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[发明专利]优化光电二极管光谱响应特性的方法及光电二极管-CN202310848641.1在审
发明人：王晓东;崔慧源;马维一;陈雨璐;董祚汝;汪泽文;陶佳佳;郭小庆;向梓豪 -专利权人：上海微波技术研究所（中国电子科技集团公司第五十研究所）
申请日： 2023-07-11 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明提供了一种优化光电二极管光谱响应特性的方法及光电二极管，首先通过数值模拟及数据拟合得到光电二极管光谱响应优值因子随工作温度变化的曲线，进而根据所述曲线提取出最优光谱响应特性对应的工作温度，并按照该温度对光电二极管的工作温度进行设置，则光电二极管的光谱响应特性将具有最优值。本发明的优点在于，可以针对不同材料组份及不同工艺条件得到的光电二极管提取出最优光谱响应特性对应的工作温度，据此通过温控接口对工作温度进行设置的光电二极管可以平衡光谱响应峰值电流和光谱响应抑制比，由此获得最优的光谱响应特性，从而避免为了优化器件光谱响应特性进行反复测试，极大地缩短了研发周期并降低了研发成本。
优化光电二极管光谱响应特性方法

[发明专利]垂直台面型锗掺镓太赫兹焦平面探测器及其制备方法-CN202310432414.0在审
发明人：吴翼飞;董祚汝;刘文辉;陈雨璐;杨绪起;王兵兵;陈栋;王晓东 -专利权人：上海微波技术研究所（中国电子科技集团公司第五十研究所）
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供了一种垂直台面型锗掺镓太赫兹焦平面探测器及其制备方法，包括：高导锗衬底，所述高导锗衬底的一面依次层叠设置有锗掺镓吸收层、正电极接触区以及氮化硅钝化层，所述氮化硅钝化层通过开孔形成有正电极孔；所述高导锗衬底的另一面设置有负电极接触区。本发明采用高导锗衬底外延锗掺镓吸收层，解决平面型探测器中离子注入形成吸收层厚度受限的问题，便于调控吸收层的掺杂浓度和厚度，提高吸收层对长波红外辐射的吸收效率及器件响应率；采用垂直台面型光电导结构设计，避免了本征层的生长，降低了工艺难度，同时较厚的吸收层也提升了器件的吸收能力，有利于大阵列焦平面器件制备，可以有效降低像元间串扰，从而减弱器件的噪声。
垂直台面型锗掺镓太赫兹平面探测器及其制备方法

[发明专利]集成多晶硅超表面的砷化镓基太赫兹探测器及制作方法-CN202210387745.2有效
发明人：王兵兵;陈雨璐;崔慧源;周宏;吴翼飞;刘文辉;王洋刚;董祚汝;陈栋;童武林;秦世宏;周扬州;徐方俊鹏;杨绪起;戴小宛;汪泽文;张传胜;王晓东;曹俊诚 -专利权人：上海微波技术研究所（中国电子科技集团公司第五十研究所）
申请日： 2022-04-14 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成多晶硅超表面的砷化镓基太赫兹探测器及制作方法，制作方法包括：在高导砷化镓衬底上，通过液相外延、分子束外延、离子注入、化学气相沉积、快速热退火、光刻、感应耦合等离子体刻蚀、电子束蒸发等工艺制作正、负电极和多晶硅超表面结构，完成器件封装。本发明采用液相外延法生长砷化镓掺硫吸收层，以及集成多晶硅超表面结构，可解决高导砷化镓衬底无法外延生长高质量大厚度吸收层的问题，在保证晶体质量的前提下，达到对太赫兹辐射信号完全吸收的目的，提高了吸收效率及探测响应率。快速热退火过程中采用多晶硅膜包覆法，避免了高温过程中砷元素的析出以及砷化镓晶体分解，提高了探测器的稳定性和工艺制备的成品率。
集成多晶表面砷化镓基太赫兹探测器制作方法

[发明专利]石墨烯锗硅量子点集成的复合结构探测器及其制备方法-CN202111416252.9有效
发明人：董祚汝;陈雨璐;王兵兵;王晓东 -专利权人：上海微波技术研究所（中国电子科技集团公司第五十研究所）
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供了一种石墨烯锗硅量子点集成的复合结构探测器及其制备方法，包括图案化Si衬底、Si缓冲层、多层GeSi量子点层和Si间隔层、单层石墨烯薄膜、SiNX钝化层、顶电极以及底电极，其中：所述Si缓冲层沉积在图案化Si衬底上；单层石墨烯薄膜、多层GeSi量子点层和Si间隔层组成吸收层；吸收层侧边和图案化Si衬底上表面包裹SiNX钝化层；所述单层石墨烯薄膜上设置顶电极；图案化Si衬底上表面设置底电极。本发明有利于得到高吸收系数的GeSi量子点层，增加GeSi量子点对入射光的吸收，提高红外探测器的光电转换效率和响应，并缩短其响应时间。
石墨烯锗硅量子集成复合结构探测器及其制备方法

[发明专利]远红外阻挡杂质带探测器吸收层厚度的优化方法及装置-CN201910305451.9有效
发明人：王晓东;陈雨璐;王兵兵;张传胜;童武林;胡永山;张皓星;俞旭辉 -专利权人：上海微波技术研究所（中国电子科技集团公司第五十研究所）
申请日： 2019-04-16 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供一种远红外阻挡杂质带探测器吸收层厚度的优化方法及装置，包括如下步骤：获取阻挡杂质带探测器的物理模型的参数，构建阻挡杂质带探测器的数值模型；根据所述数值模型获取阻挡杂质带探测器的响应率R随入射波长λ变化的曲线；改变数值模型中的吸收层的厚度得到对应的光谱响应率曲线，获取光谱响应率曲线的峰值波长λP；获取拟合正电极偏压UF下峰值响应率RP随吸收层厚度TAbs变化的曲线的函数式；获取拟合阻挡杂质带探测器生产成本Cm随吸收层厚度TAbs变化的曲线的函数式；根据获取的函数式获取最佳吸收层厚度。本发明具有如下优势：通过数值模拟及数据拟合得到探测器的性价比因子关于不同吸收层厚度的函数式，根据所述函数式提取出最佳吸收层厚度。
红外阻挡杂质探测器吸收厚度优化方法装置

[发明专利]一种优化氮化镓雪崩探测器n型层厚度的方法-CN202010426031.9有效
发明人：王晓东;陈雨璐;王兵兵;张传胜;童武林;胡永山;张晧星;张伟;陈栋 -专利权人：上海微波技术研究所（中国电子科技集团公司第五十研究所）
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G06F17/12 文献下载
摘要：本发明提供一种优化氮化镓雪崩探测器n型层厚度的方法，包括如下步骤：获取氮化镓雪崩探测器物理模型的参数，构建其数值模型；根据数值模型获取固定p电极偏压UF下的光谱响应率RS随入射波长λ变化的曲线；获得不同n型层厚度hn所对应的光谱响应率曲线；分别获取固定窗口区波长λ1与固定短波区波长λ2对应的光谱响应率RS随n型层厚度hn变化的曲线；获取拟合固定p电极偏压UF下的光谱抑制比Rr随n型层厚度hn变化的曲线的函数式；获取拟合探测器缺陷密度Dd随n型层厚度hn变化的曲线的函数式；根据所得函数式比值获取最佳n型层厚度。本发明优点在于对于不同结构和不同工艺的氮化镓雪崩探测器均可提取出最佳n型层厚度。
一种优化氮化雪崩探测器厚度方法

[发明专利]优化BIB探测器响应率的方法及BIB探测器-CN201911357959.X有效
发明人：王晓东;陈雨璐;王兵兵;张传胜;童武林;胡永山;张皓星;刘文辉;陈栋 -专利权人：上海微波技术研究所（中国电子科技集团公司第五十研究所）
申请日： 2019-12-25 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： G06F30/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种优化BIB探测器响应率的方法及BIB探测器，首先通过数值模拟及数据拟合得到探测器最佳工作温度关于不同工作偏压的函数式，进而根据该函数式及设置的工作偏压提取出相应的最佳工作温度，该工作温度在设置的工作偏压下能使制作的BIB探测器的响应率达到最优。本发明能够针对不同材料体系及不同工艺条件得到的BIB探测器提取出最佳工作温度与工作偏压的关系，由此得到工作偏压及相应最佳工作温度在内的最佳工作条件，根据最佳工作条件对探测器的工作偏压及工作温度进行设置，则探测器的响应率将具有最优值，从而避免为了优化响应率而对探测器的工作条件进行反复设置，极大地缩短了探测器的调试周期并提高了调试的准确度。
优化 bib 探测器响应方法

[发明专利]共掺杂阻挡杂质带探测系统及方法-CN202011605117.4有效
发明人：崔慧源;王兵兵;陈雨璐;王晓东;刘文辉;童武林;陈栋;秦世宏;吴翼飞;王洋刚;王添雄 -专利权人：上海微波技术研究所（中国电子科技集团公司第五十研究所）
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种共掺杂阻挡杂质带探测系统及方法，包括：步骤S1:在高阻硅衬底的单侧表面，注入As离子或者P离子，采用炉管进行退火；步骤S2:在离子注入后表面继续外延生长As、P元素共掺杂的吸收层；步骤S3:在吸收层上继续通过金属有机化学气相沉积工艺外延生长高阻硅作为阻挡层；步骤S4:在阻挡层上，形成局部的正电极接触区；在阻挡层、正电极接触区以及一定深度的吸收层内，形成台面结构。步骤S5：在所述台面表面、侧壁及其底部，沉积二氧化硅钝化层；步骤S6：在二氧化硅钝化层上，开正负电极孔；步骤S7：在正、负电极孔内，形成欧姆接触良好的正电极、负电极。本发明能够提升有效入射率，提升探测灵敏度。
掺杂阻挡杂质探测系统方法

[实用新型]一种水产加工用的烘干装置-CN202220979951.8有效
发明人：李红燕;陈安东;陈雨璐 -专利权人：舟山市鸿兆水产有限公司
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： F26B11/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种水产加工用的烘干装置，属于水产加工技术领域，所述一种水产加工用的烘干装置包括烘干箱，烘干箱上设有烘干组件，烘干箱内设有旋转放置机构，旋转放置机构包括放置组件和旋转组件，旋转组件包括电机和转杆，电机安装于烘干箱底部，电机的输出轴与转动设置于烘干箱内部的转轴相连接，转轴外侧安装有第一齿轮，转杆关于转轴对称转动设置于烘干箱内部，转杆上安装有与第一齿轮相啮合的第二齿轮，转轴上活动设有第一套环，转杆上活动设有第二套环，第一套环和第二套环之间连接有连杆，转杆与放置组件相连接，具有倾斜放置便沥水、均匀旋转烘干、有效防尘防堵和提高工作效率的优点。
一种水产工用烘干装置

[发明专利]优化远红外阻挡杂质带探测器综合带宽的方法及系统-CN202110240127.0有效
发明人：王晓东;陈雨璐;马维一;崔汇源;王兵兵;张传胜;刘文辉;童武林;胡永山 -专利权人：上海微波技术研究所（中国电子科技集团公司第五十研究所）
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明提供了一种优化远红外阻挡杂质带探测器综合带宽的方法及系统，包括：通过数值模拟及数据拟合得到阻挡杂质带探测器综合带宽优值因子随吸收层厚度变化的曲线；根据所述曲线提取出最优综合带宽对应的吸收层厚度，所述吸收层厚度用于制作阻挡杂质带探测器。本发明可以针对不同材料体系及不同工艺条件得到的阻挡杂质带探测器提取出最优综合带宽对应的吸收层厚度，由此设计并制作的阻挡杂质带探测器可以通过平衡响应带宽和传输带宽获得最优的综合带宽，从而避免为了优化器件综合带宽进行反复试片，极大地缩短了研发周期并降低了研发成本。
优化红外阻挡杂质探测器综合带宽方法系统

[发明专利]优化阻挡杂质带探测器噪声的方法、系统及介质-CN202010215108.8有效
发明人：王晓东;陈雨璐;王兵兵;张传胜;童武林;胡永山;于春蕾;张皓星;刘文辉 -专利权人：上海微波技术研究所（中国电子科技集团公司第五十研究所）
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种优化阻挡杂质带探测器噪声的方法、系统及介质，首先通过数值模拟及数据拟合得到在特定工作偏压及特定工作温度下，探测器噪声频谱密度关于不同阻挡层厚度的函数式，根据该函数式及设计的噪声频谱密度提取出相应的定制阻挡层厚度，按照该阻挡层厚度进行制作的探测器可使噪声频谱密度满足设计要求。该方法的优点在于，可以针对不同材料体系及不同工艺条件得到的阻挡杂质带探测器提取出噪声频谱密度与阻挡层厚度的关系，得到在特定工作偏压及特定工作温度下的定制阻挡层厚度，由此设计并制作的探测器噪声频谱密度将满足设计要求，避免为了优化探测器噪声设计而进行反复试片，极大地缩短了探测器的研发周期并降低了研发成本。
优化阻挡杂质探测器噪声方法系统介质

[发明专利]集成亚波长金属光栅硅基阻挡杂质带探测器及制备方法-CN202010404348.2有效
发明人： 陈雨璐;童武林;王兵兵;王晓东;刘文辉;陈栋 -专利权人：上海微波技术研究所（中国电子科技集团公司第五十研究所）
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成亚波长金属光栅硅基阻挡杂质带探测器及制备方法，包括：负电极部件、衬底部件、吸收层部件、阻挡层部件、金属光栅部件以及正电极部件；所述正电极部件设置于阻挡层部件上方；所述吸收层部件设置于正电极部件下方；所述负电极部件设置于衬底部件下侧；所述金属光栅部件设置于阻挡层部件上方；所述正电极部件包括：正电极接触区构件；所述正电极接触区构件设置于正电极部件的下部。本发明基于亚波长金属光栅的等离激元共振效应，利用金属等离激元的近场局域特性，当降低吸收层的厚度时，保持器件吸收层的有效吸收效率。
集成波长金属光栅阻挡杂质探测器制备方法

[实用新型]一种有轨电车障碍物检测装置触发模拟装置-CN202122071381.0有效
发明人：李庆宇;陈芳燕;陈雨璐 -专利权人：嘉兴南洋职业技术学院
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： G09B25/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种有轨电车障碍物检测装置触发模拟装置，涉及有轨电车技术领域，包括工作台，所述工作台的上端设置有车轨，所述车轨的上端设置有模拟电车。本实用新型通过设置调节机构、安装板与伸缩弹簧，将模拟电车放置车轨上，当模拟电车启动后，沿车轨开始运动，同时需要触发的障碍物安装至安装板上，利用旋转电机带动连接杆转动，使得障碍物位于车轨上方，障碍物检测装置检测到障碍物后，可以及时完成制动，使得模拟电车停下，若模拟电车撞击障碍物，利用伸缩弹簧的弹性，缓冲撞击力，避免模拟装置受到损坏，方便再次模拟使用，且在模拟电车运动过程中，利用驱动电机可以带动障碍物进行移动，增加模拟条件，提高了模拟装置的实用性。
一种有轨电车障碍物检测装置触发模拟

[发明专利]集成超结构砷化镓基阻挡杂质带探测器及制备方法-CN202011587131.6在审
发明人：童武林;陈雨璐;王兵兵;王晓东;刘文辉;陈栋;王添雄;崔慧源;吴翼飞;秦世宏;王洋刚 -专利权人：上海微波技术研究所（中国电子科技集团公司第五十研究所）
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： G01V8/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种集成超结构砷化镓基阻挡杂质带探测器及制备方法，包括高阻砷化镓衬底、砷化镓掺杂吸收层、高阻砷化镓阻挡层、超结构、正电极接触区及正电极、负电极接触区及负电极；砷化镓掺杂吸收层位于阻挡层旁边，正电极接触区及正电极、负电极接触区及负电极设置在砷化镓掺杂吸收层左右两侧；超结构位于砷化镓掺杂吸收层上方。本发明基于超结构的偶极子共振效应，利用光场的局域增强特性，在吸收层较薄的情况下增强对入射太赫兹波的吸收，提高吸收转换效率，进而提升探测器光电响应的信噪比。基于超结构的偶极子共振特性，改变超结构的结构参数来调控共振波长，实现探测器250μm以上太赫兹波段的增强吸收，获得高性能的太赫兹探测器。
集成结构砷化镓基阻挡杂质探测器制备方法

[发明专利]倒梯形槽面结构的阻挡杂质带探测器及其制备方法-CN202011181384.3在审
发明人：王兵兵;张传胜;陈雨璐;刘文辉;童武林;陈栋;张皓星;张伟;王晓东;曹俊诚 -专利权人：上海微波技术研究所（中国电子科技集团公司第五十研究所）
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明提供了一种倒梯形槽面结构的阻挡杂质带探测器及其制备方法，包括高纯砷化镓衬底和依次设置在高纯砷化镓衬底上的公共负电极接触层、砷化镓掺硫吸收层、本征砷化镓阻挡层、氮化硅钝化层，以及正电极接触层、正电极、负电极；本征砷化镓阻挡层上设置有容纳正电极接触层的正电极凹槽；本征砷化镓阻挡层、砷化镓掺硫吸收层上开设有倒梯形负电极凹槽，氮化硅钝化层分布在本征砷化镓阻挡层表面以及倒梯形负电极凹槽的侧面；正电极、负电极分别设置在正电极接触层的、倒梯形负电极凹槽表面，负电极通过倒梯形负电极凹槽的底面与公共负电极接触层连接。本发明能够在正照和背照模式下工作，采用倒梯形负电极凹槽，有利于提高电学连接的可靠性。
梯形结构阻挡杂质探测器及其制备方法

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