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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种废乳化液油泥处理设备-CN202221178216.3有效
发明人： 陈昭成 -专利权人：山东立可青环保科技有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C02F9/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种废乳化液油泥处理设备，该装置包括油泥分离箱、过滤箱、储存罐和冷凝器，油泥分离箱、过滤箱和储存罐通过管道依次固定连接，冷凝器通过管道与油泥分离箱固定连接；油泥分离箱内部的中间位置转动连接有搅拌轴。本实用新型通过启动电机转动搅拌轴及搅拌杆搅拌混合废液与药剂，使废液中的杂质更快的析出并沉淀在箱体底部，通过第一滤网和第二滤网多次过滤废液，油泥分离效果更好；通过加热层加热废液并通过蒸汽注入管向箱中泵入高压蒸汽，辅助加热废液，废液在加热时产生的蒸汽可由蒸汽排出管向外抽出并导入冷凝器中冷凝液化，得到的纯净油滴可以通过管道引导进专用的储存装置中，以供二次使用，节约资源，保护环境。
一种乳化油泥处理设备

[实用新型]半导体装置-CN202222210150.8有效
发明人：高魁佑;林士尧;陈振平;邱志忠;杨政谕;曾科嘉;黄宪中;林志翰;张铭庆;陈昭成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括多个通道层相互垂直分离。半导体装置还包括一主动栅极结构，主动栅极结构包括一下部和一上部。所述下部环绕所述通道层中的各个通道层。半导体装置还包括一栅极间隔物沿着所述主动栅极结构的所述上部的一侧壁延伸，所述的栅极间隔物具有一底表面。再者，一虚置栅极介电层设置在所述栅极间隔物和所述通道层的一最顶部的通道层之间，所述的虚置栅极介电层接触所述最顶部的通道层的一顶表面、所述栅极间隔物的所述底表面以及所述主动栅极结构的所述侧壁。
半导体装置

[发明专利]用于形成鳍式场效应晶体管的方法以及半导体器件-CN201811178401.0有效
发明人：林志翰;高魁佑;张铭庆;杨建伦;陈昭成;章勋明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-10-10 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开涉及用于形成鳍式场效应晶体管的方法以及半导体器件。一种方法包括：在半导体区域上方形成虚设栅极电极层，在虚设栅极电极层上方形成掩模条带，以及使用掩模条带作为第一刻蚀掩模来执行第一刻蚀工艺以图案化虚设栅极电极层的较上部分。虚设栅极电极层的较上部分的剩余部分形成虚设栅极电极的较上部。该方法还包括在虚设栅极电极的较上部的侧壁上形成保护层，并在虚设栅极电极层的较下部分上执行第二刻蚀工艺以形成虚设栅极电极的较下部，并且保护层和掩模条带被组合用作第二刻蚀掩模。用替换栅极堆叠替换虚设栅极电极和下面的虚设栅极电介质。
用于形成场效应晶体管方法以及半导体器件

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202210706183.3在审
发明人：林士尧;陈振平;游家豪;李筱雯;林志翰;张铭庆;陈昭成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：说明一种半导体装置的制造方法。在一基底的上方形成多个鳍状物。形成多个虚设栅极，其在上述鳍状物的上方被图形化，每个上述虚设栅极在上述图形化的虚设栅极的侧壁上具有一间隔物。使用上述图形化的虚设栅极作为一遮罩，在上述鳍状物形成多个凹部。在上述鳍状物的上方及在上述鳍状物中的上述凹部形成一钝化层。图形化上述钝化层，以仅在上述鳍状物中的上述凹部中的一些留下一保留的钝化结构。仅在上述鳍状物中不具上述保留的钝化结构的上述凹部外延形成多个源极与漏极区。
半导体装置制造方法

[实用新型]一种加热外置型喷射搅拌油泥均质装置-CN202221149107.9有效
发明人： 陈昭成 -专利权人：山东立可青环保科技有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： B01F27/2322 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种加热外置型喷射搅拌油泥均质装置，涉及油泥均质装置技术领域，包括：均质罐主体、清理机构和泄压机构，所述均质罐主体内开设有混合腔，所述均质罐主体的底部设置有排水管。本实用新型中，通过混合电机驱动安装板并带动搅拌杆在混合腔内搅拌的方式，使搅拌杆能够将混合腔内的含有污泥进行充分搅拌，在搅拌的过程中，可通过齿环与配合齿轮的啮合，使配合齿轮带动搅拌杆和清洁刷转动，并通过清洁刷对混合腔内侧壁粘附的油泥进行清理，解决了现有的均质装置无法及时对均质罐内壁上的污泥清理而导致均质罐内的含有污泥的粘稠度与实际检测情况不符，进而导致含油污泥的处理效率降低的技术问题。
一种加热外置喷射搅拌油泥装置

[发明专利]半导体装置-CN202210679160.8在审
发明人：林士尧;高魁佑;陈振平;邱志忠;林志翰;张铭庆;陈昭成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括多个半导体层，垂直地彼此分开。半导体装置包括：栅极结构，包括下部以及上部。下部包绕每个半导体层。半导体装置包括：栅极间隔物，沿着栅极结构的上部的侧壁延伸，并且包括第一层以及第二层。第一层接触侧壁的第一部分，并且第二层接触侧壁的第二部分。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202210677620.3在审
发明人：林士尧;高魁佑;吕威良;林志翰;张铭庆;陈昭成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-15 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括基板、鳍状物、栅极结构及第一源极/漏极结构。鳍状物形成于基板上并沿着第一方向延伸。栅极结构跨过鳍状物并沿着第二方向延伸，且第二方向垂直于第一方向。第一源极/漏极结构沿着第一方向耦接至鳍状物的第一末端。栅极结构包括沿着第一方向朝第一源极/漏极结构凸起的第一部分。凸起的第一部分的尖端边缘垂直高于栅极结构的下表面。
半导体装置

[发明专利]半导体结构的制造方法-CN202210670355.6在审
发明人：高魁佑;林士尧;陈振平;林志翰;张铭庆;陈昭成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：半导体结构的制造方法包含在制造过程期间选择性使用包覆层，以提供临界尺寸均匀度。包覆层可在主动通道结构中形成凹口之前形成，或是可在以介电材料填充主动通道结构中的凹口之后形成。这些技术可用于半导体结构中，例如集成电路中实现的全绕式栅极晶体管结构。
半导体结构制造方法

[实用新型]一种适用于废活性炭的油泥均质除杂装置-CN202220608069.2有效
发明人： 陈昭成 -专利权人：山东立可青环保科技有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： B02C4/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种适用于废活性炭的油泥均质除杂装置，该装置包括粉碎筒和混料筒，粉碎筒和混料筒之间通过物料提升装置输送物料；粉碎筒的顶部固定有第一进料斗，粉碎筒的底部固定有第一出料斗，第一出料斗底部的中间位置固定有排料管。本实用新型通过第一粉碎组件、第二粉碎组件的配合使用同时粉碎废料，使废料粉碎更彻底，有利于后续加工处理；通过启动加热层加热废料，将废料中的水蒸发出来，减少废料中的水分，使废料混合后更均匀、纯度更高；通过水泵、喷排等的配合使用向粉碎筒中喷洒水雾，减少粉碎过程中产生的灰尘，保护环境；通过刮板、弧形板将附着在筒体内壁上的物料刮落，防止筒体中残留废料，有利于废料的混合。
一种适用于活性炭油泥装置

[发明专利]用于半导体器件的具有期望轮廓的栅极结构-CN201810920822.X有效
发明人：王志平;陈昭成;林志忠;杨棋帏 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了包括在栅极结构的不同部分具有不同轮廓的栅极结构的半导体器件结构。在一些实例中，半导体器件包括鳍结构，位于衬底上；源极/漏极结构，位于鳍结构上；以及栅极结构，位于鳍结构上方并沿着鳍结构的侧壁。源极/漏极结构邻近栅极结构。栅极结构具有顶部和底部，顶部具有第一侧壁轮廓，底部具有不同于第一侧壁轮廓的第二侧壁轮廓。本发明的实施例还涉及用于半导体器件的具有期望轮廓的栅极结构。
用于半导体器件具有期望轮廓栅极结构

[发明专利]一种直接操作并无失真显示立体管道内部结构的方法-CN202210191815.7在审
发明人： 陈昭成;陈昭宇 -专利权人： 陈昭成;陈昭宇
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G06T17/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种直接操作并无失真显示立体管道内部结构的方法，其利用计算机来形塑一个实际世界上的管状立体物体，自动的计算此管状物体的“壳”，此壳原来在空间，可能是弯弯曲曲的，其中心线先被计算出来，基于此中心线，先被自动的切割成数个片段，每个片段的形状接近一个直的管子。因此可以很容易的被切开来，以便观察其内部的结构。此切开的动作，可以用一个平面将其切开成两半，或是用一个屏蔽将此片段的某一部份去除，产生一个开口，以便无失真的显示其内部的结构。
一种直接操作并无失真显示立体管道内部结构方法

[发明专利]半导体装置-CN202210238162.3在审
发明人：林士尧;李筱雯;郑宇珊;陈昭成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体装置。半导体装置包括沿第一横向方向延伸的栅极结构。半导体装置包括沿第二横向方向设置在栅极结构的一侧上的源极/漏极结构，第二横向方向垂直于第一横向方向。半导体装置包括沿第二横向方向设置在栅极结构至源极/漏极结构之间的气隙，其中气隙设置在源极/漏极结构的上方。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN202210207951.0在审
发明人：陈振平;林志翰;张铭庆;陈昭成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本公开提出一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括基板，基板包含一半导体材料。半导体装置包括晶体管的导电通道，晶体管的导电通道设置在基板上方。导电通道及基板包含类似的半导体材料。半导体装置包括从导电通道的一端延伸出来的源极/漏极区。半导体装置包括介电结构。源极/漏极区电性耦接至导电通道，并通过介电结构与基板电性隔离。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置与其制造方法-CN202110628352.1在审
发明人：曾国弼;陈德芳;陈昭成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体装置与其制造方法，半导体装置包含一基板、一通道层、一栅极结构、一源极/漏极磊晶结构及一底部介电质结构。通道层在基板上。栅极结构在基板上且包围通道层。源极/漏极磊晶结构在基板上且连接至通道层。底部介电质结构介于源极/漏极磊晶结构与基板之间。
半导体装置与其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202210237048.9在审
发明人：林士尧;冯玠宁;李筱雯;陈昭成 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本公开提出一种半导体装置。半导体装置包括介电鳍状物，在第一半导体通道与第二半导体通道之间。半导体装置包括第一栅极结构。第一栅极结构包括第一部分与第二部分，其通过介电鳍状物而彼此分离。半导体装置包括第一栅极间隔物，其沿着第一栅极结构的第一部分的侧壁延伸。半导体装置包括第二栅极间隔物，其沿着第一栅极结构的第二部分的侧壁延伸。第一栅极间隔物或第二栅极间隔物的至少一个包括具有第一厚度的第一部分以及具有第二厚度的第二部分，第二厚度小于第一厚度，且其中第一部分比第二部分还要靠近介电鳍状物。
半导体装置

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