专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种基于硒化物/硫化物异质结的柔性光电探测器的制备方法-CN202110253989.7有效
  • 黄文;唐雨晴;龚天巡;林媛;张晓升 - 电子科技大学
  • 2021-03-04 - 2023-07-14 - H01L31/0203
  • 本发明公开了一种基于硒化物/硫化物异质结的柔性光电探测器及其制备方法,该传感器采用PI薄膜作为基底,ITO作为电极,禁带宽度为1.2‑2.4eV的P型硒化物(如禁带宽度约为2.1eV的GaSe)和禁带宽度为1.8‑2.2eV的n型硫化物(如禁带宽度约为1.8eV的MoS2)形成的异质结作为功能层。器件制备流程为:首先通过光刻技术和ITO湿法刻蚀得到ITO电极,再采用机械剥离的方式得到硒化物和硫化物的亚微米薄片,并精确对准转移到基于PI基底的ITO电极上,形成超薄二维半导体异质结(各层厚度在10nm‑30nm之间),结区面积在1×102‑2.5×103平方微米之间。该种制备方法方便环保且成本低,且基于该方法制备的硒化物/硫化物异质结光电探测器具有良好的弯曲性,相较于刚性光电探测器可应用于更多的场景,且得益于硒化物/硫化物异质结的材料特性,此类光电探测器具有良好的光电探测性能,可实现良好的光电探测效果。
  • 一种基于硒化物硫化物异质结柔性光电探测器制备方法
  • [发明专利]一种多效应耦合增强的光电传感器及其制备方法-CN202310177623.5在审
  • 龚天巡;于梦雅;黄文;张晓升 - 电子科技大学
  • 2023-02-28 - 2023-06-23 - H01L31/0352
  • 本发明公开了一种多效应耦合增强的光电传感器及其制备方法,包括二硫化钼层、金纳米颗粒、玻璃基底与多个氧化锌纳米棒,所述氧化锌纳米棒直立于所述玻璃基底上,所述金纳米颗粒附着在所述氧化锌纳米棒的侧壁上,所述二硫化钼层设置在所述多个氧化锌纳米棒上,且通过分子间作用力进行与所述氧化锌纳米棒进行连接。本申请的光电传感器通过将二硫化钼层与氧化锌纳米棒高差基底复合形成一维/二维异质结构;利用光刻模板调控,使氧化锌纳米棒实现周期性阵列生长;先后采用磁控溅射和热退火工艺,在氧化锌纳米棒上实现金纳米颗粒均匀分布;纳米棒顶端的单层二硫化钼产生周期性应变效果。本发明具有制备方法简单、结构可控、均一性优、稳定性佳等优点。
  • 一种效应耦合增强光电传感器及其制备方法
  • [发明专利]一种基于图形化铁电畴的石墨烯太赫兹波可调谐探测器-CN202010183235.4有效
  • 黄文;林霖;龚天巡 - 电子科技大学
  • 2020-03-16 - 2023-05-12 - H01L31/10
  • 本发明涉及一种基于图形化铁电畴的石墨烯太赫兹波可调谐探测器,包括基底:如半导体硅(Si)或氧化物钛酸锶(STO)、底电极:如镧锶锰氧(LSMO)、铁电材料:如铁酸铋(BFO)或掺铪的氧化锆(HfZrO)、以及上层的二维材料:如石墨烯。发明提出的光电探测器,利用铁电材料不同的极化方向引起二维材料电化学势的差异,通过设计铁电畴的形状,改变铁电畴的大小,利用表面等离子共振效应,得到了一种能对光电探测器吸收波段进行调控的、大面积的二维材料的光电探测器的结构。本发明的光电探测器具有结构简单、便于集成、可在室温下工作的优点,并且还可以通过在纳米尺度下简易且精确的改变铁电畴从而对传感器的响应波段进行调控。本发明提供的光电探测器可用于中远红外以及太赫兹波段。
  • 一种基于图形化铁电畴石墨赫兹调谐探测器
  • [发明专利]一种基于法诺共振的表面增强拉曼传感基底及其制备方法-CN202110242939.9有效
  • 龚天巡;魏臻江;黄文 - 电子科技大学
  • 2021-03-05 - 2022-07-29 - G01N21/65
  • 本发明属于光学领域,具体提供一种基于法诺共振的表面增强拉曼传感基底及其制备方法,用以克服现有表面增强拉曼传感基底存在的制备太复杂、成本高等问题。本发明中表面增强拉曼传感基底通过纳米球与金膜间的局域表面等离子体的共振耦合及镜面成像场效应产生不对称曲线特征的Fano共振;使用亲和素和生物素对纳米球和金膜进行化学连接,结合力强,稳定不易脱落;并且,能够通过改变纳米球的球径、纳米球与金膜的间距等参数调控Fano dip的光谱位置和强度。综上,本发明提供的表面增强拉曼传感基底具有制备简单、灵敏度高、均一性好的优点,可制备大尺寸阵列结构。
  • 一种基于共振表面增强传感基底及其制备方法
  • [发明专利]3D表面增强型拉曼传感芯片及其制备方法-CN201810997510.9有效
  • 龚天巡;黄一峰;黄文;俞滨;何逸文;柯逸臻 - 电子科技大学
  • 2018-08-29 - 2022-07-26 - G01N21/65
  • 本发明属于光学领域,具体涉及一种3D表面增强型拉曼传感芯片及其制备方法。本发明所要解决的技术问题是提供一种3D表面增强型拉曼传感芯片的制备方法,包括以下步骤:a、在硅片上涂光刻胶,同时绘制光刻图案;b、通过光刻的方式将光刻图案刻在硅片表面的光刻胶上,然后显影、离子刻蚀,再去除硅片上多余的光刻胶;c、在步骤b所得硅片上溅射金层;d、将含球溶液加在步骤c所得硅片上,干燥;重复加含球溶液和干燥步骤,直至干燥后球填满孔洞;e、再在步骤d所得硅片上溅射金层,即得成品芯片。本发明方法能够增强所得芯片的拉曼增强效果。
  • 表面增强型拉曼传感芯片及其制备方法
  • [发明专利]基于石墨烯的双通道柔性多态应力传感器的制备方法-CN202110258808.X有效
  • 黄文;李奕奕;龚天巡;林媛;张晓升 - 电子科技大学
  • 2021-03-10 - 2022-05-24 - G01L1/22
  • 本发明公开了一种基于表面微结构柔性基底石墨烯材料的制备方法,并提供一种双通道柔性多态应力传感器结构,涉及柔性多态应力传感器结构和制备。该传感器包括:上下柔性衬底、上下敏感层、上下电极层及封装结构;下柔性衬底及下敏感层为表面微结构化处理的PDMS衬底及于其表面成膜的石墨烯薄膜,通过PDMS倒模及刷涂石墨烯制备;上电极层包括银电极C及其电极引出端,下电极包括银电极A、B及其电极引出端。制备的双通道传感器用于实现压力应力信号的同时检测,可实现包括关节弯曲、外力按压、皮肤拉伸等复杂应变情况下的人体动作的分辨判断。同时,通过采用基于表面微结构柔性基底的石墨烯材料,优化了传感器适应的应力检测范围,保证了在人体关节自由活动时传感器能够正常工作。
  • 基于石墨双通道柔性应力传感器制备方法
  • [发明专利]一种基于法诺共振增强的光电探测结构及其制备方法-CN202111443060.7在审
  • 龚天巡;严博远;蒋翠翠;黄文;张晓升;孙润宁 - 电子科技大学
  • 2021-11-30 - 2022-03-29 - G01D5/32
  • 本发明属于光学领域,具体提供一种基于法诺共振增强的光电探测结构及其制备方法,用以克服现有基于法诺共振增强的光电探测器存在的制备复杂、成本过高、均一性差等问题。本发明中的光电探测结构通过七个纳米球和金膜的局部表面等离子共振产生不对称曲线特征的法诺共振;利用分子间作用力,使二硫化钼和七个纳米球之间,七个纳米球和金膜之间,进行物理结合,结合力较高,结构稳定且不易脱落;并且,能够通过改变七个纳米球结构的球径、七个纳米球之间的间距等参数调控法诺谷的光谱位置和强度。与现有技术相比,本发明提供具有结构简单、易于制备、成本较低、灵敏度较高、均一性较好等优点,可制备大尺寸的阵列式结构。
  • 一种基于共振增强光电探测结构及其制备方法

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