专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体封装-CN201910095219.7有效
  • 金容勋 - 三星电子株式会社
  • 2019-01-30 - 2023-08-22 - H10B80/00
  • 一种半导体封装,包括:封装基板;封装基板上的逻辑芯片;封装基板上的存储器堆叠结构,包括沿第一方向堆叠的第一导体芯片和第二半导体芯片;以及封装基板和存储器堆叠结构之间的第一凸块。逻辑芯片和存储器堆叠结构沿着与第一方向交叉的第二方向在封装基板上间隔开。第一半导体芯片包括:电连接到第二半导体芯片的穿通孔、连接到穿通孔的芯片信号焊盘、以及电连接到芯片信号焊盘且具有与第一凸块接触的边缘信号焊盘的第一再分布层。沿第二方向的逻辑芯片和边缘信号焊盘之间的距离小于逻辑芯片和芯片信号焊盘之间的距离。
  • 半导体封装
  • [发明专利]列驱动集成电路、列驱动集成电路模块和显示装置-CN202211184974.0在审
  • 李东翰;金容勋 - 三星电子株式会社
  • 2022-09-27 - 2023-04-11 - G09G3/3275
  • 提供一种列驱动集成电路、列驱动集成电路模块和显示装置。所述列驱动集成电路(IC)驱动显示面板中包括的连接到第一组像素的第一组像素线和所述显示面板中包括的连接到第二组像素的第二组像素线,所述列驱动IC包括:主灰度电压生成电路,所述主灰度电压生成电路被配置为对参考电压进行分压以生成抽头电压,并且基于至少一个所述抽头电压生成第一低功率模式灰度电压;以及第一低功率模式放大器,所述第一低功率模式放大器被配置为基于所述第一低功率模式灰度电压驱动所述第一组像素线。
  • 驱动集成电路模块显示装置
  • [发明专利]图像传感器封装-CN201711094476.6有效
  • 金容勋;金志澈;车承勇;金载春 - 三星电子株式会社
  • 2017-11-08 - 2022-12-02 - H01L27/146
  • 一种图像传感器封装包括在竖直方向上堆叠的图像传感器芯片、逻辑芯片和存储器芯片结构。所述图像传感器芯片包括像素阵列和互连结构,并接收电源电压、地电压或信号。所述逻辑芯片处理来自所述图像传感器芯片的像素信号,并经由所述图像传感器芯片接收电源电压、地电压或信号。所述存储器芯片结构包括存储器芯片、包围存储器芯片的模制部分、以及在竖直方向上穿过模制部分并与逻辑芯片或存储器芯片中的至少一个连接的至少一个模通孔接触件。存储器芯片存储由逻辑芯片处理的像素信号或来自图像传感器芯片的像素信号中的至少一个,并经由图像传感器芯片和逻辑芯片接收电源电压、地电压或信号。
  • 图像传感器封装
  • [发明专利]显示装置和显示装置的制造方法-CN202111461837.2在审
  • 李姸周;姜振圭;金容勋;李龙九;郑星在 - 三星显示有限公司
  • 2021-12-02 - 2022-08-30 - H01L27/32
  • 提供一种显示装置和显示装置的制造方法。显示装置可包括:基板;多个第一电极,配置在基板上;像素定义膜,配置在基板上,并且使多个第一电极各自的上表面的一部分露出来定义多个开口区域;间隔件,在多个开口区域之中的彼此相邻的两个开口区域之间配置在像素定义膜上;槽,贯通间隔件,并且至少一部分与将位于两个开口区域之间的最短距离处的两个点连接的假想直线重叠;第一公共层,覆盖多个第一电极、像素定义膜和间隔件;多个发光层,配置在多个开口区域各自的第一公共层上;以及第二电极,覆盖多个发光层和第一公共层,由此可提高显示装置的显示性能。
  • 显示装置制造方法
  • [发明专利]基板处理装置以及利用其的基板处理方法-CN202110964632.X在审
  • 郑秀泳;金庆勋;金容勋;李忠爀;郑星在 - 三星显示有限公司
  • 2021-08-20 - 2022-03-01 - H01J37/32
  • 公开一种基板处理装置及利用其的基板处理方法。基板处理装置包括:真空腔体;支承部,配置在所述真空腔体的内部,并支承被安装的基板;导流部,控制所述真空腔体内的气流;引导配管,与所述真空腔体连接而向外部引导所述真空腔体的内部的包括工序副产物和气体的异物质;泵,配置于所述引导配管而向外部排出所述异物质;以及异物反射部件,配置在所述导流部与所述引导配管的流入口之间,将所述气体和所述工序副产物因所述泵的螺旋桨被溅射的溅射异物反射到所述引导配管的流入口。由此,可以通过在导流部与引导配管的流入口之间配置异物反射部件,阻断因涡轮分子泵的螺旋桨引起的溅射异物从所述引导配管的流入口再次流入真空腔体的内部。
  • 处理装置以及利用方法
  • [发明专利]数模转换器-CN201610602118.0有效
  • 金容勋;朴炫相;金庚椿;李宰范 - 三星电子株式会社
  • 2016-07-27 - 2021-01-26 - G09G3/36
  • 提供一种数模转换器,包括放大器,包括与非反相输入端子相应的至少两个输入端子;以及斩波单元,在提供给与非反相输入端子相应的所述至少两个输入端子的电压之间执行斩波操作。数模转换器具有X+Y比特结构,并通过同时执行插值斩波操作和/或主缓冲器斩波操作来去除偏移。数模转换器结构可被实现在小的面积中,并且可以处理高比特图像数据。
  • 数模转换器
  • [发明专利]半导体封装件-CN202010165748.2在审
  • 金容勋;林栽贤;李润泰;姜思尹 - 三星电子株式会社
  • 2020-03-11 - 2020-10-27 - H01L25/18
  • 提供了一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:封装件结构,包括包含重新分布层的基体连接构件、包含连接到重新分布层的多个第一连接垫的第一半导体芯片、设置在基体连接构件上并覆盖第一半导体芯片的至少一部分的包封剂以及设置在包封剂上并包含电连接到重新分布层的背侧布线层的背侧连接构件;以及第二半导体芯片,设置在基体连接构件或背侧连接构件上,第二半导体芯片包括连接到重新分布层或背侧布线层的多个第二连接垫,第二半导体芯片还包括逻辑电路,第一半导体芯片还包括通过重新分布层和背侧布线层中的至少一者连接到逻辑电路的逻辑输入端子和逻辑输出端子。
  • 半导体封装
  • [发明专利]半导体封装件-CN201911153469.8在审
  • 李荣官;许荣植;韩泰熙;金容勋;李润泰 - 三星电子株式会社
  • 2019-11-22 - 2020-06-02 - H01L23/498
  • 本发明提供一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:框架,具有腔并且包括布线结构,所述布线结构使所述框架的第一表面和第二表面连接;第一连接结构,位于所述框架的所述第一表面上并且包括连接到所述布线结构的第一重新分布层;第一半导体芯片,在所述腔内位于所述第一连接结构上;包封剂,包封所述第一半导体芯片并且覆盖所述框架的所述第二表面;第二连接结构,包括第二重新分布层,所述第二重新分布层包括第一重新分布图案和第一连接过孔;以及第二半导体芯片,设置在所述第二连接结构上并且具有第二连接垫,所述第二连接垫连接到所述第二重新分布层。
  • 半导体封装

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