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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]有机电致发光装置的像素结构-CN201210273794.X有效
发明人：陈泓旭;方绍为;李仁佑;石宗祥;吕学兴;陈佳榆 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2012-08-02 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：一种有机电致发光装置的像素结构，其包括扫描线、数据线、与扫描线以及数据线电性连接的至少一主动元件、第一电极、介电材料层、第一隔离层、第二隔离层、有机发光材料层以及第二电极。位于第一电极上的介电材料层具有第一开口以暴露出第一电极。位于介电材料层上的第一隔离层包括氧化物半导体材料，且第一隔离层具有第二开口以暴露出第一电极。位于第一隔离层上的第二隔离层具有第三开口以暴露出第一开口中的第一电极并且暴露位于第二开口侧壁的第一隔离层。有机发光材料层位于第三开口内。第二电极位于有机发光材料层上。
有机电致发光装置像素结构

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN201210291168.3有效
发明人：李刘中;丁宏哲;陈佳榆 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-03-02 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管，包括：一栅极；一栅绝缘层，覆盖该栅极；一氧化物半导体通道层，配置于该栅绝缘层上且位于该栅极上方，其中该氧化物半导体通道层为单一膜层且具有一第一部以及一第二部，该第一部位于该第二部以及该栅绝缘层之间，该第一部的结晶尺寸大于该第二部的结晶尺寸；以及一源极与一漏极，配置于该氧化物半导体通道层上。由于本发明的氧化物半导体包括多层不同氧含量的子层，并通过氧含量较高的子层来抑制临界电压偏移以及滤除紫外线，因此本发明的薄膜晶体管具有良好的电气特性与信赖性。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]阵列基板及其制作方法-CN201210104072.1有效
发明人：辜慧玲;陈佳榆;钟宜臻;陈宇宏;周奇纬;张凡伟;吕学兴;丁宏哲 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2012-04-09 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：一种阵列基板的制作方法，包括下列步骤：于基板上依序形成第一导电层、栅极介电层、半导体层、蚀刻阻挡层与第一图案化光刻胶。进行第一蚀刻制程，将未被第一图案化光刻胶覆盖的蚀刻阻挡层与半导体层移除。进行第二蚀刻工艺，以形成图案化栅极介电层与图案化蚀刻阻挡层。将未被图案化栅极介电层覆盖之第一导电层移除，以形成栅极电极。将未被图案化蚀刻阻挡层覆盖的半导体层移除，以形成图案化半导体层，并部分暴露出图案化栅极介电层。
阵列及其制作方法

[发明专利]一种透明非晶态氧化物半导体溅镀靶材-CN201210164460.9无效
发明人：石宗祥;陈泓旭;方绍为;李仁佑;吕学兴;陈佳榆 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2012-05-18 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种透明非晶态氧化物半导体溅镀靶材，至少包括：一第一透明非晶态氧化物半导体；一第二透明非晶态氧化物半导体，与所述第一透明非晶态氧化物半导体相对设置，且所述第一透明非晶态氧化物半导体和所述第二透明非晶态氧化物半导体之间具有一靶材间隙；以及一阻挡部，设置于所述靶材间隙中，并且所述阻挡部采用特定的导电材料或绝缘材料制成。采用本发明，于相邻的两个透明非晶态氧化物半导体之间的靶材间隙内设置一阻挡部，该阻挡部可采用特定的导电材料或绝缘材料制成，从而可降低位于该透明非晶态氧化物半导体下方的背板被溅镀的几率。
一种透明晶态氧化物半导体溅镀靶材

[发明专利]阵列基板及其制作方法-CN201210089295.5有效
发明人：钟宜臻;陈佳榆;辜慧玲;陈宇宏;周奇纬;张凡伟;吕学兴;丁宏哲 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2012-03-27 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：一种阵列基板的制作方法，包括下列步骤。于基板上依序形成栅极电极与栅极介电层。于栅极介电层上依序形成半导体层、蚀刻阻挡层、硬掩膜层以及第二图案化光致抗蚀剂。利用第二图案化光致抗蚀剂对硬掩膜层进行过蚀刻工艺，以形成图案化硬掩膜层。利用第二图案化光致抗蚀剂对蚀刻阻挡层进行第一蚀刻工艺。利用第二图案化光致抗蚀剂对半导体层进行第二蚀刻工艺，以形成图案化半导体层。将未被图案化硬掩膜层覆盖的蚀刻阻挡层移除以形成图案化蚀刻阻挡层。
阵列及其制作方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN201210020999.7无效
发明人：李刘中;陈佳榆 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2010-06-10 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法。在基板上形成栅极以及覆盖栅极的栅绝缘层；在栅绝缘层上形成金属氧化物半导体通道层；在栅绝缘层及金属氧化物半导体通道层上形成源极及漏极；源极及漏极的形成方法包括下列步骤：依序形成第一导体层及第二导体层，接着在第二导体层上形成图案化光阻层；以图案化光阻层为掩膜并以第一导体层为终止层进行湿式蚀刻，以图案化第二导体层；以图案化光阻层为掩膜进行干式蚀刻，以图案化第一导体层，其中金属氧化物半导体通道层的部分区域被源极及漏极暴露；以含氟的气体对暴露的金属氧化物半导体通道层进行表面处理。本发明可以避免金属氧化物半导体通道层在源极及漏极蚀刻产生结构破坏缺陷，而获得良好的控制。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管、画素结构及其制造方法-CN201110409121.8有效
发明人：卢昶鸣;蔡纶;陈佳榆 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-11-25 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管，其包括一栅极、一氧化物半导体层、一栅介电层、一源极以及一漏极。栅介电层位于氧化物半导体层与栅极之间，而源极以及漏极分别与氧化物半导体层的不同部分接触，其中源极与该漏极分别具有一阶梯状侧壁，且氧化物半导体层覆盖部分阶梯状侧壁。本申请案另提供一种薄膜晶体管的制造方法。
薄膜晶体管结构及其制造方法

[发明专利]一种有源矩阵型有机发光二极管器件的制造方法-CN201110151982.0无效
发明人：李刘中;丁宏哲;吕学兴;陈佳榆 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-06-01 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种有源矩阵型有机发光二极管器件的制造方法，包括：在基板上连续沉积ITO膜与第一金属层，通过第一构图工艺形成栅极与阳极的图形；接着连续沉积栅绝缘层、半导体材料层及保护膜材料层，通过第二构图工艺形成半导体层与沟道保护层；通过第三构图工艺暴露出像素区的第一金属层，同时对半导体层与沟道保护层进行构图；继续沉积第二金属层以形成源/漏极；通过第四构图工艺暴露出阳极；接着沉积平坦层，通过第五构图工艺暴露出阳极。采用本发明可以避免色偏问题，并且可以节省工序，方便制程。
一种有源矩阵有机发光二极管器件制造方法

[发明专利]蒸镀设备-CN201110130961.0无效
发明人：林进志;蔡纶;陈佳榆;吴文豪 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-05-16 - 公布日： 2011-10-12 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：一种蒸镀设备，其包括一基板载具、至少一可移动蒸镀源以及至少一可移动遮罩。基板载具适于承载一基板，可移动蒸镀源位于基板下方，且可移动蒸镀源在基板上的蒸镀范围小于基板的尺寸。可移动遮罩配置于可移动蒸镀源与基板之间，其中可移动遮罩具有一图案化开孔，且可移动遮罩的遮蔽范围大于或等于可移动蒸镀源在基板上的蒸镀范围。由于可移动遮罩的尺寸无须与基板相当，因此本发明可以有效降低可移动遮罩的制作困难度。
设备

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN201110052370.6有效
发明人：李刘中;丁宏哲;陈佳榆 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-03-02 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管，其包括一栅极、一闸绝缘层、一氧化物半导体通道层、一源极以及一汲极。栅绝缘层覆盖栅极，而氧化物半导体通道层配置于栅绝缘层上且位于栅极上方，其中氧化物半导体通道层包括一第一子层与一第二子层，第二子层位于第一子层上，且第一子层的氧含量低于第二子层的氧含量。此外，源极与漏极配置于第二子层的部分区域上。本发明另提出前述的薄膜晶体管的制造方法。由于本发明的氧化物半导体包括多层不同氧含量的子层，并通过氧含量较高的子层来抑制临界电压偏移以及滤除紫外线，因此本发明的薄膜晶体管具有良好的电气特性与信赖性。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]具有蚀刻停止层的晶体管结构及其制作方法-CN201010274529.4有效
发明人：胡晋玮;庄景桑;陈佳榆 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2010-09-03 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开一种具有蚀刻停止层的晶体管结构及其制作方法。本发明的晶体管结构，至少由基板、结晶半导体层、蚀刻停止结构、欧姆接触层、源极、漏极、栅极绝缘层以与栅极所构成。本发明的制作方法可通过相同的光掩模同时图案化欧姆接触层及结晶半导体层，或通过相同的另一光掩模同时图案化欧姆接触层及电极层。
具有蚀刻停止晶体管结构及其制作方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN201010509417.2有效
发明人：石宗祥;吕学兴;丁宏哲;周政伟;陈佳榆 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2010-10-09 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜晶体管的制造方法，包括：于基板上形成栅极；于基板上形成栅绝缘层以覆盖栅极；于栅绝缘层上形成彼此电性绝缘的源极与漏极；于栅极上方的栅绝缘层上形成氧化物半导体层以覆盖栅绝缘层、源极与漏极；于氧化物半导体层上形成材料层；薄化材料层；令材料层氧化以于氧化物半导体层上形成一紫外光遮蔽材料层；以及图案化紫外光遮蔽材料层以及氧化物半导体层以形成氧化物通道层与紫外光遮蔽图案，其中氧化物信道层覆盖源极的部分区域与漏极的部分区域，而紫外光遮蔽图案位于氧化物信道层上。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]像素结构的制造方法及有机发光元件的制造方法-CN201010243833.2有效
发明人：李刘中;丁宏哲;陈佳榆 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2010-08-02 - 公布日： 2011-01-19 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种像素结构的制造方法及有机发光元件的制造方法。此像素结构的制造方法包括在基板上形成栅极。形成介电层以覆盖栅极与基板。在栅极上方的介电层上形成图案化金属氧化物半导体层与图案化金属蚀刻阻挡层。形成第一导电层以覆盖图案化金属蚀刻阻挡层以及介电层。利用图案化金属蚀刻阻挡层作为蚀刻终止层，以图案化第一导电层，而形成源极以及漏极。形成第二导电层以覆盖源极、漏极以及介电层。利用图案化金属蚀刻阻挡层作为蚀刻终止层，以图案化第二导电层，而形成第一电极层。之后，移除位于源极与漏极之间被暴露出来的图案化金属蚀刻阻挡层。本发明可避免金属氧化物半导体层遭到过渡蚀刻，且可节省制造成本。
像素结构制造方法有机发光元件

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN201010205472.2有效
发明人：李刘中;陈佳榆 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2010-06-10 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法。在基板上形成栅极以及覆盖栅极的栅绝缘层；在栅绝缘层上形成金属氧化物半导体通道层；在栅绝缘层及金属氧化物半导体通道层上形成源极及漏极；源极及漏极的形成方法包括下列步骤：依序形成第一导体层及第二导体层，接着在第二导体层上形成图案化光阻层；以图案化光阻层为掩膜并以第一导体层为终止层进行湿式蚀刻，以图案化第二导体层；以图案化光阻层为掩膜进行干式蚀刻，以图案化第一导体层，其中金属氧化物半导体通道层的部分区域被源极及漏极暴露；以含氟的气体对暴露的金属氧化物半导体通道层进行表面处理。本发明可以避免金属氧化物半导体通道层在源极及漏极蚀刻产生结构破坏缺陷，而获得良好的控制。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]像素结构及其制造方法以及电子装置的制造方法-CN201010128960.8有效
发明人：周政伟;吕学兴;丁宏哲;石宗祥;陈佳榆 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2010-03-08 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开一种像素结构，包括一基板、一栅极、一绝缘层、一金属氧化物半导体层、一源极以及一漏极、至少一膜层以及一第一电极层。栅极位于基板上。绝缘层覆盖栅极。金属氧化物半导体层位于栅极上方的绝缘层上。源极以及漏极位于金属氧化物半导体层上。至少一膜层覆盖金属氧化物半导体层，其中至少一膜层包括一透明光触媒材料，且透明光触媒材料阻挡紫外光波段光线穿透至金属氧化物半导体层。第一电极层与源极或漏极电性连接。本发明同时公开一种像素结构的制造方法以及电子装置的制造方法。
像素结构及其制造方法以及电子装置

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