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[发明专利]一种键合装置及键合方法-CN202310837683.5在审
发明人：陶超;龙俊舟;王力 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请提供一种键合装置及键合方法。该键合装置包括：机台，包括可移动取物台；激光干涉仪组件包括：第一激光干涉仪单元，被配置为确定可移动取物台沿第一方向的位移信息；第二激光干涉仪单元，被配置为确定可移动取物台沿第二方向的位移信息；基于沿第一方向、第二方向的位移信息，激光干涉仪组件还被配置为确定可移动取物台的坐标信息。由此，可以实现可移动取物台的精确定位，从而提高键合精度。
一种装置方法

[发明专利]一种键合装置及键合方法-CN202310839171.2在审
发明人：陶超;龙俊舟;王力 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请提供一种键合装置及键合方法。该键合装置包括：机台，包括可移动载物台；光栅组件被配置为确定可移动载物台沿第一方向、第二方向的位移信息；基于沿第一方向、第二方向的位移信息，光栅组件还被配置为确定可移动载物台的坐标信息。由此，可以实现可移动载物台的精确定位，从而提高键合精度。
一种装置方法

[发明专利]一种气体监测装置、半导体制程设备及气体监测方法-CN202310336501.6在审
发明人：李江风;王力;龙俊舟 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G01N21/01 文献下载
摘要：本申请提供一种气体监测装置、半导体制程设备及气体监测方法。该气体监测装置应用于半导体制程设备中，并且设置在气体通路上。该气体监测装置包括：发光件，被配置为发出能够穿过气体通路和/或气体通路管壁的第一光信号；和感光件，被配置为接收第一光信号能够穿过气体通路和/或气体通路管壁的第二光信号；其中，气体监测装置还被配置为通过比较第一光信号和第二光信号的大小，以检测气体通路中的特种气体是否被污染。本申请中的气体监测装置能够在第一时间监测气体通路中的特种气体是否被污染的状态，及时发现外漏，避免因外漏导致大量的产品报废。
一种气体监测装置半导体设备方法

[发明专利]键合设备和键合方法-CN202211496361.0在审
发明人： 龙俊舟;王力;陶超 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本申请提供了一种键合设备和键合方法，用于键合第一键合对象和第二键合对象。键合设备包括承载对准装置、承载膜和压着装置。承载对准装置用于承载和移动第一键合对象，承载膜用于粘接有第二键合对象，且带动第二键合对象移动，压着装置用于将承载膜上粘接的第二键合对象压向第一键合对象，以使第一键合对象与第二键合对象键合在一起。通过移动承载对准装置调节承载基板的位置，以使第一件和对象与第二键合对象精密对准，以提高键合精度和半导体器件的质量。
设备方法

[发明专利]键合头、键合装置和键合方法-CN202211506940.9在审
发明人： 龙俊舟;陶超;王力 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本申请提供一种键合头、键合装置键合方法。键合头包括键合块，键合块的底面包括第一区域和第二区域，第一区域包括键合块的底面的中心区域，第二区域环绕第一区域，第一区域中设置有第一压力施加装置的至少部分，第二区域中设置有吸附第一键合对象的第二压力施加装置的至少部分。在进行贴合时，吸附在键合块的底面上的第一键合对象下表面的拱起的中间区域先于第一键合对象下表面的边缘区域贴合第二键合对象的上表面，且第一压力施加装置从第一工作状态切换至第二工作状态，以使第一键合对象下表面的拱起的中间区域逐渐恢复形变，第一键合对象的下表面和第二键合对象的上表面依次贴合，从而将第一键合对象和所述第二键合对象键合在一起。
键合头装置方法

[发明专利]一种液态源存储设备-CN202011280900.8有效
发明人：李昕;王鹏;龙俊舟 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2020-11-16 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种液态源存储设备，应用于原子层沉积设备中，包括：存储罐体和压力检测装置，压力调节管的一端连接所述存储罐体，另一端连接尾气处理装置，流量阀设置于所述压力调节管上，所述流量阀根据所述气体压强对应的流量调节信息进行流量调节。本技术方案通过使用流量阀对于存储罐体中的气态前驱体材料的压强进行有效控制，使得存储罐体内中的气态前驱体材料的压强保持恒稳状态，进而使进入反应腔室内的单位前驱体材料量保持稳定，保证薄膜在生长制备过程中的厚度均匀相同；进一步的，该种液态源存储设备的设置还能够增大存储罐体内部可用液位的范围，进而减少了前驱体材料的填料次数。
一种液态存储设备

[发明专利]一种二氧化硅薄膜及其低温制备方法-CN202011497333.1有效
发明人：周璐;王鹏;龙俊舟 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种二氧化硅薄膜及其低温制备方法。所述制备方法包括：提供衬底，并将所述衬底置入反应腔室内，向所述反应腔室内通入反应气体，所述反应气体包括硅源和氧源；所述反应腔室的压力为2000mTorr～3000mTorr，所述硅源的通入量为100sccm～1000sccm，所述氧源的通入量为4000sccm～10000sccm，沉积温度为150℃≤t＜250℃，沉积速率为射频频率为150W～1000W，所述二氧化硅薄膜的应力为﹣300MPa～+50MPa。本发明采用低温沉积工艺制备二氧化硅薄膜，低温使得气体反应不完全，使得针孔密度较高引起薄膜分子疏松从而影响薄膜的应力，薄膜应力可调控的范围更广，可以从拉应力调节至压应力，满足三维堆叠制程中对二氧化硅薄膜的不同要求。
一种二氧化硅薄膜及其低温制备方法

[发明专利]一种加热基座以及半导体设备-CN202211339100.8在审
发明人：李江风;龙俊舟;王力 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C23C16/46 文献下载
摘要：本申请提供一种加热基座以及半导体设备，加热基座包括第一承载部和第二承载部；具体的，第一承载部用于承载待加工对象，并用于在对待加工对象进行薄膜沉积处理时，加热待加工对象；第二承载部的至少部分环绕第一承载部设置；其中，第二承载部中设置有冷却装置，以在对待加工对象进行薄膜沉积处理时，对第二承载部进行降温处理，避免制程气体在第二承载部表面进行反应从而在第二承载部的表面形成沉积物，从而降低清理频率，提高加热基座使用寿命，并能够提高半导体设备的利用率。
一种加热基座以及半导体设备

[发明专利]一种键合孔的形成方法-CN201911077589.4有效
发明人：陈红闯;王鹏;龙俊舟;叶国梁 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种键合孔的形成方法，在衬底上依次形成有介质材料的覆盖层以及粘合层，并在覆盖层中形成有连线层，粘合层中形成有贯穿至连线层上的键合孔，采用真空溅射镀膜在键合孔内壁上进行第一铜种子沉积和第二铜种子沉积，进行第二铜种子沉积时较第一铜种子沉积具有更大的偏置电压，然后在键合孔中填充铜，以形成键合垫，这样，改善了键合孔内部的形貌，有利于实现键合孔中材料的充分填充，提高键合垫与连线层的电连接特性，进而提高器件的性能。
一种键合孔形成方法

[发明专利]一种切割方法及键合方法-CN202211204650.9在审
发明人： 龙俊舟;陶超;王力 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本申请公开了一种切割方法及键合方法，该切割方法包括：提供基底，包括相背设置的第一表面和第二表面，形成有若干器件区和相邻器件区之间的间隔区；将第一表面与第一承载件贴合；在第二表面形成保护层；在保护层上形成第一开口，第一开口贯穿间隔区所对应的保护层并暴露第二表面；在第一开口下方的间隔区内形成第二开口，第二开口从第二表面向第一表面延伸至预期深度，第二开口背离第一开口一侧的剩余基底形成黏连部；对第一承载件进行扩张形变处理，黏连部断开且基底分离形成相互分离的多个器件；将多个器件远离第一承载件的一面与第二承载件贴合；去除第一承载件。通过上述方式，可以改善扩膜后传送过程中的器件剥离、移位以及堆叠的情况。
一种切割方法

[发明专利]键合装置及键合方法-CN202210975978.4在审
发明人：王力;龙俊舟;陶超 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种键合装置及键合方法，用于将芯片键合于晶圆上，所述键合装置包括：承载膜，第一面粘结有多个芯片；压着单元，设置于晶圆上方，压着单元包括压着头，压着头用于将承载膜的第一面粘结的芯片向下压向晶圆，以使得芯片键合于晶圆上。本发明的技术方案能够减少对芯片键合面的污染以及芯片传送过程中的掉落，从而提高产品良率。
装置方法

[发明专利]晶圆处理设备及晶圆处理方法-CN202210770269.2在审
发明人：李江风;王力;龙俊舟 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆处理设备及晶圆处理方法。该晶圆处理设备包括：反应腔室、闸门以及感应装置；其中，反应腔室用以放置晶圆以进行处理；闸门设置在反应腔室的侧壁上，以开启或关闭反应腔室；感应装置用以侦测放置在反应腔室内的晶圆是否发生破裂。该晶圆处理设备能够防止破裂的晶圆对晶圆处理设备中的其它腔室，比如其它处理腔室造成污染的问题发生。同时，在反应腔室内的晶圆发生破裂后，只需使反应腔室停机即可，晶圆处理设备中的其它腔室，比如其它处理腔室仍可继续工作，无需使整个晶圆处理设备停机，大大提高了晶圆处理设备的利用率。同时避免了对破碎的晶圆进行无效的后续加工处理，减轻了工作人员的工作负荷。
处理设备方法

[发明专利]吸附装置及吸附方法-CN202210482242.3在审
发明人：王力;龙俊舟;陶超 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本申请公开了一种吸附装置及吸附方法，所述吸附装置包括：吸附平台，用于吸附柔性膜；升降组件，相对于所述吸附平台进行移动，以带动所述柔性膜朝向所述吸附平台运动；压力提供组件，相对于所述吸附平台设置，并向所述柔性膜施加朝向所述吸附平台的压力，以使得所述柔性膜在运动吸附过程中张紧，平坦地被所述吸附平台吸附。通过上述方式，本申请能够降低柔性膜发生褶皱的概率。
吸附装置方法

[实用新型]阀门的故障检测装置-CN202123196409.X有效
发明人：王力;龙俊舟;金锟 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： F16K7/17 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种阀门的故障检测装置，所述阀门的故障检测装置包括：磁铁，设置于阀杆上；电路结构，设置于第一腔体外围的阀座上，所述电路结构包括两条滑轨、触片和电源，两条所述滑轨沿所述阀杆的轴向延伸，两条所述滑轨的同一端分别连接所述电源的正极和负极，所述触片分别与两条所述滑轨滑动连接；在关闭和打开所述阀座中的流通腔的过程中，所述阀杆带动所述磁铁运动，使得所述磁铁吸引所述触片在所述滑轨上运动，以改变所述电路结构中的电阻。本实用新型的技术方案能够快速且准确的检测出发生故障的阀门。
阀门故障检测装置

[实用新型]机械手臂的位置调整装置-CN202123178000.5有效
发明人：王力;龙俊舟;金锟 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种机械手臂的位置调整装置，所述机械手臂的位置调整装置包括：第一承载治具，设置于一机械手臂上，所述第一承载治具上设置有第一传感器发射端和第二传感器发射端；第二承载治具，设置于一目标基座上，所述第二承载治具上设置有第一传感器接收端和第二传感器接收端，所述第一传感器接收端用于接收所述第一传感器发射端发出的信号，以确定所述第一承载治具与所述第二承载治具平行且对准，所述第二传感器接收端用于接收所述第二传感器发射端发出的信号，以测量所述第一承载治具与所述第二承载治具之间的距离。本实用新型的技术方案能够快速且准确的调整机械手臂的位置。
机械手臂位置调整装置

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