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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]非易失性存储器装置及其操作方法及非易失性存储器封装-CN201811132920.3有效
发明人：郑凤吉;金炯坤;郑东勳;崔明勳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-09-27 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：一种非易失性存储器装置的操作方法包含：从非易失性存储器装置的外部接收控制信号及数据信号；基于控制信号及数据信号产生调试信息；从非易失性存储器装置的外部接收调试信息请求；以及响应于调试信息请求输出调试信息。也提供一种非易失性存储器装置和一种非易失性存储器封装。
非易失性存储器装置及其操作方法封装

[发明专利]存储装置及其操作方法-CN202211337685.X在审
发明人：南尚完;金炯坤;郑凤吉;洪允镐;黄柱盛 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：公开的是存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：存储块，所述存储块与多条字线连接；电压发生电路，所述电压发生电路被配置为通过多条驱动线来输出第一非选择电压；以及地址译码电路，所述地址译码电路被配置为将所述多条驱动线与所述多条字线中的未选字线连接。在所述多条字线的字线设置时段期间，所述电压发生电路在所述未选字线中的第一未选字线达到第一目标电平时使所述多条驱动线当中的与所述第一未选字线相对应的第一驱动线浮置，并且在所述未选字线中的第二未选字线达到与所述第一目标电平不同的第二目标电平时使所述多条驱动线当中的与所述第二未选字线相对应的第二驱动线浮置。
存储装置及其操作方法

[发明专利]包括锁存器的页缓冲器和包括该页缓冲器的存储器件-CN202210749453.9在审
发明人：郑基镐;南尚完;金炯坤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：一种存储器件，包括：页缓冲器电路，所述页缓冲器电路包括连接到多条位线中的每条位线的页缓冲器。页缓冲器包括：至少一个附加锁存器和N个数据锁存器；以及控制逻辑电路，控制页缓冲器的设置。基于第一设置，将在当前编程操作中编程的数据存储在N个数据锁存器中的一些数据锁存器和至少一个附加锁存器中，并且在完成当前编程操作之前，将要在下一编程操作中编程的数据存储在N个数据锁存器中的其他数据锁存器和至少一个附加锁存器中。基于第二设置，在当前编程操作和下一编程操作中不将外部提供的数据存储在至少一个附加锁存器中。
包括锁存器缓冲器存储器件

[发明专利]非易失性存储器设备-CN202210637209.3在审
发明人：任琫淳;金炯坤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2023-02-07 - 主分类号： H10B43/40 文献下载
摘要：一种非易失性存储器设备，包括存储器单元区和在垂直方向上在存储器单元区下方的外围电路区。存储器单元区包括上基底、在垂直方向上延伸的沟道结构和在第一方向上延伸的第一上金属线。外围电路区包括在第二方向上延伸的第一下金属线和第一下金属线上的第一过孔结构以及第一下金属线上的第二过孔结构，第二过孔的顶表面与上基底接触。存储器单元区还包括穿过上基底和第一过孔结构并将第一上金属线电连接到第一下金属线的第一贯穿孔结构；并且第一上金属线通过第一贯穿孔结构、第一下金属线和第二过孔结构电连接到上基底。
非易失性存储器设备

[发明专利]共聚的饱和聚酯树脂和包含其的涂覆组合物-CN201980011815.0有效
发明人： 金炯坤;沈宗基;金舜琪 -专利权人： SK化学公司
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： C08G63/181 文献下载
摘要：本发明涉及共聚的饱和聚酯树脂和包含其的涂覆组合物。提供了共聚的饱和聚酯树脂和涂覆组合物，其在形成为涂覆膜时具有优异的耐热水性、耐化学品性和可加工性，并且表现出优异的对金属基底的粘附性，因此特别可用于对罐和预涂覆金属(PCM)进行涂覆。
共聚饱和聚酯树脂包含组合

[发明专利]非易失性存储设备和对非易失性存储设备进行编程的方法-CN202111375557.X在审
发明人：朴准镛;金炯坤;金炳秀;曹诚敏 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：一种用于对非易失性存储设备中包括的多个存储单元中的至少一个存储单元进行编程的方法，至少一个存储单元包括字线和位线，该方法包括：分别基于第一条件和第二条件执行第一编程和验证操作以及第二编程和验证操作，其中，每个编程和验证操作包括：由非易失性存储设备中包括的电压生成器生成编程电压和位线电压；以及分别向字线和位线提供编程电压和位线电压，其中，编程电压和位线电压各自的电压电平和电压施加时间分别与第一条件或第二条件相对应，其中，第一条件不同于第二条件。
非易失性存储设备进行编程方法

[发明专利]存储器件、存储系统及其操作方法-CN202111358539.0在审
发明人：金珉奭;张俊锡;金炯坤;李先庸 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-11-16 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：一种操作存储器件的方法，该方法包括：执行第一编程操作以形成多个第一阈值电压分布；以及基于偏移信息，通过使用粗略验证电压和精细验证电压来执行第二编程操作，以从多个第一阈值电压分布形成分别与多个编程状态对应的多个第二阈值电压分布，其中，偏移信息包括根据第二阈值电压分布的特性而变化的多个偏移。
存储器件存储系统及其操作方法

[发明专利]非易失性存储器件、包括其的存储装置以及其读取方法-CN202111203478.0在审
发明人：金珉奭;金炯坤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本申请提供了非易失性存储器件、包括其的存储装置以及其读取方法。所述非易失性存储器件从控制器接收读取命令和地址，并且响应于所述读取命令执行数据恢复读取操作。在所述数据恢复读取操作中，对多个干扰源组中的每一个干扰源组重复地执行从连接到与根据所述地址选择的字线相邻的字线的存储单元获得干扰源组信息的操作以及恢复与连接到根据所述地址选择的字线的存储单元中的所获得的干扰源组信息相对应的数据的操作。
非易失性存储器包括存储装置及其读取方法

[发明专利]对单元串执行预充电的非易失性存储器件及其编程方法-CN202111070540.3在审
发明人：金炳秀;金炯坤;朴径秀;白世振;尹相范 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G11C16/24 文献下载
摘要：一种非易失性存储器件包括存储单元阵列以及控制电路，所述存储单元阵列包括多个单元串，其中，所述多个单元串中的每个单元串包括串联连接在位线与公共源极线之间的串选择晶体管、多个存储单元以及接地选择晶体管；所述控制电路被配置为：对所述多个存储单元当中的选定存储单元执行编程操作，并且在验证阶段中包括的预充电阶段中对包括所述选定存储单元的选定单元串进行预充电，其中，当向连接到所述选定存储单元的选定位线施加第一预充电电压时，所述选定单元串被预充电。
单元执行充电非易失性存储器及其编程方法

[发明专利]负电平移位器和包括其的非易失性存储器件-CN202110693004.2在审
发明人：杨秀烈;金炯坤;宋永先 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：一种包括移位电路和锁存电路的负电平移位器。该移位电路使用具有不同特性的低电压晶体管和高电压晶体管，使第一输入信号的电平和第二输入信号的电平移位，以在第一输出节点和第二输出节点处分别提供第一输出信号和第二输出信号，第一输出信号与第二输出信号具有互补的电平。该锁存电路在第一输出节点和第二输出节点处连接到移位电路，锁存第一输出信号和第二输出信号，接收电平小于接地电压的负电压，并且基于第一输出节点处的电压电平和第二输出节点处的电压电平，分别互补地将第二输出信号和第一输出信号驱动到电源电压的电平或负电压的电平。
电平移位包括非易失性存储器

[发明专利]非易失性存储器装置及对其单元进行计数的方法-CN202110966900.1在审
发明人：金珉奭;金炯坤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： G11C8/04 文献下载
摘要：公开了非易失性存储器装置及对其单元进行计数的方法。在对非易失性存储器装置中的存储器单元的数量进行计数的方法中，将用于单元计数操作的测量窗的测量范围和多个测量区间分别设置为第一范围和多个第一区间。所述多个测量区间包括在测量范围中。基于测量窗对包括在存储器单元阵列的第一区域中的第一存储器单元执行第一感测操作。在测量范围的宽度和多个测量区间中的每个的宽度被保持的同时，执行用于移位测量窗的第一移位操作。基于通过第一移位操作移位的测量窗对第一存储器单元执行第二感测操作。基于第一感测操作的结果和第二感测操作的结果来获得第一存储器单元的最终计数值。
非易失性存储器装置单元进行计数方法

[发明专利]非易失性存储装置、其编程方法和具有其的存储设备-CN202111006312.X在审
发明人：张俊锡;金炯坤;尹相范;金东煜;朴径秀;白世振 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：提供了非易失性存储装置、其编程方法和具有其的存储设备。所述对非易失性存储装置进行编程的方法包括：在编程循环中执行单脉冲编程操作；确定在编程循环中条件是否被满足；以及当条件被满足时，在下一个编程循环中执行多脉冲编程操作。单脉冲编程操作包括施加第一编程脉冲和施加多个验证脉冲，多脉冲编程操作包括施加第二编程脉冲、施加第三编程脉冲和施加多个验证脉冲，并且第二编程脉冲和第三编程脉冲的电平均比第一编程脉冲的电平低。
非易失性存储装置编程方法具有设备

[发明专利]使用时间交错采样页面缓冲器执行读取操作的存储设备-CN202110838978.5在审
发明人：金志秀;金炯坤;朴商秀;张俊锡;金珉奭 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：提供了一种通过使用时间交错采样页面缓冲器执行读取操作的存储设备。所述存储设备利用特定时间差控制感测偶数页面缓冲器电路的位线的感测时间点以及感测奇数页面缓冲器电路的位线的感测时间点，并且以偶数感测和奇数感测的所述顺序执行奇偶感测(EOS)操作。所述存储设备执行两步EOS操作，并根据所述两步EOS操作的结果对选定存储单元执行主感测操作。
使用时间交错采样页面缓冲器执行读取操作存储设备

[发明专利]存储器设备及其操作方法-CN202110742334.6在审
发明人：金佳林;金炯坤;李知尚;张俊锡;郑原宅 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-01 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种存储器设备，包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；电压生成器，被配置为生成用于存储器单元的编程操作和验证操作的电压；以及控制逻辑，被配置为在向存储器单元阵列写入数据的同时执行多个编程循环，使得执行包括编程操作和验证操作的第一至第N(例如，N≥1)编程循环，并且当第N编程循环中的编程操作的通过/失败确定指示通过时，执行其中跳过验证操作的至少两个编程循环。
存储器设备及其操作方法

[发明专利]非易失性存储设备-CN201710099063.0有效
发明人：郑凤吉;金炯坤 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-02-23 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：一种非易失性存储设备，包括非易失性存储单元阵列、页缓冲器电路、数据输入/输出电路和控制逻辑，其中N位存储在单个存储单元中(N是大于或等于2的整数)，页缓冲器电路电连接至非易失性存储单元阵列。页缓冲器电路包括被配置为临时存储数据的至少N个锁存器。连接至页缓冲器电路的数据输入/输出电路接收编程的输入数据，并将该输入数据提供至页缓冲器电路。控制逻辑控制页缓冲器电路并在从数据输入/输出电路接收编程单元的所有输入数据之前初始化目标锁存器的值。
非易失性存储设备

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