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[发明专利]一种高雪崩耐量的功率半导体晶体管结构及其制备方法-CN201510964464.9在审
发明人：孙伟锋;周锦程;杨卓;祝靖;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-12-21 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种高雪崩耐量的功率半导体晶体管结构，包括，兼做漏区的N型衬底，在N型衬底上设有N型外延层，N型外延层表面设有P型条形体区，P型条形体区表面设有重掺杂N型源区和重掺杂P型源区，在N型外延层上设有绝缘栅氧化层，在绝缘栅氧化层上设有导电多晶硅，所述导电多晶硅位于相邻P型条形体区之间区域的上方且两侧分别覆盖相邻P型条形体区，所述导电多晶硅上设有绝缘介质层，重掺杂P型体区和重掺杂N型源区上连接有源极金属，其特征在于，P型条形体区向N型外延层扩展形成多个P型弓形体区，P型弓形体区均匀分布于P型条形体区，且嵌入N型外延层中，本发明保留传统功率半导体晶体管制备方法，提高雪崩耐量，缩小芯片面积，成本较低。
一种雪崩功率半导体晶体管结构及其制备方法

[发明专利]一种功率模块焊接用焊片-CN201610029389.1在审
发明人：刘斯扬;魏家行;王宁;宋海洋;叶然;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2016-01-15 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： B23K35/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率模块焊接用焊片，包括金属网状骨架，在金属网状骨架的网眼空间内填充有钎焊材料。因为金属网状骨架的液相线温度远大于钎焊温度，在回流焊的过程中，钎焊材料先熔融成液体状态，98％～99％的钎焊材料熔融之后会注满网眼空间，金属网状骨架为液体状态的钎焊材料提供附着边界，二者形成类平面的结构。焊片上的芯片在每个区域受力均匀，不容易发生切向方向和法向方向上的位移，功率芯片上每个区域到其下方底板的散热路径长度都是一致的，热阻也随之更加均匀化，能够避免功率芯片局部区域温度过高的情况。
一种功率模块焊接用焊片

[发明专利]一种功率变换器的功率开关管隔离栅驱动电路-CN201610039064.1在审
发明人：孙伟锋;朱俊杰;俞居正;钱钦松;卜爱国;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2016-01-20 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：一种功率变换器的功率开关管隔离栅驱动电路，包括脉宽调制驱动器、隔离驱动变压器T、隔直电容C_b、电容C₁、二极管D和被驱动开关管Q构成的现有技术隔离栅驱动电路。本发明在上述电路的基础上增设了与电容C₁并联的电阻R₁，并且增设了电容C₂与电阻R₂并联并且连接二极管D的阴极，电容C₂与电阻R₂并联后的另一端在连接电容C₁与被驱动开关管Q的栅极之间，电容C₂、电阻R₂和二极管D构成负压源，在开关管Q断开时提供一个稳定的负压，防止开关管在关断过程中由于各种串扰而产生误开启，提高了系统的可靠性。
一种功率变换器开关隔离驱动电路

[发明专利]一种高鲁棒性的高压静电放电保护器件-CN201510663114.9在审
发明人：孙伟锋;张春伟;袁永胜;刘超;叶然;刘斯扬;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种高鲁棒性的高压静电放电保护器件，包括：P型衬底，在P型衬底上设有埋氧化层，在埋氧化层上设有N型外延层，在N型外延层的上部设有第一低压N型阱、第一低压P型阱，在第一低压N型阱内设有N型阴区，在第一低压P型阱内设有P型阳区，在N型外延层的上表面上设有场氧化层且所述场氧化层位于N型阴区与P型阳区之间，在N型阴区、场氧化层及P型阳区的上表面设有钝化层，在N型阴区上连接有阴极金属，在P型阳区上连接有阳极金属，其特征在于，在第一低压N型阱内设有P型注入效率调节阱，所述的N型阴区位于P型注入效率调节阱内。本发明在不改变原来版图面积的基础上，提高了电流泄放能力，降低了闩锁风险，增强了器件的ESD鲁棒性。
一种高鲁棒性高压静电放电保护器件

[发明专利]一种采用隔离变压器的桥式变换器单路信号栅驱动电路-CN201510658282.9在审
发明人：孙伟锋;苏畅;俞居正;钱钦松;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-10-12 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H02M3/335 文献下载
摘要：一种采用隔离变压器的桥式变换器单路信号栅驱动电路，在传统的包括单片机模块、互补驱动电路、输入隔离电路、变压器、电压抬升电路和桥式变换器开关管电路的基础上，增设包括线性光耦OPTO、直流电压源DC₂、NPN三极管Q₃以及电阻R₂、R₃、R₄构成的栅极电容泄放回路，利用单片机模块输出的光耦控制信号控制栅极电容泄放，栅极电容泄放回路的输出端与电压抬升电路的输出端并联，在桥式变换器开关管的栅驱动停止工作、驱动电压为低电平的时候，将电压抬升电路短路，实现了栅驱动的短路可控以及数模隔离，使得隔离栅驱动在结束工作时栅源电压能够迅速降至零电压，避免了桥式变换器开关管的漏源直通而损坏的问题。
一种采用隔离变压器变换器信号驱动电路

[发明专利]一种功率变换器中功率MOS管的栅极驱动电路-CN201510703629.7在审
发明人：钱钦松;刘鹏;俞居正;刘斯扬;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： H02M1/088 文献下载
摘要：一种功率变换器中功率MOS管的栅极驱动电路，包括直流电压源V、MOS管Q₁、储能电容C、储能电感L、MOS管Q₂和MOS管Q₃，直流电压源V的正极连接MOS管Q₁的漏极，MOS管Q₁的栅极连接外接控制信号I，MOS管Q₁的源极连接储能电容C的一端和储能电感L的一端，储能电容C的另一端接地，储能电感L的另一端连接MOS管Q₂的漏极和MOS管Q₃的源极，MOS管Q₂的栅极连接外接控制信号II，MOS管Q₂的源极连接直流电压源V的负极并接地，MOS管Q₃的栅极连接外接控制信号III，MOS管Q₃的漏极连接功率变换器中功率MOS管Q₄的栅极；外接控制信号I、外接控制信号II和外接控制信号III都是由占空比可调的波形发生器所提供。
一种功率变换器 mos 栅极驱动电路

[发明专利]一种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管-CN201510565692.9在审
发明人：孙伟锋;张春伟;袁永胜;刘晓强;刘斯扬;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-09-08 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，包括：Si基衬底，在Si基衬底上形成有AlN成核层，在AlN成核层上形成有本征GaN层，在本征GaN层上形成有AlGaN掺杂层；在所述AlGaN掺杂层中形成有栅氧化层，在栅氧化层的上表面形成有栅极；在AlGaN掺杂层的上表面栅极的一侧形成有源极，在AlGaN掺杂层的上表面栅极的另一侧形成有漏极，且源极和漏极通过钝化层和栅极相隔离，其特征在于，在AlGaN掺杂层的内部设有二阶阶梯形绝缘层，所述二阶阶梯形绝缘层位于栅极与漏极之间，并且，所述二阶阶梯形绝缘层的高侧端面与栅氧化层相抵，二阶阶梯形绝缘层的各级阶梯的长度逐阶增大。这种结构的优点在于保持器件频率特性和阈值电压基本不变的前提下，显著提高器件的击穿电压。
一种增强 algan gan 电子迁移率晶体管

[发明专利]一种Si基AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管-CN201510661083.3在审
发明人：刘斯扬;周迁;王宁;魏家行;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-10-14 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种Si基AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，包括：Si基衬底，在Si基衬底上形成有AlN成核层，在AlN成核层上形成有本征GaN层，在本征GaN层上形成有AlGaN掺杂层；在所述AlGaN掺杂层中形成有栅氧化层，所述栅氧化层的下表面与本征GaN层的上表面相接触，在栅氧化层的上表面形成有栅极；在AlGaN掺杂层的上表面栅极的一侧形成有源极，在AlGaN掺杂层的上表面栅极的另一侧形成有漏极，在栅极、源极和漏极上形成有钝化层，且源极和漏极通过钝化层和栅极相隔离，其特征在于，在本征GaN层中形成有P型AlGaN掺杂区，所述P型AlGaN掺杂区位于栅极和漏极之间区域的下方。这种结构的优点在于保持器件频率特性和阈值电压基本不变的前提下，显著提高器件的击穿电压。
一种 si algan gan 电子迁移率晶体管

[发明专利]一种AlGaN/GaN高电子迁移率功率半导体器件-CN201510566720.9在审
发明人：刘斯扬;魏家行;周迁;任晓飞;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-09-08 - 公布日： 2015-12-23 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种AlGaN/GaN高电子迁移率功率半导体器件，包括：Si基衬底，在Si基衬底上形成有AlN成核层，在AlN成核层上形成有本征GaN层，在本征GaN层上形成有AlGaN掺杂层，在AlGaN掺杂层中形成有栅氧化层，所述栅氧化层贯穿AlGaN掺杂层且始于AlGaN掺杂层的下表面并止于AlGaN掺杂层的上表面，在栅氧化层的上表面形成有栅极，在AlGaN掺杂层的上表面栅极的一侧形成有源极，在AlGaN掺杂层的上表面栅极的另一侧形成有漏极，在栅极、源极和漏极上形成有钝化层，且源极和漏极通过钝化层与栅极相隔离，其特征在于，在AlGaN掺杂层的内部设有绝缘层且绝缘层的上表面裸露于AlGaN掺杂层的上表面，所述绝缘层与栅氧化层相接触且位于所述栅氧化层与漏极之间，这种结构的优点在于能够有效提高器件的击穿电压。
一种 algan gan 电子迁移率功率半导体器件

[发明专利]一种改善多模式数字原边反激变换器动态性能的控制系统-CN201510681786.2有效
发明人：孙伟锋;吴乙雨;周健洋;徐申;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-10-20 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： H02M7/40 文献下载
摘要：一种改善多模式数字原边反激变换器动态性能的控制系统，交流电经过整流桥、共模电感、输入电容、RCD网络后输出给原边绕组，副边绕组的输出电压经由辅助绕组通过分压采样，作为反馈信号输出给含有波形分析模块、DAC模块、PI补偿模块、模式选择模块、参数设置模块以及驱动及RS触发器模块构成的多模式控制模块，多模式控制模块根据反馈信号选择合适的工作模式，经过驱动及RS触发器产生PWM波形，控制原边开关管的栅极，从而实现多模式数字控制。本发明在多模式控制模块中增设了负载分析模块，用于检测负载电压是否有大范围的变化以及输出电压的变化趋势，从而选择切换到合适的工作模式，以改善变换器的动态性能。
一种改善模式数字原边反激变动态性能控制系统

[发明专利]一种抑制高频变压器磁通不平衡的移相全桥变换器-CN201510473957.2在审
发明人：钱钦松;俞居正;刘鹏;张太之;孙伟锋;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-08-05 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： H02M7/217 文献下载
摘要：本发明公开了一种抑制高频变压器磁通不平衡的移相全桥变换器，在现有依次连接的输入整流滤波电路、超前桥臂及其隔离驱动电路、谐振电感、高频变压器、滞后桥臂及其隔离驱动电路、输出续流电路、输出滤波电路及其输出电阻、输出电压采样电路和相移控制器的基础上，在输出续流电路与相移控制器之间增设了输出续流二极管阴极电压采样电路，包括两个串接的采样电阻R1和R2，电阻R1的一端连接高频变压器次级侧两个输出续流二极管的阴极，电阻R1的另一端连接电阻R2的一端并同时连接至相移控制电路的输入端，电阻R2的另一端连接输出端地。本发明在保证系统高效工作的基础上使高频变压器原边磁通不平衡现象得到抑制。
一种抑制高频变压器不平衡移相全桥变换器

[发明专利]一种单级功率因数校正的移相全桥拓扑电路-CN201510420397.4在审
发明人：孙伟锋;张太之;苏畅;俞居正;钱钦松;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-07-17 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： H02M7/217 文献下载
摘要：一种单级功率因数校正的移相全桥拓扑电路，包括输入储能电容、输入整流电路、全桥臂电路、隔直电容、变压器和输出整流滤波电路，其特征在于：增设输入电感L和包括续流开关管和续流二极管构成的续流电路，续流电路和输入电感L并联，并联后的一端连接输入整流电路的输出端，另一端连接全桥臂电路，并且复用全桥臂电路中超前桥臂的下开关管作为boost电路中的开关管实现整流，与输入电感L共同实现单级功率因数校正。本发明将具有功率因数校正功能和移相全桥拓扑结构的两级电路用一级电路实现，大大提高了带有PFC功能全桥电路的功率密度，而且其结构简单，成本低，可靠性高。
一种功率因数校正移相全桥拓扑电路

[发明专利]一种直流电机绕组电流的采样电路和采样方法-CN201410843353.8在审
发明人：孙伟锋;刘海龙;李天助;钟锐;祝靖;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2014-12-30 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： G01R19/25 文献下载
摘要：一种直流电机绕组电流的采样电路和采样方法，在H全桥的两个下功率管和地之间分别串联两个采样电阻，在直流电机的导通和续流工作模式下，将正、反两个旋转方向时的定子绕组电流分别转换成大于0V的正电压信号，继而经过低通滤波器滤波，各自传输给处理器CPU中的模数转换ADC模块，由处理器CPU中的比较程序进行判别比较，最终调节处理器CPU的脉宽调制PWM模块的输出，以控制功率及电流采样电路中的功率开关管，从而将定子绕组电流在上限以内，防止电流失控造成的电机或控制器损坏。
一种直流电机绕组电流采样电路方法

[发明专利]一种高可靠性N型碳化硅纵向金属氧化物半导体管-CN201510020600.9在审
发明人：孙伟锋;王佳丽;顾春德;张艺;张春伟;刘斯扬;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-01-15 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种高可靠性N型碳化硅纵向金属氧化物半导体管，所述高可靠性N型碳化硅纵向金属氧化物半导体管为轴对称结构，包括：N型衬底，在N型衬底的一侧连接有漏极金属，在N型衬底的另一侧设有N型漂移区，在N型漂移区中对称设置一对P型基区，在P型基区中设有N型源区和P型体接触区，在N型漂移区的表面设有绝缘层，在绝缘层的表面设有多晶硅栅，在多晶硅栅及N型源区上设有场氧化层，在N型源区和P型体接触区连接有源极金属，其特征在于所述的绝缘层采用多阶栅氧化层结构，整体呈对称的多级“台阶”状，这种结构的优点在于保持器件击穿电压和导通电阻等其他电学参数基本不变的前提下，显著提高器件的UIS能力和可靠性，延长器件的使用寿命。
一种可靠性碳化硅纵向金属氧化物半导体

[发明专利]一种高可靠性P型碳化硅纵向金属氧化物半导体管-CN201510021785.5在审
发明人：孙伟锋;张春伟;王佳丽;马荣晶;顾春德;刘斯扬;陆生礼;时龙兴 -专利权人：东南大学
申请日： 2015-01-15 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种高可靠性P型碳化硅纵向金属氧化物半导体管，所述高可靠性P型碳化硅纵向金属氧化物半导体管为轴对称结构，包括：P型衬底，在P型衬底的一侧连接有漏极金属，在P型衬底的另一侧设有P型漂移区，在P型漂移区中对称设置一对N型基区，在N型基区中设有P型源区和N型体接触区，在P型漂移区的表面设有绝缘层，在绝缘层的表面设有多晶硅栅，在多晶硅栅及P型源区上设有场氧化层，在P型源区和N型体接触区连接有源极金属，其特征在于所述的绝缘层采用多阶栅氧化层结构，整体呈对称的多级“台阶”状，这种结构的优点在于保持器件击穿电压和导通电阻等其他电学参数基本不变的前提下，显著提高器件的UIS能力和可靠性，延长器件的使用寿命。
一种可靠性碳化硅纵向金属氧化物半导体