变后的畴结构是面内畴。PbTiO3/SrTiO3超晶格材料的涡旋畴结构尺寸小、密度大、排列整齐，并且在外力的作用下能够唯一地转变为面内畴，因此，PbTiO3/SrTiO3超晶格材料是理想的存储单元。
转变 pbtio base sub

[发明专利]一种安全稳定的活化负极-CN202210706751.X有效
发明人：吴凡;闫汶琳;李泓 -专利权人：天目湖先进储能技术研究院有限公司;长三角物理研究中心有限公司;中国科学院物理研究所
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01M4/13 文献下载
摘要：本发明提供一种安全稳定的活化负极，通过向无形性LiSi合金负极中引入由富锂相Li15Si4、LiC6编织呈三维织构状的导锂导电网络，有效增大了电极的活性面积，优化了电极的动力学性能。本发明有效提高了电池的长循环性能，并进一步优化合金与硬碳比例参数，成功获得了具有高负载、大电流、长循环能力的全固态电池。
一种安全稳定活化负极

[发明专利]一种低温原位样品杆-CN202010098638.9有效
发明人：许晋京;许智;白雪冬 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2020-02-18 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01J37/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种低温原位样品杆，该低温原位样品杆的后端连接冷源而前端承载样品，所述低温原位样品杆包括：外壳，其内部被构造成真空状态；低温杆芯，其延伸穿过所述外壳内部且其后端用于连接所述冷源而前端用于承载所述样品，其中所述低温杆芯的中间部段经由第一减振件支承而真空间隔设置在所述外壳的中间部段内侧，所述低温杆芯的前端部经由第二减振件支承而真空间隔设置在所述外壳的前端部，以减轻从所述冷源传递到所述样品的振动且降低从所述低温杆芯传递到所述外壳外侧的热量。
一种低温原位样品

[发明专利]补锂材料及其制备方法和应用-CN202010159571.5有效
发明人：田孟羽;起文斌;俞海龙;黄学杰 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01M4/58 文献下载
摘要：本发明提供一种补锂材料，其包含含锂化合物和无机非金属还原剂。本发明还提供一种制备本发明的补锂材料的方法。本发明还提供本发明的补锂材料在锂离子电池中的应用。本发明提供的补锂材料通过与正极材料混合或涂布在隔膜正极侧组装电池，在首次循环过程中可以释放活性锂补充负极损失的活性锂。本发明提供的补锂材料与目前商用正极和负极兼容性良好，十分适用于现行二次锂离子电池。
材料及其制备方法应用

[发明专利]用于液相法生长碳化硅晶体的装置及方法-CN202211636514.7在审
发明人：陈小龙;盛达;王国宾;王文军;郭建刚;李辉 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于液相法生长碳化硅晶体的装置。籽晶杆下端螺纹与籽晶托内部螺纹旋向相同，为右旋或左旋螺纹。锁紧螺母内部螺纹与籽晶托外部螺纹旋向相同，为左旋或右旋螺纹。锁紧螺母内部螺纹与籽晶杆下端螺纹旋向相反。如此，本发明的装置可以实现自锁功能。本发明还提供一种制备碳化硅晶体的方法，其使用本发明的用于液相法生长碳化硅晶体的装置。本发明的装置可以方便和可靠的实现籽晶托高速正反转，在熔体中引入强制对流，促进熔体成分均匀并加速溶质传输，提升液相法生长碳化硅晶体的质量和速度。本发明的方法制得碳化硅晶体的质量优异。
用于液相法生长碳化硅晶体装置方法

[发明专利]磁性异质结构、其人工反铁磁体、磁性隧道结及存储装置-CN202310162266.5在审
发明人：罗需明;于国强;韩秀峰 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2023-02-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁性异质结构、其人工反铁磁体、制备方法及磁性隧道结。利用Ir插层修饰W/Ir(t)/CoFeB/MgO的异质结构实现了400摄氏度退火温度下较高的有效垂直各向异性，该结构不仅能应用于STT‑MTJ中，还可能应用于SOT‑MTJ和skymions devices。进一步地使MTJ单元小型化。
磁性结构人工磁体隧道存储装置

[发明专利]生长碳化硅单晶的方法-CN202111403566.5在审
发明人：陈小龙;杨乃吉;李辉;王文军 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明提供一种生长碳化硅单晶的方法，其包括如下步骤：(1)将原料装配于用于碳化硅单晶生长的装置内；(2)将所述装置放置于单晶生长炉中感应线圈中；(3)然后，采用第一保护性气体进行洗炉，并控制生长炉的真空度；(4)然后，在第二保护性气体的存在下，通过控制所述装置内压强和温度进行碳化硅单晶生长；(5)待碳化硅单晶生长完成后，对所述装置进行退火；待所述装置冷却至室温，得到碳化硅单晶。本发明的方法可以生长大尺寸如8英寸以上的SiC单晶。本发明的方法可以增加SiC晶体生长中原料利用率，降低生长SiC单晶中原料的用量，并且降低生长成本。
生长碳化硅方法

[发明专利]用于碳化硅晶体生长的装置-CN202111404988.4在审
发明人：陈小龙;杨乃吉;李辉;王文军 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供一种用于碳化硅晶体生长的装置，其包括石墨坩埚主体、石墨坩埚盖、籽晶，所述籽晶固定于所述石墨坩埚盖内侧；其中，所述石墨坩埚主体内设有至少一个石墨套筒，以将石墨坩埚主体划分为由所述石墨套筒与所述石墨坩埚主体包围的原料区和由所述石墨套筒内部包围的非原料区；所述石墨套筒侧壁上设有通孔，所述通孔的延伸方向与所述石墨套筒的轴线成锐角以防止所述原料区中的原料进入所述非原料区。本发明的装置通过在石墨坩埚中放入若干侧壁具有通孔的石墨套筒，可以增加SiC晶体生长中原料利用率，降低生长SiC单晶中原料的用量，进而降低了生长成本。本发明的装置能够给SiC晶体生长提供充足、稳定的气相物质，增加原料的利用率、提高生长SiC单晶的晶体质量。
用于碳化硅晶体生长装置

[发明专利]用于液相法生长碳化硅晶体的装置及方法-CN202211636437.5在审
发明人：陈小龙;盛达;王国宾;王文军;郭建刚;李辉 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于液相法生长碳化硅晶体的装置。使用本发明的装置时，将顶托旋入籽晶座，可以在连接处夹一石墨纸作为缓冲层。然后，将环套上的凸台卡在籽晶锭上的环槽后，通过环套上的螺纹与籽晶座相连使得籽晶锭与顶托紧密接触。通过本发明的装置可以实现对籽晶锭的可靠夹持。本发明还提供一种制备碳化硅晶体的方法，其使用本发明的用于液相法生长碳化硅晶体的装置。本发明的装置可以重复利用籽晶，省去粘籽晶和后续热压固定籽晶的过程，降低成本。本发明的装置还可以消除由于籽晶粘接导致的生长缺陷，并且可以通过改变顶托的厚度调节晶体生长时的轴向温场，提升液相法生长碳化硅晶体的质量。本发明的方法制得碳化硅晶体的质量优异。
用于液相法生长碳化硅晶体装置方法

[发明专利]用于确定碳化硅晶片的硅面和碳面的方法-CN202211636555.6在审
发明人：陈小龙;盛达;王国宾;王文军;郭建刚;李辉 -专利权人： 中国科学院物理研究所
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G01N33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种用于确定碳化硅晶片的硅面和碳面的方法，包括如下步骤：(1)清洁碳化硅晶片表面；(2)使得达因液在清洁后的碳化硅晶片的两个表面上分别形成均匀的液体涂层；(2)根据达因液在碳化硅晶片表面上的以下润湿情况来判断硅面和碳面：如果液体涂层连续不间断，无收缩现象，则该表面为硅面；如果液体涂层断断续续并形成液滴，部分晶面显露，则该表面为碳面。本发明是一种快速、便捷、无损的确定SiC衬底片、抛光片、研磨片和切割片硅面和碳面的方法。
用于确定碳化硅晶片方法