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[发明专利]磁阻元件-CN201480077068.8有效
发明人：渡边大辅;金亮坤;长岭真;李永珉;上田公二;永濑俊彦;泽田和也;金国天;李宝美;崔源峻 -专利权人：东芝存储器株式会社;SK海力士公司
申请日： 2014-07-14 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：根据一个实施例，提供了磁阻元件，其包括第一磁层、在第一磁层上的非磁层和在非磁层上的第二磁层，其中第一磁层和第二磁层之一包括Co和Fe之一、以及具有比Co和Fe更高的标准电极电势的材料。
磁阻元件

[发明专利]磁阻元件和磁存储器-CN200910127673.2有效
发明人：北川英二;吉川将寿;永瀬俊彦;大坊忠臣;长岭真;西山胜哉;岸达也;与田博明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2009-03-23 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁阻元件和磁存储器。一种磁阻元件(10)包括：底层(12)，具有取向在(001)面的立方或四方晶体结构；第一磁性层(13)，设于底层(12)上，具有垂直的磁各向异性，并且具有取向在(001)面的fct结构；非磁性层(14)，设于第一磁性层(13)上；以及第二磁性层(15)，设于该非磁性层(14)上，并且具有垂直的磁各向异性。底层(12)的面内晶格常数a1和第一磁性层(13)的面内晶格常数a2满足下式，其中b是第一磁性层(13)的Burgers矢量的幅度，v是第一磁性层(13)的弹性模量，hc是第一磁性层(13)的厚度：|2×a1/2-a2|/a2＜b×{ln(hc/b)+1}/{2π×hc×(1+v)}。
磁阻元件磁存储器