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[发明专利]用于输出声音的电子装置和用于操作其的方法-CN202180062600.9在审
发明人：高承焕;郑圣勋;金麒渊;金东珍;金荣宽;金俊镐;金泰宣;金贤香;朴正槿 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H04R1/10 文献下载
摘要：根据实施例，一种电子装置包括：存储器；通信模块，包括通信电路；第一扬声器，包括包含电路的至少一个振动部件；至少一个第一麦克风；以及处理器，配置为：基于在电子装置安装于托架上的情况下形成封闭空间，控制电子装置经由第一扬声器输出具有预定频率的第一声音；经由所述至少一个第一麦克风获得第三声音，第三声音是第一声音在封闭空间中的反射；经由所述至少一个第一麦克风获得第四声音，第四声音是第二声音在封闭空间中的反射，第二声音从位于封闭空间中的外部电子装置中包括的第二扬声器输出；以及基于第三声音和第四声音，识别第一扬声器、所述至少一个第一麦克风和第二扬声器的性能是否正常。
用于输出声音电子装置操作方法

[发明专利]出入门开闭控制装置及系统-CN202180053964.0在审
发明人：许晸;申光镐;崔荣藓;金荣宽 -专利权人：韩国土地住宅公社
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： G07C9/27 文献下载
摘要：提供一种出入门开闭控制装置(100)。所述出入门开闭控制装置(100)包括：QR码扫描仪(130)，构成为扫描输出的QR码用纸(240)中包含的QR码；以及控制器(140)，装载有用于基于在所述QR码扫描仪(130)中扫描的QR码的读取而生成出入门开闭控制信号，并根据所述生成的出入门开闭控制信号控制出入门(300)的开闭的程序，其中，所述出入门开闭控制装置(100)可以设置在配备于商业用建筑物内的洗手间。
入门开闭控制装置系统

[发明专利]固相前驱体输出装置及气相沉积系统-CN202310383052.0在审
发明人：邵大立;金荣宽;史皓然;齐彪;李宇晗;陆淋康 -专利权人：上海星原驰半导体有限公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本发明涉及一种固相前驱体输出装置及气相沉积系统。一种固相前驱体输出装置，固相前驱体输出装置包括：罩体，具有容置腔；装载组件，包括若干个装载盘；装载盘置于罩体的容置腔内，且沿容置腔的深度方向间隔排布；装载盘与容置腔的侧壁密封对接；容置腔的底壁与相邻装载盘间隔，形成气流中转腔；装载盘具有装载面；装载盘上设有若干个过孔；过孔沿垂直于装载面的方向贯穿装载盘；若干个扩散件，扩散件与过孔一一对应设置；扩散件具有一端开口的扩散腔；扩散件位于对应装载盘的装载面上，且其扩散腔的开口端与对应的过孔密封对接；扩散件还具有连通扩散腔和外部环境的扩散孔。
前驱输出装置沉积系统

[发明专利]出入门开闭控制装置及系统-CN202180053962.1在审
发明人：许晸;申光镐;崔荣藓;金荣宽 -专利权人：韩国土地住宅公社
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G07C9/00 文献下载
摘要：提供一种出入门开闭控制装置(100)。所述出入门开闭控制装置(100)包括：QR码扫描仪(130)，构成为扫描显示在用户终端(300)的QR码；以及控制器(150)，装载有用于基于在所述QR码扫描仪(130)中扫描的QR码的读取而生成出入门开闭控制信号，并根据所述生成的出入门开闭控制信号控制出入门(500)的开闭的程序，其中，所述出入门开闭控制装置(100)可以设置在配备于建筑物内的多个女性洗手间中的至少一部分女性洗手间。
入门开闭控制装置系统

[发明专利]便携式挖掘机-CN201711045280.8在审
发明人： 金荣宽 -专利权人： 金荣宽
申请日： 2017-10-31 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： A01B33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种便携式挖掘机，更详细而言，涉及便于挖掘土壤、破碎及切断土壤中树根等障碍物的便携式挖掘机，能够抑制瞬时的排斥力并实现轻量化，从而防止由于发动机的相对排斥力挖掘机扭转或作业人员姿势不稳定的现象，本发明的便携式挖掘机，其特征在于，包括：主体框架，设置有发动机，并具备把手部；钻机单元，具备钻头与螺旋叶片，钻头形成为轴形状，上端部位与所述发动机连接，下端部位插入于土壤内，螺旋叶片设置于所述上端部位与下端部位之间的中间部位；支撑单元，包括：支撑体，设置于所述钻机单元的旋转半径外侧的所述主体框架上，从而朝上下方向形成第一引导部；支撑构件，形成为轴形状借助所述第一引导部朝上下方向滑动，下端部位的局部插入于土壤内或与土壤摩擦接触；以及止动单元，设置于所述主体框架上，根据使用者的操作限制所述支撑构件的滑动。
挖掘机主体框架土壤下端第一引导部螺旋叶片上端部位支撑构件发动机排斥力下方向轴形状滑动朝上钻机操作限制摩擦接触支撑单元止动单元钻头形成把手部轻量化障碍物支撑体钻头姿势破碎树根扭转挖掘

[发明专利]具备挖掘及切断功能的钻头的便携式动力旋转装置-CN201480077839.3在审
发明人： 金荣宽 -专利权人： 金荣宽
申请日： 2014-09-22 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： E02F3/06 文献下载
摘要：本发明提供一种具备挖掘及切断功能的钻头的便携式动力旋转装置，其特征在于，在旋转装置上可旋转地设置挖掘土壤的钻头，所述钻头，包括：轴部；螺旋桨，沿着所述轴部的外周边形成，使得挖掘土壤的同时搬移挖掘的土壤；旋转轴，形成在所述轴部的上部；连接插口，设置在所述旋转轴上用于调整长度；固定轴部，形成在所述轴部的下部，并插入在需要挖掘的土壤里进行旋转，具备挖掘及切断功能的钻头的便携式动力旋转装置，具备：一对水平刀刃，相对地设置于所述固定轴部与所述轴部的连接部位；隔层螺旋桨，相对称地分别一体连接在所述一对水平刀刃上，用于朝上部搬移土壤；切断刀刃，相对称地朝下倾斜地一体形成在所述一对水平刀刃；垂直刀刃，垂直突出地隔着规定间隔多个设置在所述螺旋桨的下侧叶片，使得挖掘时，借助所述切断刀刃切断土壤与树根，并借助所述垂直刀刃再次细分地切断沿着所述螺旋桨移动的土壤块。
具备挖掘切断功能钻头便携式动力旋转装置

[发明专利]用于搅拌改善软地的液体硬化剂的设备-CN02107553.0无效
发明人： 金荣宽 -专利权人：巨擎工程有限公司
申请日： 2002-03-15 - 公布日： 2003-06-04 - 主分类号： B01F3/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于搅拌改善软地的液体硬化剂的设备。该设备包括储存罐部分，它具有入料口和储存罐，储存罐中有混合叶轮，以及与每个储存罐相通的透明指示管；搅拌罐部分，它位于储存罐部分的下方，并具有搅拌罐、装在搅拌罐上的供应阀和分别安装在搅拌罐中的搅拌叶轮；液体混合物供应部分，它具有与储存罐连接的连接管，与连接管连接的供应管，与供应管连接的分配管；清洁水罐部分，它位于搅拌罐部分的前面，并具有多个清洁水罐。
用于搅拌改善液体硬化剂设备

[外观设计]液体硬化剂搅拌装置-CN02305041.1无效
发明人： 金荣宽 -专利权人：巨擘工程有限公司
申请日： 2002-03-12 - 公布日： 2002-10-16 - 主分类号： 15-04 文献下载
摘要：本搅拌装置为沉重设备，仰视图省略。
液体硬化剂搅拌装置

[发明专利]利用原子层沉积法形成薄膜的方法-CN00131893.4有效
发明人： 金荣宽;朴泳旭;林载顺;崔城济;李相忍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2000-10-06 - 公布日： 2001-04-25 - 主分类号： C23C26/00 文献下载
摘要：一种利用原子层沉积(ALD)方法形成薄膜的方法,在这种方法中,在一周期内在基底上形成薄膜,这个周期包括向装有基底的反应室注入第一反应物,该第一反应物包括形成薄膜的原子和配体;清除第一反应物,向反应室注入第二反应物;清除第二反应物。通过形成薄膜的原子与第二反应物之间的化学反应形成薄膜,并防止产生副产品,其中第二反应物与形成薄膜的原子的结合能大于配体与形成薄膜的原子的结合能。通过利用不含氢氧化物的一种物质作为第二反应物,清除第二反应物,使第二反应物与含氢氧化物的第三反应物反应,来抑制薄膜中氢氧化物副产品的产生。在清除第二反应物之后,注入第三反应物并被清除,该第三反应物是用于除去杂质,并改善薄膜的化学配比。通过这样做,就能获得化学配比良好且不含杂质的薄膜。
利用原子沉积形成薄膜方法

[发明专利]具有电容器保护层的半导体存储器件及其制备方法-CN00131892.6无效
发明人：李容卓;赵学柱;金荣宽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2000-09-10 - 公布日： 2001-04-25 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：具有电容器保护层的半导体存储器件以及制备半导体存储器件的方法。半导体存储器件的电容器被具有多层结构的密封层覆盖。密封层包括由不同材料组成的阻隔层和电容器保护层。阻隔层由能防止电容器介质层挥发和/或能防止位于阻隔层之下的材料层与电容器保护层之间反应的材料组成。电容器保护层由能防止氢扩散到电容器介质层中的材料层组成。此外,半导体存储器件可具有在电容器与钝化层之间的作为另一电容器保护层的氢阻挡层。
具有电容器保护层半导体存储器件及其制备方法

[发明专利]半导体器件和制造这种半导体器件的方法-CN00108946.3无效
发明人： 金荣宽;朴兴秀;朴泳旭;李相忍;张允僖;李钟镐;崔城济;李承桓;林载顺;李周远 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2000-05-19 - 公布日： 2001-02-21 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：一种半导体器件,包括由硅族材料构成的第一电极、依次将反应物加到第一电极上形成的绝缘层、和其逸出功大于第一电极的逸出功的第二电极,此第二电极是在绝缘层上形成的。在电容器结构中,第一电极和第二电极可以分别是下层电极和上层电极。在晶体管结构中,第一电极和第二电极可以分别是硅衬底和栅极。绝缘层可以通过原子层析出法来形成。因此,在这种半导体器件中,有可能提高绝缘层的绝缘性能和增大电容器结构中的电容量。
半导体器件制造这种方法

[发明专利]半导体器件的电容器及其形成方法-CN98115946.X有效
发明人： 金荣宽;朴仁善;李相旼;朴昌洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1998-07-10 - 公布日： 1999-07-14 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明提供一种使用含硅导电层作为存储节点的高电容的电容器及其形成方法。电容器包括存储节点、非晶Al2O3介质层和平板节点。此时,通过将反应汽相材料提供到存储节点上的方法,例如原子层淀积法形成非晶Al2O3层。此外,在形成非晶Al2O3层之前,对存储节点进行快速热氮化处理。形成平板节点后在约850℃下通过退火致密非晶Al2O3层,由此实现接近理论值30埃的氧化层的等效厚度。
半导体器件电容器及其形成方法

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