专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种瞬变电压抑制二极管及其制备方法-CN201811014089.1有效
  • 孙春明;陈敏;戴维;虞翔;袁琼;刘宗金;夏杰 - 上海芯导电子科技有限公司
  • 2018-08-31 - 2022-02-08 - H01L29/861
  • 本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种瞬变电压抑制二极管,包括:衬底,为P型,包括分别定义有中心区和边缘区的一正面和一背面;保护层,覆盖于衬底的正面的边缘区之上,并将衬底的正面的中心区内的表面予以暴露;保护层予以暴露的衬底的正面的中心区内制备有一第一N阱,且第一N阱中制备有若干栅结构;衬底于背面的中心区内制备有一第二N阱,以及于边缘区内环绕第二N阱的环形P阱;第一金属层,覆盖于衬底的正面的中心区之上;第二金属层,覆盖于衬底的背面之上;以及该瞬变电压抑制二极管的制备方法;能够获得足够高的击穿电压和足够低的钳位电压,以适应具有快速充电功能的产品。
  • 一种电压抑制二极管及其制备方法
  • [发明专利]一种复合DCDC电路-CN201910517468.0有效
  • 符志岗;邱星福;冯伟平;朱晓明;朱同祥 - 上海芯导电子科技有限公司
  • 2019-06-14 - 2021-05-25 - H02M3/158
  • 本发明涉及电路技术领域,尤其涉及一种复合DCDC电路,其中,包括,开关器件组,连接于工作电路的输入端与接地端之间;驱动控制单元,驱动控制单元的输入端连接工作电路的输出端,用于根据工作电路输出的电压信号及切换控制信号的作用下产生PWM驱动信号;补偿单元,补偿单元的输入端连接驱动控制单元的输出端,用于调整补偿PWM驱动信号的范围;环路补偿单元,环路补偿单元的输入端连接补偿单元的输出端;调整单元,调整单元的输入端连接补偿单元的输出端,用于调整PWM驱动信号的增益。本发明的技术方案的有益效果在于:采用双环路架构,在不破坏原环路的稳定性的基础上增加补偿环路,提高输出电压的精度。
  • 一种复合dcdc电路
  • [发明专利]一种DC-DC电路-CN201811005996.X有效
  • 符志岗;肖晗;朱同祥;尹辉;欧新华;袁琼;陈敏;刘宗金 - 上海芯导电子科技有限公司
  • 2018-08-30 - 2020-12-04 - H02M3/158
  • 本发明公开一种DC‑DC电路,包括:输入电压端;输出电压端;第一开关支路,于第一驱动信号作用下可控制地导通输入电压端与第一参考节点;第二开关支路,于第二驱动信号作用下可控制地导通第一参考节点与接地端;储能元件,连接于第一参考节点与输出电压端之间;PWM信号产生电路,连接于第一开关支路与第二开关支路之间,对采样自输出电压端的第一电压反馈信号通过斜坡信号与电压比较信号进行比较产生第一驱动信号与第二驱动信号;于开关信号作用下,斜坡信号通过斜坡信号产生电路产生,以触发第一电压反馈信号,使得第一电压反馈信号的转折点稳定,有益效果:保证整个电路的稳定性,且降低了整个电路的纹波,同时具有开关电路的响应速度快的特点。
  • 一种dc电路
  • [发明专利]一种DC-DC电路-CN201711140586.1有效
  • 符志岗;肖晗;朱同祥;尹辉;欧新华;袁琼;陈敏;刘宗金;高强 - 上海芯导电子科技有限公司
  • 2017-11-16 - 2020-12-04 - H02M3/158
  • 本发明涉及开关电源技术领域,具体涉及一种DC‑DC电路,包括,一输入电压端;一输出电压端;第一开关支路,于一第一驱动信号作用下可控制地导通输入电压端和一第一参考节点;第二开关支路,于一第二驱动信号作用下可控制地导通第一参考节点和接地端;储能元件,于电路工作中交替充电或放电;PWM信号产生单元,对一采样自输出电压端的第一电压反馈信号和一电压比较信号进行比较产生第一驱动信号和第二驱动信号;电压比较信号通过一误差放大器产生,误差放大器用于对一反馈自输出电压端的第二电压反馈信号与一基准电压进行运算后产生。本发明可以提高COT开关电路工作的稳定性,减小COT输出电压的纹波。
  • 一种dc电路
  • [发明专利]一种改进控制模式的DC-DC开关电源-CN201711138251.6有效
  • 符志岗;肖晗;朱同祥;尹辉;欧新华;袁琼;陈敏;刘宗金;郑朝晖 - 上海芯导电子科技有限公司
  • 2017-11-16 - 2020-06-26 - H02M3/156
  • 本发明涉及开关电源技术领域,具体涉及一种改进控制模式的DC‑DC开关电源,包括:输入电压端;输出电压端;第一开关支路,于一第一驱动信号作用下可控制地导通输入电压端和一第一参考节点;第二开关支路,于一第二驱动信号作用下可控制地导通第一参考节点和接地端;PWM信号产生单元,于一比较器的输出脉冲信号作用下产生导通时间和关断时间自适应调节的PWM信号;信号驱动单元,用于对PWM信号产生单元输出的信号进行处理后产生第一驱动信号和第二驱动信号。本发明让开关导通时间和关断时间都做自适应变化,能够提高开关电路工作的效率及稳定性,可灵活设置最大占空比,解决现有技术的恒定导通时间模式及固定关断时间模式的局限性。
  • 一种改进控制模式dc开关电源
  • [发明专利]一种单向浪涌保护器件及制造方法-CN201911402740.7在审
  • 孙春明;陈敏;苏昊;朱同祥;邱星福;刘宗金 - 上海芯导电子科技有限公司
  • 2019-12-30 - 2020-05-19 - H01L21/329
  • 本发明提供一种单向浪涌保护器件及制造方法,属于功率器件技术领域,包括:第一导电类型衬底层;第一导电类型外延层,外延层上表面形成有第一导电类型第一掺杂区和第二导电类型第二掺杂区,第一掺杂区环绕第二掺杂区设置;保护层,生长于外延层的上表面,保护层上设有第一接触孔和第二接触孔,保护层上表面和接触孔内形成有第一金属层,第一金属层将第一掺杂区和第二掺杂区短接;有益效果是:通过引入深槽隔离工艺,一方面大幅度地增大了IPP,另一方面深槽隔离可以实现在器件中引入n‑p‑n穿通型结构,使得器件带有负阻特性从而获得较低的钳位电压VC值,同时又可以在中心区域单独引入p‑n结,满足单向器件的需求。
  • 一种单向浪涌保护器制造方法
  • [发明专利]一种沟槽式晶体管的源区结构及其制备方法-CN201710901735.5有效
  • 俞峥;陈敏;欧新华;袁琼;符志岗;刘宗金 - 上海芯导电子科技有限公司
  • 2017-09-28 - 2020-04-24 - H01L21/28
  • 本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种沟槽式晶体管的源区结构及其制备方法,包括:衬底,包括一本体层以及形成于本体层的上表面的一外延层,且外延层具有一第一掺杂类型;漂移层,形成于衬底的上表面,且漂移层具有一第二掺杂类型;漂移层的上表面形成有多个横向间隔的第一沟槽,且第一沟槽两侧的漂移层的上部形成有源极;氧化层,覆盖第一沟槽的侧壁及底部;导电层;介质层;金属层,覆盖于介质层的上表面;介质层中形成有连接漂移层和金属层的多个接触孔;能够在沟槽的侧壁形成积累区,可实现低导通电阻,并且不需要额外的结构层就能保持器件的常关状态,同时漂移层作为缓冲降低了漏极高压时栅极底部的峰值电场,提高了器件的耐压。
  • 一种沟槽晶体管结构及其制备方法
  • [实用新型]一种负载识别电路-CN201920897769.6有效
  • 符志岗;欧新华;袁琼;陈敏;邱星福;朱同祥;虞翔 - 上海芯导电子科技有限公司
  • 2019-06-14 - 2020-03-27 - H02M3/06
  • 本实用新型涉及电路技术领域,尤其涉及一种负载识别电路,其中,包括,一负载,连接于负载识别电路的输入端;一设置有储能元件的工作电路;一开关器件组,连接于负载识别电路的输入端与工作电路的输入端之间;一控制单元,连接于工作电路的输出端;一检测单元,连接于控制单元的输出端,用于监测PWM驱动信号的占空比,以检测负载的连接状态。本实用新型的技术方案的有益效果在于:负载识别电路通过工作电路输出的电压反馈信号和切换控制信号在控制单元中产生PWM驱动信号,再通过检测单元监测PWM驱动信号的占空比的变化,从而实现识别负载的动作,无需增加额外的管脚来通知CPU,节省资源,使用灵活。
  • 一种负载识别电路
  • [发明专利]一种推阱工艺-CN201610585603.1有效
  • 陈敏;徐远;欧新华;袁琼;符志岗;刘宗金 - 上海芯导电子科技有限公司
  • 2016-07-22 - 2020-02-04 - H01L21/223
  • 本发明涉及二极管的优化领域,尤其涉及一种应用于TVS二极管的推阱工艺,于一反应炉管内进行,包括:第一升温阶段,通入惰性气体至所述反应炉管,以使放置于所述反应炉管内的半导体器件被所述惰性气体包围;第二升温阶段,通入氧气至所述反应炉管,以在所述半导体器件的表面生成薄氧化层;恒温阶段及降温阶段,继续通入所述惰性气体至所述反应炉管,以使所述半导体器件在所述惰性气体的氛围下继续所述推阱工艺;其中,在所述第二升温阶段,还通入二氯乙烯气体至所述反应炉管,以吸附所述反应炉管内部以及所述半导体器件表面的钠离子杂质。
  • 一种工艺
  • [发明专利]一种升压转换器-CN201610818639.X有效
  • 符志岗;肖晗;朱同祥;朱晓明;欧新华;袁琼;陈敏;刘宗金 - 上海芯导电子科技有限公司
  • 2016-09-13 - 2019-06-18 - H02M3/158
  • 本发明涉及电力电子技术领域,尤其涉及一种升压转换器,包括第一输入口、第一输出口、主线路、采集电路、控制电路、脉宽调制电路和驱动电路,主线路连接于第一输入口和第一输出口之间,控制电路接收一第一基准信号和一第二基准信号,采集电路耦采集输出电流生成一第一采集信号,以及采集输出电压生成一第二采集信号,控制电路接收第一采集信号,控制电路接收第二采集信号,控制电路将第一采集信号与第一基准信号进行比较,以及将第二采集信号与第二基准信号进行比较,根据两个比较结果输出一比较电压,通过脉宽调制电路和驱动电路在主线路中驱动产生反馈调节后的输出电压和输出电流,能够使得环路补偿占用面积小、环路转态平顺。
  • 一种升压转换器

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