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[发明专利]一种使晶片蚀刻均匀的方法及刻蚀炉机台-CN202010742195.2有效
发明人：王兴林;李彬彬;霍曜;李瑞评;苏贤达;梅晓阳;吴福仁;王振;郑皓允 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2020-07-29 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请提供一种使晶片蚀刻均匀的方法及刻蚀炉机台，涉及半导体衬底技术领域。所述使晶片蚀刻均匀的方法包括：使晶片与用于承载晶片的第一载具的接触为线接触或类线接触；且第一载具与晶片的接触位置至少为三个；将第一载具由第二载具支撑，第二载具对晶片的蚀刻区域进行避让；使反应气体以与晶片蚀刻表面平行的方向向晶片移动并扩散至晶片蚀刻表面。本申请中的使晶片蚀刻均匀的方法通过改变反应气体的流动方向使每个晶片接触到的反应气体的时间和接触面积基本一致，以及通过改变晶片载具的结构，使晶片蚀刻表面接触反应气体的机会均同，从而使蚀刻更加均匀，缩短晶片的蚀刻时间，避免衬底局部过蚀刻的问题，进而提高衬底的品质。
一种晶片蚀刻均匀方法刻蚀机台

[发明专利]提高晶片蚀刻均匀性的方法及装置-CN202010734857.1有效
发明人：苏贤达;李彬彬;霍曜;李瑞评;梅晓阳;王兴林;吴福仁;段学超 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请公开了一种提高晶片蚀刻均匀性的方法，涉及半导体相关技术领域，该方法包括以下步骤：利用晶片固定装置将晶片固定，并至少暴露出晶片的蚀刻面；使晶片绕预设轴线旋转，以使晶片的蚀刻面中每个区域在预定时间段内接触的蚀刻气体的量相同或基本相同。晶片固定装置能暴露出晶片的蚀刻面，减少晶片蚀刻面的被遮挡面积，蚀刻气体易到达晶片的蚀刻面并对其进行蚀刻；且晶片绕预设轴线旋转，晶片均匀地到达蚀刻速率较快的区域及蚀刻速率较慢的区域，在每个旋转周期内接触的蚀刻气体的量相同或基本相同，晶片的蚀刻面能均匀地接触蚀刻气体以保证蚀刻气体均匀地蚀刻晶片。
提高晶片蚀刻均匀方法装置

[发明专利]一种图形衬底及其制作方法以及LED结构及其制作方法-CN202011566245.2有效
发明人：霍曜;苏贤达;李彬彬;李瑞评;彭鹏飞;吴福仁;梅晓阳 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2020-12-25 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供一种图形衬底及其制作方法以及一种LED结构及其制作方法。该图形衬底包括衬底，以及形成在所述衬底表面上的连续的网状图形结构。本发明通过将衬底表面的图形结构的设计为网状，进一步降低了磊晶面占比；同时在衬底上形成网状图形结构，增加了反光面，提高器件的出光效率。本发明提供的图形衬底能够有效提高内量子效率，提高光的提取率，使用该图形衬底的LED结构，能够有效提升LED的发光效率。
一种图形衬底及其制作方法以及 led 结构

[发明专利]一种图形衬底及其制作方法-CN202210944789.0在审
发明人：霍曜;李彬彬;李瑞评 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2022-08-08 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供一种图形衬底及其制作方法，图形衬底包括衬底以及周期性排布在衬底上方的若干图形结构，图形结构包括侧壁结构，以及侧壁结构围成的空心结构；且侧壁结构的底部由单晶结构的材料制成，顶部由非晶结构的材料制成。中空结构的图形结构能够有效降低图形衬底的折射率，使图形衬底的折射率接近为1，增强全反射效果，提高光提取效率；在外延磊晶过程中，中空结构的图形结构能够适当形变从而缓冲应力，得到低应力的衬底，增强内量子效率。由于图形结构底部的晶格结构与衬底的晶格结构相同，因此能够适当缓冲图形结构与衬底之间的晶格失配，同时不改变外延磊晶的生长方向，降低穿透型位错密度，得到高结晶质量的衬底，增强内量子效率。
一种图形衬底及其制作方法

[发明专利]偏振元件、发光二极管以及发光装置-CN202210801135.2在审
发明人：霍曜;李彬彬;吴福仁;乔新宇;李瑞评 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：一种偏振元件、发光二极管以及发光装置，本申请提出一种偏振元件，包括透明基板、若干条金属线和周期性阵列结构，所述若干条金属线以预设间距平行布置在所述透明基板的安装面上；每条所述金属线沿与安装面平行的方向延伸预定长度；周期性阵列结构，包括凸起或凹坑，所述周期性阵列结构设置在所述透明基板上。本申请提供的偏振元件可让Te光（TE，Transverse Electric：横向电场，TE偏振光是在y方向具有电场的振动成分的光）转化为Tm光（Transverse Magnetic：横向磁场，TM偏振光是在x方向具有电场的振动成分的光），并反射通过偏振元件，提升出光强度，进而提升偏振元件的出光效率。
偏振元件发光二极管以及发光装置

[发明专利]一种图形衬底及其制作方法-CN202210885253.6在审
发明人：李彬彬;吴福仁;霍曜;李瑞评 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供一种图形衬底及其制作方法，图形衬底包括衬底以及周期性排布在衬底上方的若干图形结构，由图形结构的底部至顶部，图形结构的折射率逐渐减小，且图形结构的最大折射率小于等于衬底的折射率。相比于现有技术中常用的折射率单一且固定的图形衬底，本发明提供的图形衬底涵盖满足全反射的入射光角度更广，能够达到更多的光线满足出射条件，从而有效提高LED芯片的光提取效率。
一种图形衬底及其制作方法

[发明专利]一种复合图形衬底及其制作方法-CN202210885255.5在审
发明人：吴福仁;李彬彬;霍曜;李瑞评;苏贤达 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供一种复合图形衬底及其制作方法，复合图形衬底包括衬底以及周期性排布在衬底上方的若干图形结构，图形结构至少包括第一部分以及形成在第一部分上方的第二部分，第一部的侧壁具有多条第一侧棱，使得相邻图形结构间暴露出的磊晶面占衬底表面的比例较小，有助于提高光提取率；第二部分的侧壁为弧形侧壁，使得光线在第二部分的侧壁表面反射时，能够沿各个方向进行反射，从而使得出射光更加均匀。本发明提供的复合图形衬底的制作方法，通过控制相邻图形结构之间的间距，利用相邻图形结构之间的作用力获得具有侧棱的第一部分，制作简单，能够有效节约成本，提高制作效率。
一种复合图形衬底及其制作方法

[发明专利]一种图形化衬底及其制备方法-CN202210811145.4在审
发明人：霍曜;李彬彬;吴福仁;李瑞评 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本申请公开了一种图形化衬底及其制备方法，图形化衬底包括：衬底，衬底具有相对的第一面侧和第二面侧；若干个台状的凸起结构，凸起结构形成在衬底的第一面侧，凸起结构包括由不同材料形成的第一部分和第二部分，并且第二部分位于第一部分的上方，凸起结构顶表面的粗糙度介于0.2nm~200nm，凸起结构的顶面直径与凸起结构的高度之比为1:50~10:1。凸起结构的第二部分的材料为透明非晶材料，不易于外延层的形核；顶部平台结构使外延层的生长模式为变为横向生长，顶部区域的外延层穿透型位错密度更低，可得到更高质量的外延层；顶部平台的粗糙结构使更多的光线反射回外延层，减少因进入衬底造成的吸收与损失，从而增加图形化衬底对光的反射率。
一种图形衬底及其制备方法

[发明专利]发光二极管的图形化衬底、发光二极管及其制备方法-CN202110317828.X有效
发明人：李彬彬;彭鹏飞;霍曜;李瑞评;乔新宇;梅晓阳 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种发光二极管的图形化衬底、发光二极管及其制备方法，其中，该图形化衬底包括：衬底和微纳复合图形结构。微纳复合图形结构形成于所述衬底的一侧表面；所述微纳复合图形结构包括主图形和表面微结构；所述主图形为凸部结构且包含不平行于所述衬底且背对所述衬底的侧面，所述表面微结构位于所述主图形的所述侧面，所述表面微结构包括垂直于所述主图形的所述侧面且背对所述衬底的所述侧表面的侧面。通过上述方案能够提高衬底的出光率，从而提高LED的亮度。
发光二极管图形衬底及其制备方法

[发明专利]一种图形化衬底、发光二极管及其制作方法-CN202110159164.9有效
发明人：李瑞评;李彬彬;彭鹏飞;霍曜;吴福仁;梅晓阳 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2021-02-05 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种图形化衬底、发光二极管及其制作方法，所述图形化衬底加工方法包括以下步骤：通过纳米模具压印或翻印在衬底表面形成凸部结构，对衬底表面的凸部结构进行退火处理，通过控制退火工艺的参数在凸部结构内部产生分布均匀的孔隙，得到内部具有高孔隙率的图形化衬底。本发明公开的图形化衬底、发光二极管及其制作方法简单经济，且制得的图形化衬底和发光二极管能够显著提高光提取效率，从而提高LED亮度。
一种图形衬底发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种等离子体蚀刻方法及系统-CN202210268674.4在审
发明人：梅晓阳;李彬彬;霍曜;李瑞评;刘聪毅;林明顺 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2022-03-18 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件加工技术领域，提供了一种等离子体蚀刻方法及系统，在蚀刻过程中，实时监测蚀刻腔体中光谱的变化，并且根据该光谱变化识别不同的蚀刻阶段，根据识别结果，在当前蚀刻阶段完成时自动切换至下一蚀刻阶段，由此可以灵活控制蚀刻时间并根据蚀刻阶段调整相关参数，实现蚀刻过程的精确控制。本发明的上述方法能够提高蚀刻产出的产品一致性。产品的反射率、及收敛性明显改善，并且衬底的靶心命中率也明显提升。等离子体蚀刻装置将光谱检测装置与等离子体蚀刻装置结合，通过终端实现二者的通信连接，操作简单，无额外的装置成本，易于实现。
一种等离子体蚀刻方法系统

[实用新型]用于蓝宝石衬底的图形化结构及图形化衬底-CN202122429581.9有效
发明人：霍曜;李彬彬;吴福仁;李瑞评 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于蓝宝石衬底的图形化结构及图形化衬底，包括：底面，多个第一晶面、第二晶面、第三晶面、第四晶面、第五晶面以及第六晶面；各第一晶面与底面之间有第一夹角，多个第一晶面周向阵列排布；各第二晶面与底面之间有第二夹角，各第二晶面位于两个第一晶面之间；各第三晶面与底面之间有第三夹角，第三晶面的相邻两个侧边分别与第一晶面和第二晶面的侧边连接；各第四晶面与底面之间有第四夹角，第四晶面的相邻两个侧边与第二晶面和第三晶面的侧边连接；第五晶面与底面之间有第五夹角，各第五晶面的侧边与第三晶面的侧边连接；第六晶面与底面之间有第六夹角，第六晶面的侧边与第三晶面的侧边连接，多个第六晶面的顶端汇聚成一点。
用于蓝宝石衬底图形结构

[实用新型]改善干法蚀刻均匀性的气体分散装置、反应腔室及蚀刻机-CN202122086729.3有效
发明人：李瑞评;乔新宇;李彬彬;霍曜 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2021-08-31 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型提供一种改善干法蚀刻均匀性的气体分散装置、反应腔室及蚀刻机，所述气体分散装置包括：分散板本体，所述分散板本体上具有多个气孔；多个盖板，所述多个盖板分别盖封在所述多个气孔的进气口或出气口位置处；旋转驱动部件，其固定在所述分散板本体上，且所述旋转驱动部件的输出轴与所述盖板固定连接，所述旋转驱动部件用于驱动所述盖板旋转运动以开启或关闭所述气孔。该气体分散装置可在不开启反应腔室的前提下保证腔室内的蚀刻气体的均匀性，从而确保晶片的加工质量以及提高了加工效率。
改善蚀刻均匀气体分散装置反应

[实用新型]一种等离子体刻蚀机的腔体-CN202121966773.7有效
发明人：吴福仁;霍曜;李彬彬;李瑞评 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种等离子体刻蚀机的腔体，包括分子泵、进气口、抽气口、匀气盘、载盘，所述进气口位于腔体顶部，所述抽气口位于腔体侧壁处，所述分子泵位于抽气口处，所述匀气盘上开有多个通气孔，所述通气孔为内外两圈呈环形分布，所述通气孔的开口位置、孔径大小、开口方向、开口角度或间距可调整，以使通过所述进气口导入所述腔体的反应气体均匀分流后导出腔体，从而达到提高整盘晶片刻蚀的速率，提高等离子体刻蚀均匀性的效果。
一种等离子体刻蚀

[发明专利]外延用衬底及其制造方法以及半导体器件及其制造方法-CN202010601306.8在审
发明人：李瑞评;曾柏翔;张佳浩;陈铭欣;李彬彬;霍曜 -专利权人：福建晶安光电有限公司
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种外延用衬底及其制造方法以及半导体器件及其制造方法。本发明的方法中，沿多条扫描线对研磨抛光之后的衬底的改质区域进行激光扫描，在衬底内部形成多个改质点，该改质点可以是多晶和/或空洞。衬底的改质区域为距离衬底中心一定距离的外围区域，并且上述各条扫描线均是间断的，从而在衬底内部形成连续或者间断分布的改质点。上述改质点形成在衬底厚度的2％～98％的厚度范围内。通过形成上述改质点，调整衬底内部的应力状况，从而均匀整个衬底的应力分布，使得衬底面型收敛为同心圆型，该衬底有利于降低外延层波长的离散性，即使得外延层的波长更加收敛。外延层波长的收敛性提高直接影响后续器件的良率，使得器件良率大大提升。
外延衬底及其制造方法以及半导体器件

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