专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种路缘石辅助安装搬运装置-CN202211001477.2在审
  • 袁美云;张利;赵林建;刘昊;卜晓君;马金峰;李云;李伟;张翔 - 南通市港闸市政工程有限公司
  • 2022-08-19 - 2022-11-15 - E01C19/52
  • 本申请涉及一种路缘石辅助安装搬运装置,属于路缘石安装领域,其包括车辆本体,车辆本体上设有车架,车架上有搬运安装机构和存放机构,搬运安装机构和存放机构并排在车架上;存放机构包括存放平台、调节组件和控制组件,存放平台转动在车架上,调节组件在车架上并与存放平台相对,控制组件在车架上并与存放平台相连接。本申请在使用时,搬运安装机构将路缘石堆放在存放平台上,调节组件启动并带动控制组件启动,控制组件带动存放平台转动,使得路缘石在自身的重力作用下朝向调节组件移动,调节组件对路缘石进行归整,提高了路缘石在存放平台上的平整度,以便后续将路缘石安装到施工路面上,同时降低了操作人员人工调节而产生危险的可能性。
  • 一种路缘石辅助安装搬运装置
  • [发明专利]一种自动上蜡机及其上蜡方法-CN202211026561.X在审
  • 郑金龙;杨小丽;周铁军;马金峰;凌日林 - 广东先导微电子科技有限公司
  • 2022-08-25 - 2022-11-04 - H01L21/67
  • 本发明涉及半导体磷化铟衬底材料制造技术领域,公开了一种自动上蜡机及其上蜡方法,包括可翻转机械手、可旋转吸附装置、上蜡机械手、滴蜡装置、烘焙仓、贴片平台、存盘架和陶瓷盘自动取放装置;所述可翻转机械手包括第一手臂部及第一抓手部;所述可旋转吸附装置安装于所述第一抓手部上,所述可旋转吸附装置在吸附晶片时能够带动所述晶片绕自身中心轴进行转动;所述陶瓷盘自动取放装置包括导轨和取盘机械手;本发明能够实现晶片的上料、滴蜡、匀蜡、烘烤、贴片、陶瓷盘取放的一体化和自动化,提高生产效率,降低生产成本,避免烫伤工作人员。
  • 一种自动上蜡及其方法
  • [发明专利]一种无蜡抛光工艺方法-CN202210993608.3在审
  • 廖和杰;唐林锋;宋向荣;刘火阳;马金峰;周铁军 - 广东先导微电子科技有限公司
  • 2022-08-18 - 2022-11-04 - B24B29/02
  • 本发明公开了一种无蜡抛光工艺方法,用于晶片抛光,包括以下步骤:S100:选取陶瓷盘,在陶瓷盘上粘贴用于固定晶片的双面拉伸胶;S200:将晶片粘贴于双面拉伸胶上;S300:将晶片压紧于双面拉伸胶上;S400:对晶片进行粗抛;S500:对晶片进行精抛。和现有技术中的有蜡抛光工艺相比,本发明实施例所公开的无蜡抛光工艺无需反复进行上蜡、化蜡等步骤,通过双面拉伸胶即可将晶片固定于陶瓷盘上,而且当抛光完成后,将双面拉伸胶拉扯下来即可,上述无蜡抛光工艺方法的加工步骤简单,不仅能够有效提高晶片的加工效率,还能够保证晶片的加工质量。
  • 一种抛光工艺方法
  • [实用新型]一种晶片的固定工装-CN202221545213.9有效
  • 郑金龙;周铁军;马金峰;杨小丽 - 广东先导微电子科技有限公司
  • 2022-06-17 - 2022-10-21 - H01L21/67
  • 本实用新型涉及半导体材料加工技术领域,公开了一种晶片的固定工装,其包括第一部件和第二部件,第一部件内设有用于容纳晶片的容纳空间,若干晶片能够存放于容纳空间内且均匀卡设于卡槽中,从而让相邻晶片之间具有间隙,不吸附粘连在一起,合理摆放;同时,第二部件上绕其轴线开设有若干用于插接第一部件的插接槽,由此,将插放好晶片的第一部件插入插接槽内,通过第二部件将若干第一部件组合在一起,本实施例通过第一部件和第二部件的组合使用,实现晶片的批量化固定,由此可进行晶片的批量化处理,成倍提升了处理效率,非常适用于大批量生产。
  • 一种晶片固定工装
  • [实用新型]一种晶片线切割装置-CN202123368520.2有效
  • 马金峰 - 广东先导微电子科技有限公司
  • 2021-12-28 - 2022-10-21 - B28D5/04
  • 本实用新型属于半导体技术领域,公开了一种晶片线切割装置,包括用于固定晶棒的固定单元、线切割驱动单元、第一驱动模块,所述线切割驱动单元包括至少两个主轴、用于驱动主轴转动的第二驱动模块、绕设在主轴上的若干切割线,所述主轴上设有与切割线一一匹配的线槽,所述第一驱动模块用于驱动固定单元、线切割驱动单元相互靠近或远离以使切割线切割晶棒,还包括用于向晶棒喷射切削液的第一喷射单元,所述主轴的内部设有中空部,所述中空部内设有向主轴的内壁喷射冷却液的第二喷射单元,所述主轴内设有第一温度传感器。该装置结构简单、控温容易,对于晶片的翘曲度控制更为精确。
  • 一种晶片切割装置
  • [发明专利]一种锑化铟晶片的清洗方法-CN202210808453.1在审
  • 唐林锋;刘火阳;马金峰;周铁军;宋向荣;廖和杰 - 广东先导微电子科技有限公司
  • 2022-07-11 - 2022-10-11 - B08B3/08
  • 一种锑化铟晶片的清洗方法,包括以下步骤:将抛光后的锑化铟单晶晶片在超声条件下采用抛光片在溶液A中进行第一次浸洗;再采用溶液B进行第二次浸洗;然后依次经第一次水漂洗、浓硫酸清洗、第二次水漂洗、溶液C清洗、第三次水漂洗、酸性溶液清洗、第四次水漂洗和烘干,得到清洗后的锑化铟晶片;溶液A包括:醇胺类化合物30~60wt%;氢氧化四甲基胺1~10wt%;耐碱渗透剂0.05~1wt%;余量的水;溶液B包括:表面活性剂1~5wt‰;氢氧化钠5~10wt‰;双氧水3~6wt‰;余量的水;溶液C包括:柠檬酸钠1~5wt‰;氢氧化钾4~12wt%;双氧水0.5~3wt%;余量的水。该清洗方法采用多种特定溶液进行多步清洗,能够有效去除晶片表面残留的杂质、颗粒,获得洁净、低氧化层厚度和粗糙度的表面,满足外延生长的要求。
  • 一种锑化铟晶片清洗方法
  • [发明专利]一种碲锌镉晶片加工方法-CN202210758590.9在审
  • 廖和杰;马金峰;周铁军;宋向荣;唐林峰;刘火阳 - 广东先导微电子科技有限公司
  • 2022-06-30 - 2022-09-23 - B28D5/04
  • 本发明公开了一种碲锌镉晶片加工方法,包括如下步骤:将晶棒切成晶片;将晶片表面腐蚀出单晶区域;将晶片腐蚀出来的单晶区域划出单晶片;将单晶片与对应剩下的多晶片一同采用胶接固定复原并进行抛光。在本方案中,先将晶棒切成晶片,然后将晶片表面腐蚀出单晶区域,再将晶片的单晶区域切割出单晶片,最后将单晶片与其对应剩下的多晶片一同采用胶接固定复原后进行抛光,即将之前切割对应剩下的多晶片采用胶接固定在单晶片的周围复原后进行抛光,以使得在单晶片的边缘粘附多晶陪片,以便于缓解所需晶片边缘抛光受到的剪切力,从而有助于使得抛光出的晶片平整度更好,无明显崩边,有利于缓解碲锌镉晶片在抛光过程中塌边现象,提高了成品率。
  • 一种碲锌镉晶片加工方法
  • [发明专利]一种磷化铟晶片的表面处理方法-CN202210766540.5在审
  • 董晨晨;刘良副;郑金龙;马金峰;周铁军 - 广东先导微电子科技有限公司
  • 2022-07-01 - 2022-09-06 - H01L21/306
  • 本发明提供了一种磷化铟晶片的表面处理方法,包括以下步骤:a)将抛光、化蜡后的磷化铟晶片采用混合药液进行过药处理,得到处理后晶片;所述混合药液由氧化剂溶液、酸溶液和水配制而成;b)将步骤a)得到的处理后晶片依次经冲水、甩干,得到清洗检验前的磷化铟晶片。与现有技术相比,本发明提供的磷化铟晶片的表面处理方法是出现在磷化铟晶片清洗检验前的一个重要工艺,该表面处理方法操作简便、效率高;处理后的晶片表面粗糙度会更好,产品良率更高;并且所使用的混合药液中各成分均为常见无机化学品,成本低;因此本发明提供的磷化铟晶片的表面处理方法具有广阔的应用前景。
  • 一种磷化晶片表面处理方法
  • [发明专利]化学机械抛光后的碲锌镉单晶晶片的清洗工艺-CN202111155907.1有效
  • 宋向荣;廖和杰;马金峰;周铁军;刘火阳;唐林锋 - 广东先导微电子科技有限公司
  • 2021-09-29 - 2022-08-16 - B08B3/08
  • 本申请提供了一种化学机械抛光后的碲锌镉单晶晶片的清洗工艺,包括以下步骤:步骤一,将化学机械抛光后的碲锌镉单晶晶片用溶液A进行浸洗;步骤二,用酸和氧化剂和水的混合物对晶片表面进行清洗;步骤三,用去离子水对晶片表面进行漂洗;步骤四,采用带羟基或羧基的一元或多元酸对晶片进行清洗;步骤五,用去离子水对晶片表面进行漂洗;步骤六,采用强碱溶液和氧化剂的混合液对晶片表面进行清洗;步骤七,用去离子水对晶片表面进行漂洗;步骤八,用无机酸进行清洗;步骤九,用去离子水对晶片表面进行漂洗;步骤十,热氮气烘干后在氮气气氛下进行包装。本公开采用多步清洗的方法去除晶片表面的离子、氧化层,抑制Te单质的形成。
  • 化学机械抛光碲锌镉单晶晶片清洗工艺
  • [实用新型]一种雾化清洗机-CN202123432863.0有效
  • 郑金龙;周铁军;马金峰;吴倩;詹晨晨 - 广东先导微电子科技有限公司
  • 2021-12-30 - 2022-08-16 - B08B3/02
  • 本实用新型公开了一种雾化清洗机,旨在提高晶片的清洗效率,其技术方案:一种雾化清洗机,包括机座,所述机座上设有一清洗筒,所述清洗筒的一端为开放端且其上设有一盖体;所述清洗筒内设有固定模块、药液输出装置,所述固定模块用于固定晶片,所述药液输出装置通过一管道与一供液模块连接将药液扩散输出到清洗筒内,所述固定模块通过一驱动模块驱动围绕着所述药液输出装置公转,属于晶片清洗技术领域。
  • 一种雾化清洗
  • [实用新型]一种晶片清洗机-CN202123434133.4有效
  • 郑金龙;资云玲;周铁军;马金峰 - 广东先导微电子科技有限公司
  • 2021-12-30 - 2022-08-16 - H01L21/67
  • 本实用新型公开了一种晶片清洗机,旨在方便切换不同的清洗液对晶片进行清洗,提高晶片的清洗效率,其技术方案:一种晶片清洗机,包括机架,所述机架上固定有一清洗仓,所述清洗仓内同轴线布置有一置料架,多个晶片以水平姿态沿竖直方向间隔布置在置料架上,所述置料架通过一驱动装置驱动水平转动;所述清洗仓的内壁围绕其轴线周向布置有多个竖直向下延伸的喷液管,所述清洗仓外设有与喷液管一一对应的供液装置,所述喷液管上沿其长度方向间隔布置有多个第一喷嘴,所述供液装置将清洗液输送至喷液管,第一喷嘴将清洗液喷洒至置料架的晶片上,属于半导体生产技术领域。
  • 一种晶片清洗

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