“陈燕宁”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果208个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]镁合金表面微弧氧化膜-ZIF-8-GO/LDHs膜的制备方法-CN202110624044.1有效
发明人：吴量;陈燕宁;姚文辉;吴嘉豪;陈勇花;潘复生 -专利权人：重庆大学
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： C25D11/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种镁合金表面微弧氧化膜‑ZIF‑8‑GO/LDHs复合膜的制备方法，该方法无需引入外来的金属阳离子，在纯的氧化石墨烯溶液中可形成GO/LDHs的复合膜层，并利金属有机框架ZIF‑8修饰GO/LDHs涂层的表面，形成即为致密的ZIF‑8‑GO/LDHs复合膜。而且添加了GO促使LDHs向任意方向生长，呈现出褶皱的边缘，ZIF‑8的原位生长填充了GO/LDHs本身存在的间隙，极大地提高了涂层的曲折度和致密性。通过原位生长的方式制备出来的具有有效封闭微弧氧化膜孔洞的ZIF‑8‑GO/LDHs防护膜，提高了防护膜层厚度，原位生长的方法得到的薄膜既耐蚀膜，又均匀致密，提高了耐腐蚀性。所以本发明的制备方法所用试剂简单，容易获得，对环境也没有污染，整体工艺简单且绿色环保。
镁合金表面氧化 zif go ldhs 制备方法

[实用新型]用于芯片在非工作状态下可靠性测试的装载用具-CN202221014267.2有效
发明人：赵东艳;王于波;张肖;陈燕宁;钟明琛;单书珊;鹿祥宾 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种用于芯片在非工作状态下可靠性测试的装载用具，属于电子元器件测试领域。所述装载用具包括基板，所述基板上开设有多个流通孔，所述流通孔均匀分布在所述基板上，所述流通孔用于流通空气；所述基板的其中三条侧边上设置有板边，三条侧边上的板边围合形成门字形，所述板边的外边沿与所述基板的外边沿齐平。该基板上开设多个流通孔，便于测试箱内部气体与放置在基板上的芯片充分接触，门字形板边能够在移动过程中防止芯片从侧边滑落；门字形板边的开口侧便于倒出芯片。
用于芯片工作状态可靠性测试装载用具

[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体的制备方法和器件-CN202210698562.2有效
发明人：赵东艳;王于波;吴波;陈燕宁;刘芳;邓永锋;王凯;余山;付振;郁文;刘倩倩;王帅鹏 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本公开涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种横向扩散金属氧化物半导体的制备方法和器件，该方法包括：提供一衬底，在衬底上形成第一衬垫层和第二衬垫层；以图形化的光罩的正光刻胶作为掩膜，刻蚀第一衬垫层和第二衬垫层以形成场氧的开口；对衬底进行热氧化处理，以在开口内形成场氧；去除第二衬垫层；使用相同图形化的光罩的负光刻胶作为掩膜，刻蚀去除第一衬垫层；对衬底再次进行热氧化处理，形成牺牲氧化层；使用相同图形化的光罩的负光刻胶作为掩膜，刻蚀去除牺牲氧化层。本公开解决了现有LDMOS制造工艺中，在相关步骤会消耗场氧而造成场氧上表面的厚度减少进而导致击穿电压降低的技术问题，提高了LDMOS器件的击穿电压。
横向扩散金属氧化物半导体制备方法器件

[实用新型]一种芯片测试探头定位系统-CN202221900073.2有效
发明人：赵东艳;王于波;陈燕宁;钟明琛;单书珊;符荣杰;胡哲 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-07-22 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本公开涉及芯片测试技术领域，具体涉及一种芯片测试探头定位系统。所述芯片测试探头定位系统包括：控制组件、三轴定位组件、测试探头与视觉组件；其中，所述测试探头、视觉组件安装在所述三轴定位组件上；所述三轴定位组件、测试探头分别与所述控制组件电连接。上述技术方案是在三轴定位组件上安装测试探头和视觉组件，三轴定位组件方便操作者在测试时实现测试探头的精准定位，视觉组件方便操作者对测试探头和芯片管脚的对位情况做进一步确认。解决了现有技术中操作者仅仅以肉眼识别方式将测试探头和芯片管脚对位，误差较大，且测试效率低的问题。
一种芯片测试探头定位系统

[发明专利]用作镁离子电池正极材料的硫化亚铜的制备方法-CN202110825476.9有效
发明人：吴量;钟志永;陈燕宁;吴嘉豪;陈勇花;姚文辉;黄光胜;潘复生 -专利权人：重庆大学
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01M4/58 文献下载
摘要：本发明属于电池技术领域，具体涉及一种用作镁离子电池正极材料的硫化亚铜的制备方法，其以三水合硝酸铜和聚乙烯吡咯烷酮为原料合成氧化亚铜，随后与硫脲在少量氧气存在下进行反应。本发明的硫化亚铜用作镁离子电池正极材料，电池循环性能优异，电池比容量高。
用作离子电池正极材料硫化制备方法

[发明专利]碳化硅LDMOSFET器件制造方法及碳化硅LDMOSFET器件-CN202210652972.3有效
发明人：余山;赵东艳;王于波;陈燕宁;付振;刘芳;王凯;吴波;邓永峰;刘倩倩;郁文 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L29/16 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，提供一种碳化硅LDMOSFET器件制造方法及碳化硅LDMOSFET器件。所述方法包括：在P型碳化硅衬底上形成碳化硅外延层，在碳化硅外延层上粘接P型硅层；对P型硅层进行刻蚀处理，形成两个延伸至碳化硅外延层的沟槽；分别沿两个沟槽的底部对碳化硅外延层进行离子掺杂形成沟道区；离子掺杂形成N型漂移区，填充沟槽形成P型体区；对填充沟槽进行刻蚀，形成场板隔离介质层；在刻蚀后的填充沟槽内填充多晶硅形成多晶硅栅极；在P型体区和N型漂移区形成源漏区。本发明采用碳化硅衬底，利用碳化硅的高击穿特性，提高器件的击穿电压；通过沟道区将两个多晶硅栅极串联形成组合栅结构，降低器件的导通电阻。
碳化硅 ldmosfet 器件制造方法

[发明专利]一种电能表及测量电流的方法-CN202210880438.8在审
发明人：王于波;赵东艳;陈燕宁;程晓峰;付振;王帅鹏;刘芳;黄海潮 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： G01R11/00 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种电能表及测量电流的方法，涉及电能表计量技术领域，所述电能表包括信号采集单元和信号处理单元，所述信号采集单元，包括至少一组磁芯和反馈线圈；所述反馈线圈缠绕所述磁芯产生补偿磁场，用于闭环检测；所述磁芯上设有磁敏芯片，用于检测待测电流产生的感应磁场的磁场信息，所述待测电流为交直混合电流；所述信号处理单元，用于根据所述磁场信息确定所述待测电流的交流值和直流值。所述电能表可同时检测直流电和交流电，且结构简单，检测精度高。
一种电能表测量电流方法

[实用新型]终端设备测试工装-CN202221071875.7有效
发明人：赵东艳;王于波;陈燕宁;董广智;钟明琛;单书珊;杨金虎 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-05-07 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本实用新型实施例提供一种终端设备测试工装，属于终端类产品可靠性测式领域。所述终端设备测试工装应用于终端设备在温箱中进行湿热实验时终端设备的待测端子短接，包括：工装本体和连接在所述工装本体上的多个螺钉；所述工装本体和所述螺钉共同构成所有待测端子的短接通路；所述螺钉能够沿所述工装本体的长边方向移动。本实用新型方案提供的测试工装可以自定义使用到任何终端类产品的测试，即使端子间距不同，也可利用本实用新型方案提出的测试工装进行端子的快速短接，提高测试效率的同时，还提高了测试准确性。
终端设备测试工装

[发明专利]有界波电磁脉冲模拟器设计方法及系统-CN202210405357.2在审
发明人：赵东艳;王于波;梁英宗;陈燕宁;成睿琦;赵扬;付振;刘芳 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;国家电网有限公司;国网江苏省电力有限公司常州供电分公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G06F30/36 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种有界波电磁脉冲模拟器设计方法及系统，属于电磁技术领域。所述有界波电磁脉冲模拟器沿x轴向包括脉冲源、前过渡段、平行板段、后过渡段和终端负载，所述方法包括：获取终端负载的阻抗匹配值；基于所述阻抗匹配值和预设特征阻抗图谱，获得有界波电磁脉冲模拟器的结构参数；基于所述结构参数进行有界波电磁脉冲模拟器的模拟构建，对应输出模拟构建方案。本发明方案实现了基于用户需求进行有界波电磁脉冲模拟器结构参数准确推理的想法，实现了隔离开关操作场景下电磁环境的精准复现。
有界波电磁脉冲模拟器设计方法系统

[实用新型]HAST测试板及测试设备-CN202221594855.8有效
发明人：赵东艳;王于波;鹿祥宾;陈燕宁;董广智;钟明琛;单书珊;张肖;刘波;刘春颖;邵亚利 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本公开涉及硬件测试技术领域，具体涉及公开了一种HAST测试板及测试设备，该HAST测试板包括：至少一个测试座，每个测试座用于放置一个待测芯片，所述测试座包括多个插口，各测试座中的同一个插口相连至同一端口，针对用于插入信号类管脚的任一信号类插口，所述信号类插口连接至对应的信号类端口，所述信号类端口通过可拆卸连接件连接第一电源端口或接地端口；所述可拆卸连接件连接所述信号类端口和所述第一电源端口时，所述信号类端口连接第一电源端口；所述可拆卸连接件连接所述信号类端口和所述接地端口时，所述信号类端口连接接地端口。该技术方案可以提高测试的灵活性，主要用于对芯片进行HAST测试。
hast 测试设备

[发明专利]NLDMOS器件、NLDMOS器件的制备方法及芯片-CN202210810576.9在审
发明人：吴波;赵东艳;王于波;陈燕宁;付振;刘芳;邓永锋;王凯;郁文;刘倩倩;余山;王帅鹏 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种NLDMOS器件、NLDMOS器件的制备方法及芯片。所述NLDMOS器件包括：衬底；设于所述衬底上的P型体区与N型漂移区；设于所述N型漂移区上的具有特定开口的场氧化层；以及设于所述P型体区与所述场氧化层上的栅极，其中，所述特定开口的一侧超过所述栅极同侧的外沿，位于所述特定开口内的所述场氧化层的厚度在预设范围内。本发明有效地改善了击穿电压和导通电阻互相矛盾的问题，能够提高NLDMOS器件的击穿电压并且降低NLDMOS器件的导通电阻。
nldmos 器件制备方法芯片

[实用新型]一种芯片电磁兼容抗扰度核查系统-CN202221569265.X有效
发明人：赵东艳;王于波;陈燕宁;钟明琛;单书珊;符荣杰;李杰伟 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种芯片电磁兼容抗扰度核查系统，包括：测试信号生成装置，输出测试信号；辐射天线，和所述测试信号生成装置电性连接；包含探头的芯片工装板，所述芯片工装板位于所述辐射天线内，所述探头位于所述芯片工装板的待安装芯片位置，所述芯片工装板的待安装芯片位置未安装芯片；测量仪表，和所述探头电性连接，从而对芯片的电磁兼容抗扰度测试环境进行核查、校准，防止测试环境失常，提高测试准确性。
一种芯片电磁兼容抗扰度核查系统

[发明专利]超级结器件的制造方法、超级结器件、芯片和电路-CN202210722208.9在审
发明人：赵东艳;王于波;陈燕宁;田俊;付振;张泉;肖超;尹强 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供一种超级结器件的制造方法、超级结器件、芯片和电路，属于半导体技术领域，制造方法包括：提供具有外延层的衬底，所述衬底和所述外延层具有第一导电类型，且所述衬底为重掺杂；在所述外延层的上表面定义刻蚀区域；根据所述刻蚀区域，利用刻蚀工艺在所述外延层内形成沟槽；通过外延填充在所述沟槽内形成具有第二导电类型的填充区，所述填充区与相邻的外延层区域构成超级结，其中，所述填充区的杂质浓度按照由下至上的方向依次递减；形成栅极和体区，所述体区位于所述填充区的顶部，所述栅极位于所述外延层的上表面并覆盖部分体区。通过本发明提供的方法，能够保证超级结实现电荷平衡，提高击穿电压。
超级器件制造方法芯片电路

[发明专利]超级结器件的制造方法、超级结器件、芯片和电路-CN202210722210.6在审
发明人：赵东艳;王于波;陈燕宁;田俊;付振;张泉;肖超;尹强 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明提供一种超级结器件的制造方法、超级结器件、芯片和电路，属于半导体技术领域，制造方法包括：提供具有外延层的衬底；在外延层的上表面定义刻蚀区域；根据刻蚀区域，利用刻蚀工艺在外延层内形成具有第一深度的刻蚀沟槽；对刻蚀沟槽的底部进行离子注入形成掺杂区，掺杂区具有第二导电类型且掺杂区的第二深度与第一深度之和等于目标深度；在刻蚀沟槽进行外延填充以形成填充区，填充区与掺杂区形成的纵向掺杂区与相邻的外延层区域构成超级结；形成栅极和体区，体区位于纵向掺杂区的顶部，栅极位于外延层的上表面并覆盖部分体区。通过本发明提供的方法，提高沟槽刻蚀深度的均一性，减小沟槽深宽比，改善外延填充空洞。
超级器件制造方法芯片电路

[发明专利]MIM电容器的制作方法及MIM电容器-CN202210479541.1有效
发明人：赵东艳;王于波;王凯;陈燕宁;付振;刘芳;余山;邓永峰;吴波;郁文;刘倩倩 -专利权人：北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司;国家电网有限公司;国网重庆市电力公司电力科学研究院
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体领域，提供一种MIM电容器的制作方法及MIM电容器。所述MIM电容器的制作方法包括：在基板上形成下极板；在下极板上沉积温度系数低的导热电阻材料，形成第一薄膜电阻层；在第一薄膜电阻层上形成介质层；在介质层上沉积温度系数低的导热电阻材料，形成第二薄膜电阻层，使第一薄膜电阻层和第二薄膜电阻层全包覆介质层；在第二薄膜电阻层上形成上极板。本发明通过两层温度系数低的薄膜电阻层将MIM电容器的介质层全包覆住，可以降低MIM电容器整体的温度系数，提高MIM电容器的温度线性度性能。
mim 电容器制作方法