专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体芯片的制造方法-CN201810172586.8有效
  • 折笠诚;清家英之;堀川雄平;阿部寿之 - TDK株式会社
  • 2018-03-01 - 2022-08-26 - H01L21/48
  • 本发明提供一种半导体芯片的制造方法,该半导体芯片具有基板、形成于基板上的导电部、形成于导电部的微凸起,其中,该制造方法具备在微凸起上形成平滑面的平滑面形成工序,平滑面形成工序具备对配置有半导体芯片的空间在惰性气氛内使还原性气体流入,并以微凸起的融点以上的温度进行加热的加热工序,在加热工序中,在微凸起上载置压力赋予部件,压力赋予部件的主面中与微凸起相接的主面为平面。
  • 半导体芯片制造方法
  • [发明专利]配线部件-CN201711352356.1有效
  • 堀川雄平;折笠诚;上林义广;阿部寿之;麻生裕文;国塚光祐 - TDK株式会社
  • 2017-12-15 - 2020-08-04 - H05K1/16
  • 用于平面线圈的制造的配线部件(5B)具备:基材(10)、和形成于基材(10)上的平面线圈图案(11)。平面线圈图案(11)包含:具有一端(11a1)及另一端(11a2)的线圈配线部(11a),将外部电源和线圈配线部(11a)的第一连接位置(P1)连接的供电配线部(11d),将与第一连接位置(P1)相比更靠另一端(11a2)侧的线圈配线部(11a)的第二连接位置(P2)和与第二连接位置(P2)相比更靠一端(11a1)侧的线圈配线部(11a)的第三连接位置(P3)进行短路的连接配线部(11e)。平面线圈图案(11)的剖面结构具有形成于基材(10)上的基底树脂层(L0)和形成于基底树脂层(L0)上的导体层(LL)。
  • 部件
  • [发明专利]平面线圈的制造方法-CN201711352340.0有效
  • 堀川雄平;折笠诚;上林义广;阿部寿之;麻生裕文;国塚光祐 - TDK株式会社
  • 2017-12-15 - 2020-03-27 - H01F41/04
  • 平面线圈的制造方法包括:在基材上形成基底导体层(L1)的工序(S2),该基底导体层(L1)具有:具有一端及另一端的线圈配线部,将外部电源和线圈配线部的第一连接位置连接的供电配线部(11d),以及使比第一连接位置更靠另一端侧的线圈配线部的第二连接位置和比第二连接位置更靠一端侧的线圈配线部的第三连接位置短路的连接配线部(11e);在基底导体层(L1)上通过电解电镀形成配线导体层(L2)的工序(S3);以及除去供电配线部(11d)及连接配线部(11e)的工序(S4)。
  • 平面线圈制造方法

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