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- [发明专利]高纯碳化硅源粉制备方法-CN202111067621.8在审
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王亚哲;皮孝东;徐所成;姚秋鹏;陈鹏磊
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浙江大学杭州国际科创中心
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2021-09-13
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2021-11-30
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C01B32/984
- 本申请公开了一种高纯碳化硅源粉制备方法,包括:高纯碳粉提纯步骤:在抽真空环境下,将高纯碳粉在石墨坩埚中进行高温煅烧,煅烧完成后,停止加热,通入保护气体进行降温,得到提纯后的碳粉;高纯硅熔融步骤:将高纯硅放置在含有保护气体氛围的石英坩埚内部进行高温熔化,得到熔硅;混合步骤:将提纯后的碳粉加入到熔硅中,控制石英坩埚以设定转速转动设定时间,然后通入保护气体进行降温,得到碳硅固熔体;粉碎步骤:对碳硅固熔体进行碎块,得到高纯碳化硅源粉。本申请能够将碳粉和硅均匀混合并且降低氮的摄入,且本方法中对于加热的温场精度要求不高,加热区域的尺寸可以做得比较大,一次混料的量可以达到相当的规模,非常适用大规模生产。
- 高纯碳化硅制备方法
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