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[发明专利]一种基于VGF法的InP晶体生长炉-CN201611122124.2有效
发明人：杨翠柏;方聪;陈丙振 -专利权人：珠海鼎泰芯源晶体有限公司
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于VGF法的InP晶体生长炉，属于半导体晶体生长设备技术领域。本发明所述InP晶体生长炉包括：炉底座，炉壁，且炉底座与炉壁形成密闭空间，在炉底座开设通气口，在炉底座上表面固定连接有坩埚托，在坩埚托上方放置有坩埚，在坩埚托与坩埚外侧同轴放置有无底面的隔离筒，在隔离筒外周垂直方向间隔设置有多段加热元件，每段加热元件均固定有电极安装座，加热电极通过电极安装座与加热元件连接，并延伸至炉底座外部，且在每段加热元件底部均固定连接有加热器安装板。本发明中加热器安装板阻隔相邻加热元件之间的热对流及热辐射，使加热元件的加热温度保持稳定。
一种基于 vgf inp 晶体生长

[发明专利]退火设备及其退火工艺-CN201610921638.8有效
发明人：杨翠柏;方聪;杨光辉;陈丙振 -专利权人：珠海鼎泰芯源晶体有限公司
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种退火设备及其退火工艺，包括加热保护元件、内部开有凹槽的上保温腔体和下保温腔体以及升降移动机构；升降移动机构包括竖直升降杆、水平移动带和底座，其中，竖直升降杆一侧连接上保温腔体和下保温腔体，上保温腔体和下保温腔体可沿竖直升降杆上下移动；水平移动带上配有基座，水平移动带通过支撑座固定设置在底座上，水平移动带带动固定加热保护元件的基座左右移动。采用本发明的退火设备操作方便、降温均匀；退火过程中，进行降温的加热保护元件通过吊装从基座上移走的同时，迅速装入下一个装有单晶棒的加热保护元件进行退火，实现连续快速生产，节省能耗和时间。
退火设备及其工艺

[发明专利]一种可实现单晶在线退火的生长设备及其方法-CN201610950624.9有效
发明人：杨翠柏;陈丙振;方聪 -专利权人：珠海鼎泰芯源晶体有限公司
申请日： 2016-10-26 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种可实现单晶在线退火的生长设备及其方法，所述生长设备包括：炉体、充气系统、真空系统、排气系统，所述退火方法将籽晶，多晶材料，氧化硼放入坩埚，通过垂直梯度温度方法生长单晶棒，生长结束后通入氯气，单晶棒表面附着的氧化硼与氯气反应变成气体，通过真空泵排出罐外，同时对单晶棒进行退火升温工艺，实现生长单晶在线退火。
一种实现在线退火生长设备及其方法

[发明专利]坩埚装置-CN201611262359.1有效
发明人：杨翠柏;方聪;陈丙振;杨光辉 -专利权人：珠海鼎泰芯源晶体有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供一种能提高籽晶受热均匀性的坩埚装置，其包括坩埚本体和坩埚盖。坩埚本体呈桶形，具有桶底、桶壁和顶部开口，其中桶底和桶壁围成用于盛放物料的容置空间；坩埚盖盖设于坩埚本体的顶部开口，坩埚盖具有朝向桶底的内表面和背离桶底的外表面，坩埚盖内至少在中央区域设有中空部，中空部位于坩埚盖的内表面和外表面之间，中空部内填充有导热系数高于坩埚盖的填充物。本发明坩埚装置减小了坩埚盖径向温度梯度，有效提高了坩埚盖整体的温度均匀性，能为设置于坩埚盖内表面中心处的碳化硅籽晶生成成晶体提供了良好的条件，即提高了籽晶径向温度的均匀性，减小了晶体生长过程中的热应力，从而能生长出质量高的晶体。
坩埚盖坩埚本体坩埚装置顶部开口内表面中空部减小桶壁籽晶晶体生长过程径向温度梯度内表面中心处受热均匀性碳化硅籽晶温度均匀性填充物导热系数容置空间中空部位中央区域均匀性热应力盖设盛放桶形填充背离生长

[发明专利]一种碳化硅晶体偏角度加工的定向夹具-CN201610921174.0有效
发明人：杨翠柏;陈丙振;方聪 -专利权人：珠海鼎泰芯源晶体有限公司
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： B28D7/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅晶体偏角度加工的定向夹具，属于晶体加工装置领域。所述定向夹具包括：旋转滑台，固定连接在切割工作台上，设置有旋转角度调整旋钮；水平角度调节器，安装于旋转滑台上表面，设置有水平角度调节旋钮；支撑架，设置有支撑架底座，支撑架底座固定连接在水平角度调节器上表面，且在支撑架底座上表面固定连接有直线滑轨；压紧块，固定连接在直线滑轨的滑块上表面，可跟随滑块滑动。本发明以偏0°的圆柱形晶棒为基础，通过调节水平角度调节器的角度，可斜切2°至4°偏角度衬底；通过调节旋转滑台相对于垂直面的角度，可斜切4°至8°偏角度衬底；且精度可达到±1′。
一种碳化硅晶体偏角加工定向夹具

[实用新型]坩埚装置-CN201621493497.6有效
发明人：杨翠柏;方聪;陈丙振;杨光辉 -专利权人：珠海鼎泰芯源晶体有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种能提高籽晶受热均匀性的坩埚装置，其包括坩埚本体、坩埚盖和至少一个感应环。坩埚本体呈桶形，具有桶底、桶壁和顶部开口，其中桶底和桶壁围成用于盛放物料的容置空间；坩埚盖盖设于坩埚本体的顶部开口，坩埚盖具有朝向桶底的内表面和背离桶底的外表面；至少一个感应环同心设置于坩埚盖内并靠近坩埚的内表面，并且至少一个感应环的中心与坩埚盖的中心在同一条直线上。本实用新型坩埚装置减小了坩埚盖径向温度梯度，有效提高了坩埚盖整体的温度均匀性，能为设置于坩埚盖内表面中心处的碳化硅籽晶生成成晶体提供了良好的条件，即提高了籽晶径向温度的均匀性，减小了晶体生长过程中的热应力，从而能生长出质量高的晶体。
坩埚装置

[实用新型]非接触式晶圆退火装置-CN201621164041.5有效
发明人：杨翠柏;杨光辉;陈丙振;方聪 -专利权人：珠海鼎泰芯源晶体有限公司
申请日： 2016-10-25 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种非接触式晶圆退火装置，所述退火设备包括晶圆、气浮载台、光源、红外测温探头及控制器，其中，气浮载台均匀密布多个气孔，气体从所述气孔通入，形成气垫，支撑所述晶圆；光源设置在晶圆的正上方，通过辐射对晶圆进行加热；红外测温探头设置在气浮载台正下方，通过设置在气浮载台直径处的测温孔测量晶圆温度；控制器与红外测温探头相连。采用本实用新型操作简便，退火温度均匀，测量精度高，能够避免晶圆损伤且在不损伤晶圆已成型的正面及边缘的同时可以对晶圆背面进行退火，且能实现自动化操作。
接触式晶圆退火装置

[实用新型]一种碳化硅晶体偏角度加工的定向夹具-CN201621147089.5有效
发明人：杨翠柏;陈丙振;方聪 -专利权人：珠海鼎泰芯源晶体有限公司
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： B28D7/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种碳化硅晶体偏角度加工的定向夹具，属于晶体加工装置领域。所述定向夹具包括旋转滑台，固定连接在切割工作台上，设置有旋转角度调整旋钮；水平角度调节器，安装于旋转滑台上表面，设置有水平角度调节旋钮；支撑架，设置有支撑架底座，支撑架底座固定连接在水平角度调节器上表面，且在支撑架底座上表面固定连接有直线滑轨；压紧块，固定连接在直线滑轨的滑块上表面，可跟随滑块滑动。本实用新型以偏0°的圆柱形晶棒为基础，通过调节水平角度调节器的角度，可斜切2°至4°偏角度衬底；通过调节旋转滑台相对于垂直面的角度，可斜切4°至8°偏角度衬底；且精度可达到±1′。
一种碳化硅晶体偏角加工定向夹具

[发明专利]一种聚光光伏二次聚光镜之改进结构-CN201510309033.9有效
发明人：王智勇;郭丽敏;刘友强;杨光辉;陈丙振;代明崇;杨翠柏 -专利权人：瑞德兴阳新能源技术有限公司
申请日： 2015-06-05 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： G02B19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚光光伏二次聚光镜之改进结构，包括二次聚光镜本体，二次聚光镜本体设有上表面、下表面及四个相同的侧面，上表面为截顶球曲面，为二次聚光的光线入射面，该截顶球曲面截后的顶面为圆平面；下表面为正方形平面，为二次聚光的光线出射面；侧面为扇形面，为二次聚光的反射平面，该扇形面的底为上述正方形平面的边；下表面平行于圆平面，其中心与圆平面中心的连线垂直于圆平面；截顶球曲面的四个顶点在同一个平面上，由四个顶点构成的平面平行于圆平面，四个顶点到圆平面中心的距离相等；下表面粘结到太阳能电池上，其尺寸小于太阳能电池的有效受光面积。本发明具有体积小、重量轻、装配快、成本低、性能优越等优点。
一种聚光二次聚光镜改进结构

[发明专利]非接触式晶圆退火装置及其退火方法-CN201610937787.3有效
发明人：杨翠柏;杨光辉;陈丙振;方聪 -专利权人：北京鼎泰芯源科技发展有限公司
申请日： 2016-10-25 - 公布日： 2017-02-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种非接触式晶圆退火装置及其退火方法，所述退火设备包括晶圆、气浮载台、光源、红外测温探头及控制器，其中，气浮载台均匀密布多个气孔，气体从所述气孔通入，形成气垫，支撑所述晶圆；光源设置在晶圆的正上方，通过辐射对晶圆进行加热；红外测温探头设置在气浮载台正下方，通过设置在气浮载台直径处的测温孔测量晶圆温度；控制器与红外测温探头相连。采用本发明操作简便，退火温度均匀，测量精度高，能够避免晶圆损伤且在不损伤晶圆已成型的正面及边缘的同时可以对晶圆背面进行退火，且能实现自动化操作。
接触式晶圆退火装置及其方法

[发明专利]一种基于原位合成法的InP单晶炉用观察窗装置-CN201610921172.1有效
发明人：杨翠柏;方聪;陈丙振 -专利权人：北京鼎泰芯源科技发展有限公司
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2017-02-08 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明提供一种基于原位合成法的InP单晶炉用观察窗装置，包括贯穿炉体内外的观察通道，观察通道出口处设置有观察窗，还包括进气管道，向观察通道通入惰性气体；一圈小进气孔，沿内层管壁间隔地并与通道轴线垂直地设置，形成一密闭气障，阻碍上升的挥发物接近观察窗玻璃表面；扫气管道，相对于观察通道轴线倾斜成一定角度，扫气管道出口与所述观察窗相对，且扫气管道出口在所述一圈小进气孔的上方，所述扫气管道通入惰性气体，可及时吹扫掉气障未阻挡住的挥发物遇观察窗凝结的细颗粒状磷。本发明形成进气通道和扫气通道两路气体通道，从而有效解决磷蒸气注入原位合成法的直拉InP单晶炉上方观察窗的摭蔽问题，而且本发明结构简单，操作方便。
一种基于原位成法 inp 单晶炉用观察窗装置

[发明专利]一种提高碳化硅粉源径向温度均匀性的石墨坩埚-CN201610920976.X有效
发明人：杨翠柏;方聪;陈丙振 -专利权人：北京鼎泰芯源科技发展有限公司
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2017-02-01 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高碳化硅粉源径向温度均匀性的石墨坩埚，属于半导体芯片单晶制备技术领域。所述石墨坩埚包括石墨坩埚本体、石墨坩埚盖和石墨槽，石墨槽空心，无底面，套在石墨坩埚本体内，高度低于石墨坩埚本体的高度，厚度小于所述石墨坩埚本体的壁面厚度，材质与石墨坩埚本体的材质相同。碳化硅籽晶固定于石墨坩埚盖上，碳化硅粉源放置于石墨槽内以及石墨坩埚本体与石墨槽之间。在生长单晶时，石墨坩埚本体和石墨槽在交变磁场中同时发热，使石墨坩埚中心以及石墨坩埚本体与石墨槽之间同时产生大量反应气氛，避免出现明显的冷热分区，提高碳化硅粉源径向温度的均匀性，从而提高碳化硅粉源的使用效率和单晶的生长速率。
一种提高碳化硅径向温度均匀石墨坩埚

[发明专利]一种含量子阱结构的三结太阳能电池-CN201410479799.7有效
发明人：杨翠柏;陈丙振;张杨;张小宾;张露;王雷 -专利权人：瑞德兴阳新能源技术有限公司
申请日： 2014-09-18 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种含量子阱结构的三结太阳能电池，从下至上依次包括有作为衬底的第一子电池、第一隧穿结、第二子电池、第二隧穿结、第三子电池，所述三个子电池之间晶格匹配且通过隧穿结进行连接，其中，所述第一子电池为Ge电池，所述第二子电池为InxGa1‑xNyAs1‑y/GaAs量子阱电池，所述第三子电池为GaInP电池。本发明形成的能带隙组合在0.67eV/1.3eV/1.8eV左右，使第二子电池和第一子电池的能带隙差ΔEg1约为0.63，第三子电池和第二子电池的能带隙差ΔEg2约为0.5eV，两能带隙差更接近，且由于第三子电池GaInP能带隙在1.8eV左右，其可以比传统GaInP电池吸收更多的光子，这将使得本发明中三个子电池的电流分配更均匀。
一种量子结构太阳能电池

[实用新型]一种具有反射层的双面生长四结太阳能电池-CN201620437361.7有效
发明人：刘雪珍;杨翠柏;王雷;吴波;黄珊珊;陈丙振;张小宾;张杨 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2016-05-12 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有反射层的双面生长四结太阳能电池，包括GaAs衬底，所述GaAs衬底为双面抛光的n型GaAs单晶片，在所述GaAs衬底上表面自下而上依次生长有GaAs缓冲层、第一隧道结、AlGaAs/GaInAs DBR反射层、GaInNAs子电池、第二隧道结、AlAs/AlGaAs DBR反射层、GaAs子电池、第三隧道结、GaInP子电池、欧姆接触层、减反射膜和正面电极，在所述GaAs衬底的下表面依次设置有Ga_1‑zIn_zP应变缓冲层、Ga_1‑_xIn_xAs子电池和背面电极。本实用新型可以提高光子吸收效率，同时发挥四结电池的优势，提高GaAs多结电池的整体开路电压和填充因子，并最终提高电池的光电转换效率。
一种具有反射层双面生长太阳能电池

[发明专利]一种具有反射层的双面生长四结太阳能电池及其制备方法-CN201610318836.5在审
发明人：刘雪珍;杨翠柏;王雷;吴波;黄珊珊;陈丙振;张小宾;张杨 -专利权人：中山德华芯片技术有限公司
申请日： 2016-05-12 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有反射层的双面生长四结太阳能电池及其制备方法，包括GaAs衬底，所述GaAs衬底为双面抛光的n型GaAs单晶片，在所述GaAs衬底上表面自下而上依次生长有GaAs缓冲层、第一隧道结、AlGaAs/GaInAs DBR反射层、GaInNAs子电池、第二隧道结、AlAs/AlGaAs DBR反射层、GaAs子电池、第三隧道结、GaInP子电池、欧姆接触层、减反射膜和正面电极，在所述GaAs衬底的下表面依次设置有Ga_1‑zIn_zP应变缓冲层、Ga_1‑xIn_xAs子电池和背面电极。本发明可以提高光子吸收效率，同时发挥四结电池的优势，提高GaAs多结电池的整体开路电压和填充因子，并最终提高电池的光电转换效率。
一种具有反射层双面生长太阳能电池及其制备方法

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