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[发明专利]存储装置及其控制方法-CN201910531428.1有效
发明人： 阿部健一;白川政信 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2013-09-13 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：实施方式涉及存储装置及其控制方法。存储装置包括：第一字线，其位于半导体基板上方；第二字线，其位于第一字线上方；第一存储单元，其与第一字线连接；第二存储单元，其与第二字线连接；以及控制器，其配置为执行第一至第六读出工作；第一至第三读出工作针对与第一存储单元对应的第一地址执行，第四至第六读出工作针对与第二存储单元对应的第二地址执行，在第一至第三读出工作中分别将第一至第三电压施加给第一字线，在第四至第六读出工作中分别将第四至第六电压施加给第二字线，第四电压和第五电压之间的第一差值与第四电压和第六电压之间的第二差值不同，第一电压和第二电压之间的第三差值与第一差值不同。
存储装置及其控制方法

[发明专利]存储系统和数据写入方法-CN201910998824.5在审
发明人： 阿部健一;白川政信;吉田瑞穗;二山拓也 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：实施方式涉及存储系统和数据写入方法。存储系统包括：存储装置，包括设置在半导体基板的上方的第一串单元和第二串单元；和控制器，控制存储装置；第一串单元包括：连接于位线的第一晶体管、连接于源线的第二晶体管、以及在第一晶体管与第二晶体管之间串联连接的多个存储单元；第二串单元包括：连接于位线的第三晶体管、连接于源线的第四晶体管、以及在第三晶体管与第四晶体管之间串联连接的多个存储单元；第一晶体管的栅连接于第一选择线，第三晶体管的栅连接于第二选择线，第一选择线和第二选择线被独立地控制，第一串单元中的多个存储单元包括第一存储单元和第二存储单元，第二串单元中的多个存储单元包括第三存储单元和第四存储单元。
晶体管存储单元选择线存储系统位线源线第二存储单元控制存储装置半导体基板存储装置控制器写入

[发明专利]半导体存储装置-CN201380081671.9有效
发明人： 阿部健一;白川政信;吉田瑞穗;二山拓也 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2013-12-18 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：实施方式的半导体存储装置具备第1至第3页、第1至第3字线、向第1存储单元以及第2存储单元的栅施加电压的行解码器。在数据的写入时，向第1页写入数据，然后向第2页写入数据。行解码器在编程校验动作时，向第1存储单元至第3存储单元的栅施加第1至第3校验电压。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储装置-CN201510097468.1有效
发明人：滋贺秀裕;白川政信;阿部健一 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2015-03-05 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种可提高动作可靠性的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：多个存储单元晶体管MT，分别设于第1及第2层；多个字线WL，分别连接于设于所述第1层的所述存储单元晶体管之一及与之对应设于所述第2层的所述存储单元晶体管之一；第1位线，连接于第1层的存储单元晶体管MT；及第2位线，连接于第2层的存储单元晶体管MT。字线WL共通地连接于分别设于第1及第2层的存储单元晶体管MT。存储单元晶体管MT的数据删除是通过第1及第2删除动作以及第1及第2验证动作而执行。在第2验证动作时施加于第1位线的电压与施加于第2位线的电压不同。
半导体存储装置

[发明专利]车体下部构造-CN201680083356.3有效
发明人： 阿部健一;滨田幸宏;五十岚雄一;小野仁幹 -专利权人：日产自动车株式会社
申请日： 2016-03-22 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： B62D25/20 文献下载
摘要：车体下部构造具有与前纵梁(4)连结的第1骨架部件以及第2骨架部件(7、8)。第1骨架部件(7)以越趋向车体后方侧则越位于车宽方向外侧的方式倾斜地延伸设置，第2骨架部件(8)以越趋向车体后方侧则越位于车宽方向内侧的方式倾斜地延伸设置。第1骨架部件以及第2骨架部件(7、8)中的一者设置于地板(3)的上表面，另一者设置于地板(3)的下表面。
骨架部件车体车宽方向下部构造延伸设置地板前纵梁上表面下表面连结

[发明专利]半导体存储装置以及存储系统-CN201380079381.0有效
发明人： 阿部健一;白川政信 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2013-09-13 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：实施方式所涉及的半导体存储装置具备第一存储单元、第二存储单元、字线以及第一位线、第二位线。第一位线、第二位线分别与第一存储单元、第二存储单元的一端电连接。在重试读取时，对字线施加读出电压，对第一位线施加第一电压，对第二位线施加第二电压，第二电压与第一电压不同。
半导体存储装置以及存储系统

[发明专利]半导体存储装置-CN201910110309.9在审
发明人：二山拓也;白川政信;阿部健一 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明提供一种能够提高动作性能的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包括：第一至第四存储单元，积层在半导体基板的上方；第一至第四字线，分别连接于第一至第四存储单元的栅极；以及行解码器112，向第一至第四字线施加电压。行解码器112在向第一存储单元进行写入动作时，向第一字线施加第一编程电压，在向第二存储单元进行写入动作时，向第二字线施加所述第一编程电压，在向第三存储单元进行写入动作时，向第三字线施加第二编程电压，在向第四存储单元进行写入动作时，向第四字线施加所述第二编程电压。第二编程电压比第一编程电压高。
编程电压存储单元字线写入动作半导体存储装置施加行解码器第二存储单元字线施加电压半导体基板积层

[发明专利]半导体存储装置-CN201510555667.2有效
发明人：白川政信;二山拓也;阿部健一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2015-09-02 - 公布日： 2019-08-02 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供一种数据的可靠性更高的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置(100)包括存储器单元阵列(111)、多条字线、以及控制电路(120)。存储器单元阵列(111)具备多个存储器串(114)，且多个存储器串(114)的各个具有串联连接的多个存储器单元。多条字线共通连接在多个存储器串(114)。控制电路(120)对包含连接在多条字线的各者的多个存储器单元的页面控制写入动作及读出动作。控制电路(120)对在存储器串(114)流通的单元电流进行测定，且基于单元电流的测定结果修正对字线所施加的写入电压。
存储器串半导体存储装置控制电路字线存储器单元阵列存储器单元单元电流共通连接写入电压写入动作页面控制读出施加修正流通

[发明专利]非易失性半导体存储装置-CN201910159871.0在审
发明人：白川政信;二山拓也;阿部健一;中村宽;米浜敬祐;佐藤敦祥;篠原广;马场康幸;南稔郁 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明提供一种能够提高动作可靠性的非易失性半导体存储装置。实施方式的非易失性半导体存储装置包括对第一存储单元至第四存储单元统一进行删除动作的控制部，控制部在进行删除动作时，将第一电压施加给第一字线，将比第一电压高的第二电压施加给第二字线，将第三电压施加给第三字线，将比第三电压高的第四电压施加给第四字线，并且所述第三电压比所述第二电压高。
电压施加非易失性半导体存储装置字线存储单元删除动作可靠性电压比统一

[发明专利]非易失性半导体存储装置-CN201410453781.X有效
发明人：白川政信;二山拓也;阿部健一;中村宽;米浜敬祐;佐藤敦祥;篠原广;马场康幸;南稔郁 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明提供一种能够提高动作可靠性的非易失性半导体存储装置。实施方式的非易失性半导体存储装置包括对第一存储单元至第四存储单元统一进行删除动作的控制部，控制部在进行删除动作时，将第一电压施加给第一字线，将比第一电压高的第二电压施加给第二字线，将第三电压施加给第三字线，将比第三电压高的第四电压施加给第四字线，并且所述第三电压比所述第二电压高。
非易失性半导体存储装置

[发明专利]半导体存储装置-CN201410453093.3有效
发明人：二山拓也;白川政信;阿部健一 -专利权人：东芝存储器株式会社
申请日： 2014-09-05 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明提供一种能够提高动作性能的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置包括：第一至第四存储单元，积层在半导体基板的上方；第一至第四字线，分别连接于第一至第四存储单元的栅极；以及行解码器112，向第一至第四字线施加电压。行解码器112在向第一存储单元进行写入动作时，向第一字线施加第一编程电压，在向第二存储单元进行写入动作时，向第二字线施加所述第一编程电压，在向第三存储单元进行写入动作时，向第三字线施加第二编程电压，在向第四存储单元进行写入动作时，向第四字线施加所述第二编程电压。第二编程电压比第一编程电压高。
半导体存储装置

[发明专利]BCR‑ABL抑制剂抗性相关突变的检测方法及使用该检测方法用于预测BCR‑ABL抑制剂抗性的数据获得方法-CN201580055412.8在审
发明人：大场光芳;阿部健一;山野博文;汤尻俊昭 -专利权人：东洋钢钣株式会社;国立大学法人山口大学
申请日： 2015-10-16 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： C12Q1/68 文献下载
摘要：本发明提供一种更高精度地对与慢性髓细胞性白血病等中的BCR‑ABL抑制剂抗性相关的突变进行检测的方法。该方法包括如下步骤使用从受试者采集的生物样品，对包括BCR‑ABL融合基因中所含有的融合位点和与BCR‑ABL抑制剂抗性相关的突变位点的区域进行扩增的步骤；使用在上述步骤扩增的核酸，对所述与BCR‑ABL抑制剂抗性相关的突变位点的基因型进行确定的步骤。
bcr abl 抑制剂抗性相关突变检测方法使用用于预测数据获得

[发明专利]摄像装置、摄像处理系统及摄像处理方法-CN201310712943.2有效
发明人： 阿部健一 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H04N5/232 文献下载
摘要：本发明公开了一种摄像装置、摄像处理系统及摄像处理方法。该摄像装置包括：摄像指令获得单元，用于获得指定被摄体的目标部位的摄像指令；摄像指令显示单元，用于在表示显示画面上显示的所述被摄体的图中显示所述摄像指令；以及接收单元，用于在所述摄像指令被显示在所述显示画面上的状态下接收摄像命令。
摄像装置处理系统方法

[发明专利]基于用户意图识别执行推荐的设备和方法-CN201110256156.2无效
发明人：黄耀海;谭诚;郭瑞山;谭华;阿部健一 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2011-09-01 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： G06F17/30 文献下载
摘要：本发明提供一种能够基于用户的意图提供更精确的推荐项目的、基于用户的意图的识别执行推荐的设备和方法。该设备包括：传感器，被配置为感测用户的行为；识别器，被配置为从感测的行为提取特征并由提取的特征识别用户的意图；以及推荐生成器，被配置为基于识别的用户意图来生成推荐。
基于用户意图识别执行推荐设备方法

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