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[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法-CN201710749122.4有效
发明人： 金昶和;萧养康;曾伟雄 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-08-28 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体装置包括：衬底，具有有源区；栅极结构，设置在所述有源区上；源极/漏极区，在所述栅极结构的一侧设置在所述有源区中；第一层间绝缘层及第二层间绝缘层，依序设置在所述栅极结构及所述源极/漏极区上；第一接触插塞，穿过所述第一层间绝缘层连接到所述源极/漏极区；第二接触插塞，穿过所述第一层间绝缘层及所述第二层间绝缘层连接到所述栅极结构；第一金属线，设置在所述第二层间绝缘层上，且具有金属通孔，所述金属通孔设置在所述第二层间绝缘层中且连接到所述第一接触插塞；以及第二金属线，设置在所述第二层间绝缘层上，且直接连接到所述第二接触插塞。所述第一接触插塞与所述第二接触插塞之间的间隔可为约10nm或小于10nm。
半导体装置制造方法

[发明专利]图像传感器及其制造方法-CN202210072528.4在审
发明人：朴商秀;金宽植;金昶和;金太䪸;林奎显 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-01-21 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种图像传感器及其制造方法。图像传感器包括：衬底，其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；以及像素隔离部分，其设置在衬底中，并且被配置为将单位像素彼此隔离。像素隔离部分包括：第一填充绝缘图案，其从第一表面朝着第二表面延伸，并且具有空气间隙区，第一填充绝缘图案包括第一侧壁和与第一侧壁相对的第二侧壁；导电结构，其包括第一侧壁上的第一部分、第二侧壁上的第二部分和将第一部分和第二部分连接的连接部分；以及绝缘衬垫，其设置在第一部分与衬底之间，并且设置在第二部分与衬底之间。
图像传感器及其制造方法

[发明专利]包含接触结构的半导体装置-CN201710325741.0有效
发明人：全辉璨;金昶和;河大元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种包含接触结构的半导体装置。半导体装置包含限定下部有源区的隔离区。第一源极/漏极区和第二源极/漏极区以及第一栅极电极和第二栅极电极在下部有源区上。第一源极/漏极区和第二源极/漏极区邻近于彼此。第一栅极遮盖图案和第二栅极遮盖图案分别在第一栅极电极和第二栅极电极上。第一接触结构和第二接触结构分别在第一源极/漏极区和第二源极/漏极区上。下部绝缘图案在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间。上部绝缘图案在第一接触结构与第二接触结构之间。氧化硅具有相对于形成上部绝缘图案、第一栅极遮盖图案以及第二栅极遮盖图案的绝缘材料的刻蚀选择性。
包含接触结构半导体装置

[发明专利]制造用于鳍式场效应晶体管的源极-漏极接触件的方法-CN201710446932.2有效
发明人：乔治·A·凯特尔;徐大卫;及川弘太;金昶和;沃克·森古皮塔;马克·S·罗德尔 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-06-14 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：提供了一种用于对鳍式场效应晶体管器件的源极‑漏极结构形成低寄生电容接触件的方法。在一些实施例中所述方法包括将长沟槽向下刻蚀至源极‑漏极结构，沟槽足够长以延伸横跨器件的所有源极‑漏极区。导电层形成在源极‑漏极结构上，沟槽填充有第一填充材料。第二、较窄沟槽沿第一沟槽的长度的一部分开口，并且填充有第二填充材料。第一填充材料可以是导电的，并且可以形成所述接触件。如果第一填充材料不是导电的，则第三沟槽可以在第一沟槽的未填充有第二填充材料的部分中开口，并且填充有导电材料以形成所述接触件。
制造用于场效应晶体管接触方法

[发明专利]图像传感器以及制造图像传感器的方法-CN202010083771.7在审
发明人： 金昶和;金宽植;金东灿;朴商秀;李范硕;李泰渊;林夏珍 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-02-10 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：一种图像传感器以及制造图像传感器的方法，所述图像传感器包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有第一浮置扩散区；模制图案，所述模制图案位于所述第一浮置扩散区上方，并且包括开口；第一光电转换部，所述第一光电转换部位于所述半导体衬底的表面；以及第一传输晶体管，所述第一传输晶体管将所述第一光电转换部连接到所述第一浮置扩散区。所述第一传输晶体管包括第一传输栅电极和位于所述开口中的沟道图案。所述沟道图案包括氧化物半导体。所述沟道图案还包括侧壁部分和中心部分，所述侧壁部分覆盖所述开口的侧表面，所述中心部分从所述侧壁部分延伸到所述第一传输栅电极上方的区域。
图像传感器以及制造方法

[发明专利]图像传感器及其制造方法-CN202010004290.2在审
发明人： 金昶和;金宽植;金润庆;朴商秀;李范锡;李泰渊;崔珉准 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本公开提供了一种图像传感器及其制造方法，该图像传感器包括：半导体基板，具有彼此面对的第一表面和第二表面；第一光电转换部分，设置在半导体基板的第二表面上；第一浮置扩散区，与第一表面相邻地提供在半导体基板中；覆盖第一表面的第一层间绝缘层；在第一层间绝缘层上的第一沟道图案；以及第一传输栅电极，与第一沟道图案相邻地设置，并控制在第一光电转换部分中产生的电荷通过第一沟道图案传输到第一浮置扩散区。
图像传感器及其制造方法

[发明专利]图像传感器-CN201911312886.2在审
发明人：李贵德;金政勳;金昶和;朴商秀;严祥训;李范硕;李泰渊;任东模 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L27/30 文献下载
摘要：本申请提出一种图像传感器。滤色器设置在衬底上。有机光电二极管设置在所述滤色器上。所述有机光电二极管包括：电极绝缘层，在所述衬底上具有凹槽区；第一电极，位于所述滤色器上，所述第一电极填充所述电极绝缘层的所述凹槽区；第二电极，位于所述第一电极上；以及有机光电转换层，夹置在所述第一电极与所述第二电极之间。所述第一电极包括相对于所述电极绝缘层的所述凹槽区的侧表面以第一角度延伸的接缝。
图像传感器

[发明专利]图像传感器-CN201910959825.9在审
发明人：李泰渊;金昶和;金宰浩;朴相千;李贵德;李范硕;李宰圭;笕和宪 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-10-10 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L27/30 文献下载
摘要：图像传感器包括：第一有机光电转换层，其位于基底层上；浮置扩散区域，其位于基底层中；第一存储节点，其包括被构造为接收偏置信号的第一电极层、包括半导体材料的第一半导体层的第一部分和第一电介质层的第一部分。第一电介质层在第一电极层与第一半导体层之间延伸。第一存储节点电连接至第一有机光电转换层。图像传感器包括：第一转移晶体管，其包括第一电介质层、第一半导体层和被构造为接收第一转移控制信号的第一转移栅电极。第一转移晶体管具有电连接至第一存储节点的第一端和电连接至浮置扩散区域的第二端。
图像传感器

[发明专利]图像传感器-CN201910521368.5在审
发明人：金宽植;金昶和;金润庆;朴商秀;李范硕;赵万根;崔珉准 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：第一基底；第一结构，位于第一基底的前表面上，第一结构包括围绕第一导电层的第一层间绝缘层；第二基底；第二结构，位于第二基底的面对第一基底的前表面的前表面上，第二结构包括第二层间绝缘层，第二层间绝缘层结合到第一层间绝缘层；有机光电层，位于第二基底的后表面上；以及通路电极结构，穿过第二基底和第二结构与第一导电层接触，通路电极结构包括位于通路电极结构中的气隙。
图像传感器

[发明专利]图像传感器-CN201910500928.9在审
发明人： 金昶和;金宽植;朴商秀;李范硕;赵万根;崔珉准 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：基底，具有位于其中的光电转换元件；第一通孔，延伸到基底的第一表面，使得第一通孔的第一上表面邻近基底的第一表面暴露，第一通孔的第二上表面远离基底的第一表面延伸；第一绝缘膜至第三绝缘膜，顺序堆叠在基底的第一表面上；以及接触件，延伸穿过第一绝缘膜至第三绝缘膜，并延伸到第一通孔的第二上表面。接触件包括在第一通孔内的第一部分、在第一绝缘膜中的第二部分、在第二绝缘膜中的第三部分和在第三绝缘膜中的第四部分。
图像传感器

[发明专利]图像传感器-CN201910503830.9在审
发明人：崔珉准;金宽植;金昶和;朴商秀;赵万根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-06-12 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：衬底，包括与光入射的第二表面相对的第一表面；第一光电转换层，位于衬底中；包括多个布线层的布线结构，位于衬底的第一表面上；层间绝缘膜，位于衬底的第二表面上；电容器结构，位于层间绝缘膜中；以及第一布线，位于层间绝缘膜上。所述电容器结构包括依次堆叠在衬底的第二表面上的第一导电图案、介电图案和第二导电图案。第二导电图案连接到第一布线。
图像传感器

[发明专利]图像传感器及其制造方法-CN201811561259.8在审
发明人：俞宗铉;金恩美;金俊;金昶和;朴商秀;边炅来;宋相勋 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-12-20 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L27/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器可以包括：具有多个像素区域的基板，光电转换器件和存储节点区域在所述多个像素区域中彼此间隔开；下接触通路，其在所述多个像素区域中在光电转换器件之间；第一绝缘层，其在下接触通路上并具有开口；上接触通路，其穿过第一绝缘层电连接到下接触通路并从第一绝缘层突出；第二绝缘层，其围绕第一绝缘层和上接触通路，开口中的第二绝缘层的上表面限定沟槽；以及填充沟槽的滤色器。可以提供暴露上接触通路的保护膜、在保护膜上并与上接触通路接触的第一透明电极、以及形成在第一透明电极上的有机光电层。
绝缘层图像传感器像素区域光电转换器件透明电极保护膜开口存储节点通路接触电连接光电层滤色器上表面基板填充制造穿过暴露

[发明专利]包括分束器的图像传感器-CN201811365455.8在审
发明人：金政勋;朴商秀;金昶和;金亨容;李范硕;赵万根;许在成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种图像传感器包括布置在半导体衬底处的多个光电二极管和布置在光电二极管上的分束器。分束器根据波长将入射光分割，使得不同颜色的分割光分别进入不同的光电二极管。分束器包括第一图案结构，第一图案结构具有多个折射层图案在横向上布置的剖面结构。
分束器光电二极管图像传感器图案结构半导体衬底处剖面结构入射光折射层分割波长图案

[发明专利]图像感测装置-CN201811299648.8在审
发明人：朴商秀;金政勋;金昶和;李范硕;张刚;赵万根 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-11-02 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：提供了一种图像感测装置。所述图像感测装置包括：光电器件，设置在半导体基底内；以及分离结构和电极结构，设置在半导体基底内，并围绕光电器件。分离结构包括第一导电图案和位于第一导电图案与半导体基底之间的第一绝缘分隔件。电极结构中的相应的一个包括第二导电图案和位于第二导电图案与半导体基底之间的第二绝缘分隔件。第一导电图案和第二导电图案由相同的导电材料形成。
导电图案半导体基底图像感测装置绝缘分隔件电极结构分离结构光电器件导电材料

[发明专利]图像传感器-CN201811215139.2在审
发明人： 金昶和;金政勋;朴商秀;李范硕;张刚;许在成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：公开了一种图像传感器，该图像传感器包括具有彼此相反的第一表面和第二表面的基板、在基板中的第一光电转换区和第二光电转换区、在第一光电转换区与第二光电转换区之间的贯通电极、在基板的第二表面上的绝缘结构、分别提供在第一光电转换区和第二光电转换区上的第一滤色器和第二滤色器、以及在绝缘结构上并电连接到贯通电极的光电转换层。贯通电极包括与第一表面相邻的第一端部和与第二表面相邻的第二端部。第一端部具有非平面形状。
光电转换区图像传感器第二表面贯通电极基板第一表面第一端部绝缘结构滤色器非平面形状光电转换层第二端部电连接

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