“铃木伸幸”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果27个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]元件基板及液体喷出头-CN201810154140.2有效
发明人：葛西亮;平山信之;樱井将贵;梅田谦吾;和秀宪;高木诚;乡田达人;佐久间贞好;铃木伸幸;江藤徹 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2016-01-22 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： B41J2/05 文献下载
摘要：元件基板及液体喷出头。液体喷出头的元件基板包括：基材；绝缘膜，其位于基材上；加热电阻元件，其用于产生喷出液体用的热能；保护膜，其用于覆盖加热电阻元件；第一电气布线层，其配置在绝缘膜中并用于向加热电阻元件供给电流；第二电气布线层，其配置在绝缘膜中的与第一电气布线层不同的层并用于向加热电阻元件供给电流；以及至少一个连接构件，其在绝缘膜内延伸，以使第一电气布线层与加热电阻元件连接，用于使电流沿第一方向流动，加热电阻元件包括沿与第一方向交叉的第二方向延伸的连接区域，所述至少一个连接构件连接至该连接区域。
元件液体喷出

[发明专利]空燃比控制装置以及空燃比控制方法-CN201580078686.9有效
发明人：佐佐木良辅;木村民一;铃木伸幸 -专利权人：日产自动车株式会社
申请日： 2015-04-07 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： F02D41/14 文献下载
摘要：空燃比控制装置具备：空燃比传感器，其输出电流值根据氧浓度而线性地变化；空燃比反馈控制单元，其能够基于空燃比传感器的检测值，来执行对燃料喷射量进行反馈控制以使内燃机的排气气体成为规定空燃比的空燃比反馈控制。还具备禁止单元，在空燃比为规定的浓厚空燃比以上的情况下，该禁止单元禁止进行所述反馈控制。而且，空燃比控制装置在从空燃比变为规定的浓厚空燃比以上起的规定时间内允许进行反馈控制。
空燃比反馈控制空燃比控制装置空燃比传感器禁止单元反馈控制单元空燃比控制燃料喷射量排气气体输出电流内燃机检测

[发明专利]元件基板及液体喷出头-CN201610045927.6有效
发明人：葛西亮;平山信之;樱井将贵;梅田谦吾;和秀宪;高木诚;乡田达人;佐久间贞好;铃木伸幸;江藤徹 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2016-01-22 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： B41J2/05 文献下载
摘要：元件基板及液体喷出头。液体喷出头的元件基板包括基材；绝缘膜，其位于基材上；加热电阻元件，其用于产生喷出液体用的热能；保护膜，其用于覆盖加热电阻元件；第一电气布线层，其配置在绝缘膜中并用于向加热电阻元件供给电流；第二电气布线层，其配置在绝缘膜中的与第一电气布线层不同的层并用于向加热电阻元件供给电流；以及至少一个连接构件，其在绝缘膜内延伸，以使第一电气布线层与加热电阻元件连接，用于使电流沿第一方向流动，加热电阻元件包括沿与第一方向交叉的第二方向延伸的连接区域，所述至少一个连接构件连接至该连接区域。
元件液体喷出

[发明专利]半导体装置、打印设备及其制造方法-CN201310069805.7有效
发明人： 铃木伸幸;铃木敏;大村昌伸 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2013-03-06 - 公布日： 2013-09-18 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置、打印设备及其制造方法。提供半导体装置的制造方法，该半导体装置包括布置于半导体基板上的DMOS晶体管、NMOS晶体管和PMOS晶体管，DMOS晶体管包含形成为彼此相邻的第一杂质区域和第二杂质区域，第一杂质区域具有与DMOS晶体管的漏极区域和源极区域相同的导电类型，形成为包围漏极区域，并且，第二杂质区域具有与第一杂质区域相反的导电类型，形成为包围源极区域，半导体装置的制造方法包括形成第一杂质区域和NMOS晶体管和PMOS晶体管中的一个和形成第二杂质区域和NMOS晶体管和PMOS晶体管中的另一个。
半导体装置打印设备及其制造方法

[发明专利]线控转向式掌舵装置-CN201080030094.7有效
发明人：山崎达也;板仓庆宜;铃木伸幸 -专利权人： NTN株式会社
申请日： 2010-06-25 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： B62D5/00 文献下载
摘要：本发明提供一种线控转向式掌舵装置，其中，即使转舵用电动机失效，仍可将束角调整用电动机转用于转舵的驱动源，进行转舵，并且即使束角调整用电动机失效，仍可将束角调整机构固定，安全地行驶，结构紧凑。该装置包括：转舵用电动机(6)；将其旋转传递给转舵轴(10)的转舵动力传递机构(18)；束角调整用电动机(7)；通过其旋转，调节束角的束角调整动力传递机构(30)。设置切换机构(17)，其在转舵用电动机(6)失效时，能代替转舵用电动机(6)，将束角调整用电动机(7)的旋转传递给转舵动力传递机构(18)，进行转舵，在束角调整用电动机(7)失效时，仅仅进行转舵用电动机(6)的转舵。转舵用电动机(6)和束角调整用电动机(7)中的任意一者或两者采用中空电动机。
转向掌舵装置

[发明专利]线控转向式转向装置-CN201080004541.1无效
发明人： 铃木伸幸;山崎达也 -专利权人： NTN株式会社
申请日： 2010-01-06 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： B62D5/04 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种线控转向式转向装置，其中，即使在对车轮进行转舵的转舵电动机无法使用的情况下，仍可将前束角调整用电动机转用于转舵的驱动源，进行转舵。该装置包括：方向盘(1)，其未以机械方式与转舵用的转向轴(10)连接；转向角传感器(2)；转向反力电动机(4)；转向控制部(5a)，其对转舵电动机(6)和转向反力电动机(4)进行控制。设置将动力从转舵电动机(6)传递给转舵轴转向轴(10)进行转舵的转舵动力传递机构(18)，以及将动力从前束角调整用电动机(7)传递给转向轴(10)进行前束角调整的前束角调整动力传递机构(28)。在转舵动力传递机构(18)和前束角调整动力传递机构(28)的中途部分设置切换机构(17)，其在转舵前束角调整用电动机(6)无法使用时，进行转舵电动机(6)相对转舵动力传递机构(18)的分离、前束角调整动力传递机构(28)的固定、前束角调整用电动机(7)的转舵。
转向装置

[发明专利]半导体发光装置-CN200910140808.9有效
发明人：星野匡纪;佐野武志;山下丰美;铃木伸幸 -专利权人：三垦电气株式会社
申请日： 2009-05-12 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明提供一种提高从发光色不同的发光元件发出的光的混色性，并能发出亮度及色度高的白色光的半导体发光装置。在半导体发光装置(1)中，具备：具有光射出方向(Ae)开口的凹槽(21R、22R)的封装基体(2)；配置在凹槽(21R)的底部，且发光色彼此不同的多个发光元件(3)；在凹槽(21R)内覆盖多个发光元件(3)而配置，且含有荧光体的第一透光性树脂(61)；以及在凹槽(22R)内配置在第一透光性树脂(61)上，且与第一透光性树脂(61)比较荧光体的含有量少，而且具有比第一透光性树脂(61)的膜厚厚的膜厚的第二透光性树脂(62)。
半导体发光装置

[发明专利]电极材料、电极结构及具有该电极结构的二次电池-CN200710184990.9无效
发明人：川上总一郎;浅野昌也;铃木伸幸;山田康博;小仓孝夫 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2004-03-24 - 公布日： 2008-05-14 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于锂二次电池的包括硅作为主要成分的电极材料、具有这种电极材料的电极结构和具有这种电极结构的二次电池。该电极材料包括具有硅作为主要成分的硅颗粒，其中使用从由硼、铝、镓、锑和磷组成的组中选择的至少一种元素以相对于硅的原子比在1×10^－5至1×10^－1的范围内的掺杂剂量对硅进行掺杂。
电极材料结构具有二次电池

[发明专利]电路基板及其制造方法、使用了该电路基板的电路组件-CN200710110323.6无效
发明人： 铃木伸幸;石川一也 -专利权人：阿尔卑斯电气株式会社
申请日： 2007-06-13 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： H05K3/36 文献下载
摘要：提供一种制造工序简单、廉价的电路基板的制造方法和该电路基板、以及使用了该电路基板的电路组件。在本发明的电路基板制造方法中，在对设置了贯通孔(2a)的第一印刷电路基板(13)和设置了导电体(6)的第二印刷电路基板(14)进行层叠后的状态下，进行施压工序，使导电体(6)突入到贯通孔(2a)内，形成与第一印刷电路基板(13)的露出表面成为同一面状态的电极(7)，由此可以得到制造简单而制造工序少、廉价的电路基板。
路基及其制造方法使用电路组件

[发明专利]高频热处理装置、高频热处理方法及高频热处理产品-CN200580030572.3有效
发明人：藤田工;铃木伸幸 -专利权人： NTN株式会社
申请日： 2005-09-08 - 公布日： 2007-10-03 - 主分类号： C21D1/10 文献下载
摘要：为了得到所希望的热处理质量，能够进行利用温度控制的热处理的高频热处理装置，具有调节被处理物体(1)的温度用的温度控制单元；以及决定对被加热的被处理物体(1)进行冷却的时刻用的淬火单元。温度控制单元包含加热单元(2)；温度控制用测温单元(3)；以及温度调节单元(4)。淬火单元包含淬火用测温单元(5)；以及热处理调节单元(6)。
高频热处理装置方法产品

[发明专利]盘驱动器与盘介质-CN200710087702.8无效
发明人：足利宽;铃木伸幸 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-02-27 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： G11B20/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种将至少一个盘(10)上的多个伺服柱面(20)划分为几个区域而且对每个区域设置并记录不同伺服信号频率的盘设备和盘介质。将伺服柱面(20)划分为预定区域并对每个区域设置不同伺服信号频率，以便调节伺服信号记录在盘(10)上的记录密度，从而使伺服信号解调特性处于较好范围内。在该盘设备中，最好对第一伺服信号频率区与和第一伺服信号频率区邻接的第二伺服信号频率区之间的边界形成在其内的相同伺服柱面上排列利用第一伺服信号频率写入的伺服信号图形和第二伺服信号频率写入的伺服信号图形的区域。
驱动器介质

[发明专利]高频热处理装置、高频热处理方法及通过该方法制造的加工制品-CN200580032951.6无效
发明人：藤田工;铃木伸幸 -专利权人： NTN株式会社
申请日： 2005-09-27 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： C21D1/18 文献下载
摘要：为了提供进行基于温度控制的高频回火的热处理装置及其处理方法，本发明的高频热处理装置为通过高频波加热被处理物(1)而进行回火的热处理装置，其特征在于，具备调节所加热的被处理物(1)的温度的温度控制单元。优选的形态中，温度控制单元具有通过高频波加热被处理物(1)的加热部件(2)、测定被加热部件(2)加热的被处理物(1)的温度的温度控制用测温部件(3)以及连接该测温部件(3)的基于来自测温部件(3)的温度信息向加热部件(2)输出温度控制信号的温度调节部件(4)，还具备具有测定被加热部件(2)加热的被处理物(1)的回火温度的回火用测温部件(5)以及连接该测温部件(5)的基于来自测温部件(5)的温度信息调节回火时间的回火时间调节部件(6)的回火控制单元。
高频热处理装置方法通过制造加工制品

[发明专利]盘定位信息写入方法及装置、信息记录再现装置及记录介质-CN03826849.3无效
发明人： 铃木伸幸 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2003-07-30 - 公布日： 2006-08-02 - 主分类号： G11B20/12 文献下载
摘要：为了对盘状记录介质写入信息或读出被写入盘状记录介质中的信息，而把头在该盘状记录介质上定位用的定位信息预先写入该盘状记录介质时，盘状记录介质的一圈的该定位信息，由沿着该一圈的路径、通过多个绕圈写入的部分和仅通过一个绕圈写入的部分构成。
定位信息写入方法装置记录再现介质

[发明专利]用于锂二次电池的电极材料和具有该电极材料的电极结构-CN200480007945.0无效
发明人：川上总一郎;浅野昌也;铃木伸幸;山田康博;小仓孝夫 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2004-03-24 - 公布日： 2006-04-26 - 主分类号： H01M4/38 文献下载
摘要：根据本发明的用于锂二次电池的电极材料包括具有硅作为主要成分的固态合金的颗粒，其中固态合金的颗粒具有微晶或非晶材料，这种材料包括分散在微晶硅或非晶硅中的除了硅之外的元素。固态合金优选包含纯金属或固溶体。此外，合金的组分优选具有这样的元素成分：合金完全混合在熔化的液态中，由此合金具有熔化的液态单相，而不存在两相或更多相。元素组分可以由构成合金的元素种类以及元素的原子比率确定。
用于二次电池电极材料具有结构

[发明专利]电子线路单元-CN200410056291.2无效
发明人： 铃木伸幸;久保田浩 -专利权人：阿尔卑斯电气株式会社
申请日： 2004-08-06 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： H05K1/09 文献下载
摘要：本发明提供电子线路单元，能防止布线图形之间的迁移，布线图形之间不短路。该电子线路单元具有：由绝缘材料构成的电路板(1)、形成在该电路板(1)的至少一个面上的布线图形(2)、以及具有连接到该布线图形(2)上的端子(10b)的半导体部件(10)；布线图形(2)具有多个连接部(3)以及多个第1导电图形(4)，多个连接部互相设有间隔，连接端子(10b)，多个第1导电图形从该连接部(3)延伸，互相设有间隔；连接部(3)、以及从连接部(3)延伸到半导体部件(10)附近位置上的第1导电图形(4)由金形成。所以，在半导体部件附近形成密集状态的连接部之间和第1导电图形之间，能防止迁移(银的移动)，因此布线图形之间无短路。
电子线路单元

1
2
下一页»
尾页
共 27 条