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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN201910216931.8有效
发明人：赵珉熙;金俊秀;李浩;金灿景;金会承;闵在泓;朴相郁;宋宇彬;李相遇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了半导体装置及其形成方法。所述半导体装置可以包括半导体基底以及位于半导体基底中的有源区域，其中，有源区域可以包括具有氧的可变原子浓度的氧化物半导体材料。第一源/漏区可以位于有源区域中，其中，第一源/漏区可以具有氧化物半导体材料中的氧的第一原子浓度。第二源/漏区可以位于与第一源/漏区分隔开的有源区域中，沟道区域可以位于第一源/漏区与第二源/漏区之间，其中，沟道区域可以具有氧化物半导体材料中的氧的第二原子浓度，氧的第二原子浓度低于氧的第一原子浓度。栅电极可以位于沟道区域上并且可以在第一源/漏区与第二源/漏区之间延伸。
半导体装置及其形成方法

[发明专利]具有提高的延迟的存储器器件及其操作方法-CN201710328898.9有效
发明人：车秀镐;金灿景;朴晟喆;崔光哲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-05-11 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G11C11/408 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器器件，其包括连接到字线和第一位线的第一存储器单元，连接到所述字线和第二位线的第二存储器单元，被配置为选择字线的行解码器，以及列解码器。所述行解码器和所述第一存储器单元之间的第一距离比所述行解码器和所述第二存储器单元之间的第二距离短。所述列解码器基于当第一存储器单元被激活的时间点来选择第一位线。
具有提高延迟存储器器件及其操作方法

[发明专利]存储器模块和用于存储器模块的处理数据缓冲器-CN201710953332.5有效
发明人：吴成一;金南昇;孙永训;金灿景;宋镐永;安廷镐;黄祥俊 -专利权人：三星电子株式会社;首尔大学校产学协力团;威斯康星校友研究基金会
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：提供了存储器模块和用于存储器模块的处理数据缓冲器。存储器模块包括存储器装置、命令/地址缓冲装置和处理数据缓冲器。存储器装置包括：存储器单元阵列；第一输入/输出端子组，每个端子被配置为接收第一命令/地址位；第二输入/输出端子组，每个端子被配置为接收数据位和第二命令/地址位两者。命令/地址缓冲装置被配置为向第一输入/输出端子组输出第一命令/地址位。处理数据缓冲器被配置为向第二输入/输出端子组输出数据位和第二命令/地址位。存储器装置被配置为使得第一命令/地址位、第二命令/地址位和数据位均用来访问存储器单元阵列。
存储器模块用于处理数据缓冲器

[发明专利]存储器系统及其操作方法-CN202211411089.1在审
发明人：李相吉;全浩镇;金灿景;李容在;赵根熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-11-11 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G06F11/14 文献下载
摘要：公开了存储器系统及其操作方法。所述存储器系统包括第一非易失性存储器装置；第二非易失性存储器装置；至少一个易失性存储器装置，被配置为：存储用户数据或映射表；以及存储器控制器，被配置为：当发生突然断电时，将用户数据从所述至少一个易失性存储器装置数据转储到第一非易失性存储器装置。第一非易失性存储器装置具有比第二非易失性存储器装置快的数据写入速度，并且具有比第二非易失性存储器装置小的容量。
存储器系统及其操作方法

[发明专利]包括缓冲存储器的存储器器件和存储器模块-CN201710456913.8有效
发明人： 金灿景;朴晟喆;车秀镐;吴成一;崔光哲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储器器件和存储器模块。所述存储器器件可包括：连接至字线和位线的存储器单元；第一位线感测放大器，其通过位线连接至存储器单元，并且构造为放大位线的信号；以及第二位线感测放大器，其邻近于第一位线感测放大器布置，并且不连接至位线。可通过从处理器接收的地址选择第二位线感测放大器，并且可根据从处理器接收的命令将数据存储在第二位线感测放大器中或者从第二位线感测放大器输出数据。在本文所述的一些方面，存储器器件可包括高速操作的缓冲存储器，从而提高了存储器模块的性能。
包括缓冲存储器存储器器件模块

[发明专利]存储器设备、包括其的存储器封装以及包括其的存储器模块-CN201710485044.1有效
发明人：朴晟喆;金灿景;车秀镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G11C11/408 文献下载
摘要：公开了存储器设备、包括存储器设备的存储器封装以及包括存储器设备的存储器模块。存储器封装包括配置为响应于来自外部设备的第一芯片选择信号而操作的第一存储器设备、配置为响应于来自外部设备的第二芯片选择信号而操作的第二存储器设备以及配置为响应于来自外部设备的第三芯片选择信号而操作的第三存储器设备。第三存储器设备包括缓冲单元，该缓冲单元通过内部数据线与第三存储器设备的内部电路连接，通过第一存储器数据线与第一存储器设备连接，通过第二存储器数据线与第二存储器设备连接，并且通过数据线与外部设备连接。
存储器设备包括封装以及模块

[发明专利]存储器封装，包括其的存储器模块及存储器封装操作方法-CN201710061219.6有效
发明人： 金灿景;姜郁成;金南升 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-01-25 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：公开了存储器封装。该存储器封装包括非易失性存储器芯片、其存取速度比非易失性存储器芯片的存取速度快的易失性存储器芯片和逻辑芯片，该逻辑芯片用于响应于来自外部装置的刷新命令执行关于易失性存储器芯片的刷新操作和当执行刷新操作时将非易失性存储器芯片中存储的数据的至少一部分迁移到易失性存储器芯片。
存储器封装包括模块操作方法

[发明专利]电阻存储器装置以及读取电阻存储器装置中数据的方法-CN202110993705.8在审
发明人： 金灿景 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本公开涉及了电阻存储器装置以及读取电阻存储器装置中数据的方法。电阻存储器装置包括电阻存储器单元、被连接到电阻存储器单元的一端的源线、被连接到电阻存储器单元的另一端的位线、以及被连接到源线和位线的感测电路。感测电路被配置为基于流过电阻存储器单元的读取电流生成从第一电压电平上拉到第二电压电平的上拉信号，基于读取电流生成从第三电压电平下拉到第四电压电平的下拉信号，以及基于所生成的上拉信号和所生成的下拉信号之间的差来确定存储在电阻存储器单元中的数据。
电阻存储器装置以及读取数据方法

[发明专利]用于写入数据的电阻式存储器装置及其操作方法-CN202110861245.3在审
发明人： 金灿景 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：提供了用于写入数据的电阻式存储器装置及其操作方法。所述电阻式存储器装置包括：电阻式单元，连接在第一位线与第一源极线之间；参考单元，包括参考电阻器，并且连接在第二位线与第二源极线之间；以及写入驱动器，可切换地连接到第一位线或第一源极线，可切换地连接到第二位线或第二源极线。写入驱动器包括比较器，比较器被配置为：通过将第一源极线的电压与第二源极线的电压进行比较或将第一位线的电压与第二位线的电压进行比较来将已写入电阻式单元中的先前数据与目标数据进行比较，并且在将先前数据与目标数据进行比较之后确定目标数据是否被写入电阻式单元中。
用于写入数据电阻存储器装置及其操作方法

[发明专利]磁性随机存取存储器-CN201710454316.1有效
发明人： 金灿景;姜东锡;金惠珍;朴哲佑;孙东贤;李润相;姜尚范;吴泂录;车秀镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-05-17 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：公开了一种磁性随机存取存储器(MRAM)、包括其的存储模块和存储系统、以及MRAM的控制方法。MRAM包括被配置为根据磁化方向在至少两个状态之间变化的磁性存储单元，以及支持多个工作模式的模式寄存器。
磁性随机存取存储器

[发明专利]存储器模块、具有其的计算系统及测试其标签错误的方法-CN201710357927.4有效
发明人：吴成一;金灿景;孙钟弼 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-05-19 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：公开了存储模块、具有该存储模块的计算系统以及测试计算系统的标签错误方法。该计算系统的方法包括：在处理器处将命令和地址输出到存储器模块；从存储器模块接收指示将对应于地址的标签与存储在存储器模块中的标签进行比较的结果的匹配/不匹配比特；在处理器处通过使用多数表决根据匹配/未匹配比特中确定高速缓存命中/未命中；以及在处理器处将所确定的高速缓存命中/未命中的信息输出到存储器模块。
存储器模块具有计算系统测试标签错误方法

[发明专利]用于产生参考电压的包括存储器单元的存储器装置-CN201710397863.0有效
发明人：车秀镐;金灿景;朴晟喆;宋镐永;崔光哲 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-05-31 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：提供了一种用于产生参考电压的包括存储器单元的存储器装置。该存储器装置包括第一存储器单元、第二存储器单元、第三存储器单元、位线感测放大器和开关电路。第一存储器单元连接到第一字线和第一位线。第二存储器单元连接到第一字线和第二位线。第三存储器单元连接到第一字线和第三位线。位线感测放大器连接到第三位线。开关电路连接到第一位线、第二位线和位线感测放大器。开关电路执行第一存储器单元与第一位线之间的电荷共享以产生第一参考电压，并且执行第二存储器单元与第二位线之间的电荷共享以产生第二参考电压。
用于产生参考电压包括存储器单元装置

[发明专利]磁性结存储器设备及其写入方法-CN202010704346.5在审
发明人： 金灿景;金知妍;郑铉泽;金智恩;金泰成;郑尚勋;朱宰郁 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：提供了磁性结存储器设备和用于将数据写入存储器设备的方法。磁性结存储器设备包括：第一存储器组，包括第一磁性结存储器单元；第一本地写入驱动器，与第一存储器组相邻，连接到全局数据线，第一本地写入驱动器被配置为经由本地数据线将数据写入第一磁性结存储器单元；第二存储器组，与第一存储器组相邻并且包括第二磁性结存储器单元；第二本地写入驱动器，与第二存储器组相邻，连接到全局数据线，第二本地写入驱动器被配置为经由本地数据线将数据写入第二磁性结存储器单元；以及全局写入驱动器，被配置为经由全局数据线分别向第一本地写入驱动器和第二本地写入驱动器提供第一写入数据和第二写入数据。
磁性结存设备及其写入方法

[发明专利]磁结存储装置及其读取方法-CN202010636192.0在审
发明人： 金灿景;李恩知;金知妍;金泰成;朱宰郁 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：提供了一种磁结存储装置。所述磁结存储装置包括读出电路，其包括读出节点，所述读出节点连接到晶体管的第一端部并且被配置为根据磁结存储器单元的电阻改变所述读出节点的电压；选通电压生成器电路，其被配置为使用参考电阻器和参考电压来生成所述晶体管的选通电压；以及读取电路，其被配置为使用所述参考电压和所述读出节点的电压来从所述磁结存储器单元读取数据。
结存装置及其读取方法

[发明专利]非易失性存储器模块、具有其的计算系统及其操作方法-CN201611152034.8有效
发明人： 金灿景;姜郁成;车相彦;徐圣镕;赵永进;吴成一 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-12-14 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： G06F12/02 文献下载
摘要：一种非易失性存储器模块包括：至少一个非易失性存储器；至少一个非易失性存储器控制器，被配置为控制非易失性存储器；至少一个动态随机存取存储器(DRAM)，用作至少一个非易失性存储器的缓存；数据缓冲器，被配置为存储在至少一个DRAM与外部设备之间交换的数据；和存储器模块控制设备，被配置为控制非易失性存储器控制器、至少一个DRAM和数据缓冲器。至少一个DRAM存储对应于缓存数据的标签并且比较存储的标签与输入的标签信息，以确定是否输出缓存数据。
非易失性存储器模块具有计算系统及其操作方法

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