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[发明专利]通过HVOF的高密度YF3-CN202211338905.0在审
发明人：方晟植;洪基源;郑东勋 -专利权人： KOMICO有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C04B41/87 文献下载
摘要：本发明涉及通过HVOF的高密度YF3涂层的制造方法和高密度YF3涂层，涉及一种通过对YF3粉末进行熔融后快速冷却来以致密化的球状形式形成所述YF3粒子，然后利用HVOF方法涂覆所述YF3粒子，从而使YF3涂层具有高密度的机械物性和抗等离子体性的通过HVOF的高密度YF3涂层的制造方法。
通过 hvof 高密度 yf base sub

[发明专利]球状氟氧化钇基粉末及其制备方法、氟氧化钇基涂层-CN202210612601.2在审
发明人：洪基源;方晟植;郑东勋 -专利权人： KOMICO有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： B22F1/065 文献下载
摘要：本发明涉及球状氟氧化钇(YOF)基粉末的制备方法，详细而言，涉及一种如下的球状YOF基粉末的制备方法，将添加到等离子体射流中并熔融的YOF基粉末以液滴状态喷射到冷媒并进行快速冷却，从而通过球状化来提高致密度并调节成分比。
球状氧化钇粉末及其制备方法涂层

[发明专利]颗粒测量装置-CN202211428820.1在审
发明人：朴是映;赵成旼;孙洙京 -专利权人： KOMICO有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G01N15/10 文献下载
摘要：本发明的颗粒测量装置可以包括：探针，探针具备喷射口和吸入口，喷射口向与对象物的表面相面对的面喷射气体，吸入口吸入因气体而从表面飞散的颗粒和气体；主配管，主配管供气体从流入口流入并通过排气口排出；第一支管，第一支管配备成连接主配管和喷射口，将经过主配管的气体供应到喷射口；第二支管，第二支管配备成在第一支管的连接部位与排气口之间连接主配管和吸入口，将颗粒和气体供应到主配管；第三支管，第三支管从第二支管分支，供应颗粒和气体；以及颗粒计数器，颗粒计数器与第三支管连接，计数通过第三支管供应的气体中包含的颗粒。
颗粒测量装置

[发明专利]耐等离子体涂布膜、其制造方法以及耐等离子体构件-CN202210769546.8在审
发明人：郑东勋;方晟植;郑在任;金大成 -专利权人： KOMICO有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： C23C4/134 文献下载
摘要：根据本发明的耐等离子体涂布膜的制造方法，其包括：第一步骤，通过热喷涂工艺将包含90～99.9wt％的第一稀土类金属化合物颗粒和0.1～10wt％的硅(SiO2)颗粒的第一稀土类金属化合物粉末涂布在涂布对象物上形成下部涂层的步骤；第二步骤，通过对所述第一步骤中形成的第一稀土类金属化合物涂层进行表面加工来使所述第一稀土类金属化合物涂层的表面具有1至6μm的平均表面粗糙度的步骤；以及第三步骤，通过悬浮液等离子体热喷涂工艺将第二稀土类金属化合物颗粒涂布在执行所述第二步骤的表面加工的第一稀土类金属化合物涂层上形成上部涂层的步骤，从而能够获得致密、化学稳定且提高了耐电压特性的耐等离子体涂布膜。
等离子体涂布膜制造方法以及构件

[发明专利]基于薄膜压力控制的涂布方法及利用其的涂层结构物-CN202111038620.0在审
发明人：王弘來;孙英俊;柳耀韩;李寅行;边儿燮;边载浩;李龙洙;具敬承;韩镇宇 -专利权人： KOMICO有限公司
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明涉及用于大面积涂布的基于薄膜压力控制的涂布方法及利用其的涂层结构物。具体地，涉及一种如下的用于大面积涂布的基于薄膜压力控制的涂布方法及利用其的涂层结构物，即通过第一步在母材上形成低硬度的涂层，第二步在第一步形成的涂层上形成高硬度的涂层的两步涂布方式，控制由施加到涂布于母材的涂布膜本身的应力引起的压力，即使在大面积涂布中，也可形成不会剥离的高密度的涂层。
基于薄膜压力控制方法利用涂层结构

[发明专利]悬浮等离子体热喷涂用浆料组合物、其制备方法及悬浮等离子体热喷涂涂膜-CN202180033032.X在审
发明人：李省勳;郑彩钟;郑东勳;任昌成;郑在任;方晟植 -专利权人： KOMICO有限公司
申请日： 2021-02-17 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： C23C4/04 文献下载
摘要：本发明涉及悬浮等离子体热喷涂用浆料组合物、其制备方法及悬浮等离子体热喷涂涂膜，更详细地，涉及一种在制备热喷涂涂膜时，热喷涂涂膜含有的氧成分及氟成分的组分不发生变化，能够稳定地应用于腐蚀性环境，能够形成及控制多样的结晶结构，因而能够应用于多样的耐腐蚀性环境，同时可以抑制以往热喷涂涂膜曾发生的裂隙和气孔的形成，形成比以往热喷涂涂膜更致密的热喷涂涂膜的悬浮等离子体热喷涂用浆料组合物、其制备方法及悬浮等离子体热喷涂涂膜。
悬浮等离子体喷涂浆料组合制备方法

[发明专利]热喷涂用钇类颗粒粉末、其制备方法及热喷涂皮膜-CN202111213662.3有效
发明人：金成龙;赵嬉珍;印贞铉;郑东勳 -专利权人： KOMICO有限公司
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： C23C4/11 文献下载
摘要：本发明涉及热喷涂用钇类颗粒粉末、其制备方法及热喷涂皮膜，更详细而言，包含在Y2O3、YOF、YF3、Y4Al2O9、Y3Al5O12及YAlO3中选择的某一种以上钇化合物粉末和二氧化硅粉末，混合平均直径50至900nm的钇化合物粉末与平均直径50至900nm的二氧化硅粉末而制备，包含Y‑Si‑O中间相不足10重量％，利用其制备的热喷涂皮膜由于气孔率低，形成非常致密的薄膜，耐等离子体性优秀。
喷涂用钇类颗粒粉末制备方法皮膜

[发明专利]利用钇类颗粒粉末的钇类热喷涂皮膜及其制备方法-CN202111213682.0有效
发明人：郑东勳;方晟植;郑在任;金大成 -专利权人： KOMICO有限公司
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C23C4/134 文献下载
摘要：本发明涉及钇类热喷涂皮利用钇类颗粒粉末的钇类热喷涂皮膜及其制备方法，更详细而言，涉及一种将钇类颗粒粉末进行等离子体热喷涂，制备气孔率低、非常致密、耐等离子体性优秀的钇类热喷涂皮膜的方法，其中，所述钇类颗粒粉末是在Y2O3、YOF、YF3、Y4Al2O9、Y3Al5O12及YAlO3中选择的某一种以上钇化合物粉末与二氧化硅粉末的混合物，包含不足10重量％的Y‑Si‑O中间相。
利用颗粒粉末钇类热喷涂皮膜及其制备方法

[发明专利]耐等离子体涂膜及其形成方法-CN201680025234.9有效
发明人：郑在铉;梁正敃;边载浩;高贤哲 -专利权人： KOMICO有限公司
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明公开一种耐等离子体涂膜及其形成方法，更具体而言，涉及一种喷涂第一稀土类金属化合物之后，借助以气溶胶蒸镀和水合处理进行之双重密封使涂层的敞口通道和开孔最小化，从而能够确保耐化学特性，并且基于致密的稀土类金属化合物涂膜确保等离子体耐腐蚀性之耐等离子体涂膜及其形成方法。
等离子体及其形成方法

[发明专利]热喷涂用钇类颗粒粉末、钇类粒子以及它们的制备方法-CN202111214921.4在审
发明人：郑东勳;方晟植;郑在任;金大成 -专利权人： KOMICO有限公司
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： C23C4/11 文献下载
摘要：本发明涉及热喷涂用钇类颗粒粉末、钇类粒子以及它们的制备方法，更详细而言，为在Y2O3、YOF、YF3、Y4Al2O9、Y3Al5O12及YAlO3中选择的某一种以上的钇化合物粉末与二氧化硅粉末的混合物，包含不足10重量％的Y‑Si‑O中间相，利用其制备的热喷涂皮膜形成气孔率低、非常致密的薄膜，耐等离子体性优秀。
喷涂用钇类颗粒粉末粒子以及它们制备方法

[发明专利]耐腐蚀性及绝缘特性优秀的阳极氧化铝或铝合金构件的制造方法及经表面处理的半导体装置-CN201880072917.9在审
发明人：刘贤喆;郑彩钟;高贤哲 -专利权人： KOMICO有限公司
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及在铝或铝合金构件表面形成耐腐蚀性及绝缘特性优秀的阳极氧化膜的方法及形成有以该方法制造的阳极氧化膜的铝或铝合金构件，更详细而言，涉及一种无阳极氧化涂层内部缺陷地形成高硬度的氧化膜且耐腐蚀性及绝缘特性优秀的阳极氧化膜的形成方法及涂覆有以该方法制造的阳极氧化膜的半导体或显示器制造装置用内构件。
腐蚀性绝缘特性优秀阳极氧化铝铝合金构件制造方法表面处理半导体装置

[发明专利]耐等离子性涂膜的制造方法及据此形成的耐等离子性构件-CN201880069012.6在审
发明人：张大勳;高贤哲;金东柱;朴祥圭 -专利权人： KOMICO有限公司
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种耐等离子性涂膜的制造方法，其特征在于，包括：(1)在涂布对象物上，将第一稀土类金属化合物通过热喷涂工艺形成第一稀土类金属化合物涂层的步骤；(2)对所述(1)步骤中形成的第一稀土类金属化合物涂层的表面进行抛光(polishing)的步骤；及(3)使第二稀土类金属化合物在执行了所述(2)步骤的加工的第一稀土类金属化合物涂层上进行气溶胶沉积，形成第二稀土类金属化合物涂层的步骤；所述第二稀土类金属化合物是与所述第一稀土类金属化合物相同的成分。
等离子性涂膜制造方法据此形成构件

[发明专利]提高了耐等离子体特性的等离子体蚀刻装置用构件及其制造方法-CN201880067718.9在审
发明人：郑洞勳;高贤哲;金善台 -专利权人： KOMICO有限公司
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及等离子体蚀刻装置用构件及制造方法，更详细而言，涉及一种通过稀土类金属薄膜的沉积及表面热处理来提高耐等离子体特性，保持光透过性并能够用作蚀刻工序的终点分析用途构件的等离子体蚀刻装置用构件及其制造方法。
提高等离子体特性蚀刻装置构件及其制造方法

[发明专利]耐电浆涂层的气胶沉积涂布法-CN201880030536.4在审
发明人：张大勋;高贤哲;金东柱;朴祥圭;朴秦秀 -专利权人： KOMICO有限公司
申请日： 2018-07-17 - 公布日： 2020-05-15 - 主分类号： C23C24/04 文献下载
摘要：本发明是与耐电浆涂层的气胶沉积涂布法相关，更为具体的是在电浆蚀刻时，让装备内部在电浆环境中受到保护，使得金属母材涂布层的粗糙度降低，减少微粒的发生，且提高涂布层与金属母材的结合力。与此有关的耐电浆涂层的气胶沉积涂布法。
耐电浆涂层沉积涂布法

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