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[发明专利]数据处理装置-CN201911086589.0有效
发明人： 金大成;郑普释;姜淳容 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本公开涉及一种数据处理装置。该数据处理装置包括：多个变量节点，被配置成接收和存储多个目标位；多个校验节点，每个校验节点被配置成从多个变量节点之中的一个或多个相应变量节点接收所存储的目标位，校验所接收的目标位是否具有错误位，并将校验结果传输到相应变量节点；以及组状态值管理器，被配置成确定多个变量节点被分组成的变量节点组的组状态值。每个变量节点重复迭代，该迭代包括基于在先前迭代中针对相应变量节点组所确定的先前组状态值和多个校验节点中的一个或多个相应校验节点的校验结果来选择性地翻转所存储的目标位，并且当在相应校验节点之中校验结果指示所接收的目标位没有错误位时，通过输出所存储的目标位来结束当前迭代。
数据处理装置

[发明专利]LDPC解码器、半导体存储器系统及其操作方法-CN201910647598.6有效
发明人： 金大成 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H03M13/11 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体存储器系统。该半导体存储器系统包括：半导体存储器装置，用于存储码字；解码器，用于基于由子矩阵形成的奇偶校验矩阵来对存储的码字进行解码以生成经解码数据；以及信道，用于将半导体存储器装置联接到解码器，并且向解码器提供存储的码字，其中解码器包括：变量节点选择装置，用于顺序地选择共享奇偶校验矩阵的相同层的子矩阵，并且顺序地选择分别对应于形成所选择的子矩阵的列的变量节点；变量节点更新装置，用于基于提供到所选择的变量节点的信道消息和校验节点消息来更新所选择的变量节点；以及校验节点更新装置，用于基于提供到与所选择的变量节点联接的校验节点的变量节点消息来更新校验节点。
ldpc 解码器半导体存储器系统及其操作方法

[发明专利]对光致抗蚀剂加压的装置和供应光致抗蚀剂的系统-CN202211546294.9在审
发明人：金海京;金大成;郑雨信 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种对光致抗蚀剂加压的加压装置。在实施例中，所述加压装置包括：壳体，该壳体包括限定内部空间的壁表面；膜，所述膜将所述内部空间分成第一空间和第二空间；第一入口，所述第一入口与所述第一空间连通；第二出口，所述第二出口与所述第一空间连通；以及加压气体入口，所述加压气体入口与所述第二空间连通，并且在所述壳体中，所述内部空间的横截面具有第一方向的较大宽度和垂直于所述第一方向的第二方向的较小宽度，并且所述内部空间在所述第二方向上的宽度包括从第一侧朝向第二侧变窄的区段，所述第一侧为在所述第一方向上的一侧，所述第二侧为不同于所述第一侧的另一侧。
对光致抗蚀剂加压装置供应光致抗蚀剂系统

[发明专利]用于供应光致抗蚀剂的系统和用于管理光致抗蚀剂的方法-CN202211542049.0在审
发明人：金海京;金大成;郑雨信 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： F17D1/12 文献下载
摘要：提供了一种用于供应光致抗蚀剂的系统。在实施例中，一种用于供应光致抗蚀剂的系统包括压力调整容器，其被设置到从化学液体瓶连接到第一罐的供应管线，并且压力调整容器包括在其中形成有空间的壳体、将壳体的空间分隔成第一空间和第二空间的分隔器、使光致抗蚀剂流入第一空间的流入端口、从第一空间排出光致抗蚀剂的排出端口，以及向第二空间供应加压流体的加压流体流入端口，并且第一空间的体积根据加压流体的供应而变化。
用于供应光致抗蚀剂系统理光致抗蚀剂方法

[发明专利]液体捕集罐和用于液体捕集罐的液体供应单元-CN202211608192.5在审
发明人：郑雨信;崔荣;金大成;金海京;朴岽云 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供一种液体捕集罐和一种用于所述液体捕集罐的液体供应单元。所述液体捕集罐包括：罐体，具有形成在所述罐体中的容纳空间以容纳液体并且具有形成在一侧上的入口部分和形成在相对侧上的出口部分；和液体供应单元，耦接到所述罐体的所述入口部分以将所述液体从所述罐体的外部供应到所述容纳空间，其中，所述液体供应单元包括：入口管道部分，耦接到所述入口部分以将所述液体引入到所述容纳空间中；和导流部分，连接到所述入口管道部分并且配置为诱导所述液体的流动，以抑制由于穿过所述入口管道部分的所述液体的下落而导致的气泡的生成。
液体捕集罐用于供应单元

[发明专利]基板处理设备和处理溶液除气方法-CN202211688632.2在审
发明人：赵妿罗;郑雨信;金海京;金大成 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供了一种用于处理基板的设备，该基板处理设备可以包括：喷嘴，所述喷嘴将化学溶液供应至基板；以及化学溶液供应装置，其将所述化学溶液供应至所述喷嘴，所述化学溶液供应装置可以包括：泵构件；溶解气提取喷嘴，其设置在流路上并且通过喷洒方式来喷洒所述化学溶液，其中所述化学溶液通过所述流路被引入所述泵构件中；以及控制单元，被配置用于控制所述泵构件的操作。
处理设备溶液方法

[发明专利]纠错电路及其操作方法-CN201910515450.7有效
发明人： 金大成;姜淳荣 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H03M13/11 文献下载
摘要：本文提供的可以是纠错电路及其操作方法。一种操作纠错电路的方法可以包括：将初始符号作为变量节点值分配给变量节点；在每次迭代开始时基于分配给变量节点的初始符号来初始化与变量节点相对应的候选符号的第一可靠性值；基于从耦合到变量节点的校验节点接收的通信来分别更新候选符号的第一可靠性值，所述候选符号具有更新的第一可靠性值；以及当候选符号之一的更新的第一可靠性值等于或大于第一阈值时，将变量节点值调节为候选符号之一。
纠错电路及其操作方法

[发明专利]半导体存储器装置的制造方法-CN202210475712.3在审
发明人：李承瞮;金大民;金大成;李相涉;陈泫旴 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本申请涉及半导体存储器装置的制造方法。一种制造半导体存储器装置的方法可以包括：在下结构上方交替地层叠牺牲层和层间绝缘层；形成穿过牺牲层和层间绝缘层的狭缝；通过湿蚀刻工艺通过狭缝去除牺牲层；以及通过干蚀刻工艺去除在湿蚀刻工艺期间在层间绝缘层的端部产生的副产物。
半导体存储器装置制造方法

[发明专利]解码器、解码器的操作方法和包括该解码器的存储器系统-CN201910522381.2有效
发明人： 金大成 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G11C8/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种解码器的操作方法，可包括：对目标数据块执行第一子解码操作；对候选块和芯片猎杀块执行第二子解码操作；执行第三子解码操作以确定全局校验节点；根据全局校验节点执行第四子解码操作，以推断并更新目标数据块的局部变量节点和失败数据块的局部变量节点；并且基于更新的局部变量节点的分量，来以设置的次数执行重复操作，该重复操作将第一子解码操作至第四子解码操作重复一次。
解码器操作方法包括存储器系统

[发明专利]LDPC解码器、半导体存储器系统及其操作方法-CN201911060829.X有效
发明人： 金大成;姜淳荣;郑普释 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H03M13/11 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体存储器系统，该半导体存储器系统包括：半导体存储器装置，存储码字；以及低密度奇偶校验(LDPC)解码器，基于奇偶校验矩阵对码字进行解码，以生成解码的码字，其中LDPC解码器包括：选择器，选择共享奇偶校验矩阵的相同层索引的一个或多个子矩阵，并基于阈值和连接到选择的变量节点的不满足检查节点(UCN)的数量，选择与所选择的一个或多个子矩阵中包括的列相对应的变量节点；变量节点更新器，更新与奇偶校验矩阵中包括的所有列相对应的变量节点的判定值；校验子检查器，确定对码字的解码是否已经成功地执行；以及检查节点更新器，更新备份校验子、阈值和处理单元的大小。
ldpc 解码器半导体存储器系统及其操作方法

[发明专利]错误校正装置、该错误校正装置的操作方法以及电子装置-CN201811524885.X有效
发明人： 金大成 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种错误校正装置。该错误校正装置包括：位可靠性值确定电路，被配置为基于分别与硬判决位相对应的软判决位组，确定分别与硬判决位相对应的位可靠性值；以及解码器，包括变量节点并被配置为接收并存储硬判决位和位可靠性值，并且通过从位可靠性值恢复可靠性值来对硬判决位执行解码操作，其中可靠性值分别对应于在变量节点中定义的伽罗瓦域(GF)中的除了由硬判决位配置的判决符号之外的元素。
错误校正装置操作方法以及电子

[发明专利]错误校正装置和包括该错误校正装置的电子装置-CN201811643133.5有效
发明人： 金大成;赵明珍;姜淳容;成玩济 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G06F11/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种错误校正装置，该错误校正装置包括：多个变量节点单元；多个校验节点单元：在迭代期间从多个变量节点单元之中联接到该校验节点单元的一个或多个变量节点单元接收具有第二位精度的一个或多个参考可靠性值；并且基于一个或多个参考可靠性值，将具有第二位精度的一个或多个校验可靠性值传输到与该校验节点单元联接的一个或多个变量节点单元，其中在迭代期间，多个变量节点单元中的每一个进一步从联接到该变量节点单元的一个或多个校验节点单元接收一个或多个第一校验可靠性值；并且通过放大通道可靠性值的第一位精度和一个或多个第一校验可靠性值的第二位精度，参考通道可靠性值和一个或多个第一校验可靠性值来更新硬判决位。
错误校正装置包括电子

[发明专利]耐等离子体涂布膜、其制造方法以及耐等离子体构件-CN202210769546.8在审
发明人：郑东勋;方晟植;郑在任;金大成 -专利权人： KOMICO有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： C23C4/134 文献下载
摘要：根据本发明的耐等离子体涂布膜的制造方法，其包括：第一步骤，通过热喷涂工艺将包含90～99.9wt％的第一稀土类金属化合物颗粒和0.1～10wt％的硅(SiO2)颗粒的第一稀土类金属化合物粉末涂布在涂布对象物上形成下部涂层的步骤；第二步骤，通过对所述第一步骤中形成的第一稀土类金属化合物涂层进行表面加工来使所述第一稀土类金属化合物涂层的表面具有1至6μm的平均表面粗糙度的步骤；以及第三步骤，通过悬浮液等离子体热喷涂工艺将第二稀土类金属化合物颗粒涂布在执行所述第二步骤的表面加工的第一稀土类金属化合物涂层上形成上部涂层的步骤，从而能够获得致密、化学稳定且提高了耐电压特性的耐等离子体涂布膜。
等离子体涂布膜制造方法以及构件

[发明专利]转向控制装置、转向控制方法以及转向系统-CN201910381015.X有效
发明人： 金大成;李承哲;李真焕 -专利权人：汉拿万都株式会社
申请日： 2019-05-08 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： B62D5/04 文献下载
摘要：本公开涉及一种转向控制装置和方法以及转向系统。转向控制器通过使用共享资源管理器管理对共享资源的访问权限，使得对与其它转向控制器共享的共享资源的访问不与其它转向控制器重叠，并且通过根据对共享资源的访问权限访问共享资源来控制车辆的转向。
转向控制装置方法以及系统

[发明专利]存储装置及其操作方法-CN202210103678.7在审
发明人：郑在亨;金大成 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本公开涉及一种存储装置及其操作方法。存储装置可以包括多个存储器装置以及通过多个通道与多个存储器装置通信的存储器控制器。存储器控制器可以在多个通道之中选择待激活的候选通道，基于在第一时间点之前处于活动状态的通道的数量确定通道激活的阈值数量，并且激活候选通道之中的一个或多个目标通道，使得在第一时间点待激活的目标通道的数量在阈值数量之内。
存储装置及其操作方法

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