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[发明专利]一种高效的基于贝叶斯理论的人工神经网络微波器件建模方法-CN202011414317.1有效
发明人：那伟聪;刘可;张万荣;谢红云;金冬月 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： G06F30/27 文献下载
摘要：本发明涉及一种高效的基于贝叶斯理论的人工神经网络微波器件建模方法，用于解决目前的微波器件神经网络建模方法繁琐耗时，难以满足日益提高的缩短微波器件和电路设计周期要求的问题。本方法首先找到对应的神经网络模型所需的最优的有效参数个数，然后通过这个最优的有效参数个数，计算得出所对应的神经网络模型的最优的隐藏层神经元个数，从而得到每个微波器件的神经网络模型的最优结构。此外，该方法可以直接嵌入到神经网络自动模型生成算法中，无论初始设置的隐藏层神经元个数是否接近最优值，均可以非常快速地找到对于当前微波器件建模问题来说最优的神经网络模型结构。该方法与现有技术相比，大大缩短了建模时间，提高了建模效率。
一种高效基于贝叶斯理论人工神经网络微波器件建模方法

[发明专利]一种电荷等离子体SiGe异质结双极晶体管-CN202110985799.4有效
发明人： 金冬月;贾晓雪;张万荣;曹路明;刘圆圆 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种电荷等离子体SiGe异质结双极晶体管，为npn型晶体管。采用SiGe材料制备基区，与未掺杂的Si发射区和Si集电区形成异质结，通过有效改变发射结处能带结构来提高器件的电流增益。同时考虑到金属镉的功函数为4.07eV，易于与未掺杂的Si形成良好的金‑半接触，有效诱导产生n型电荷等离子体，且具有优良的导电性，较好的抗熔焊性，以及优异的抗拉强度和高耐磨性等优点，因此本发明采用金属镉作为发射极和集电极的电极材料，用于调节发射极和集电极下方对应发射区和集电区内n型载流子浓度。通过上述结构的有效配合，实现了晶体管电流增益、击穿电压和特征频率的同步提高。
一种电荷等离子体 sige 异质结双极晶体管

[发明专利]一种具有高压和高增益模式的高频横向双极晶体管电路-CN202110934402.9有效
发明人： 金冬月;刘圆圆;张万荣;贾晓雪;潘永安;曹路明;雷鑫 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有高压和高增益模式的高频横向双极晶体管电路。该电路包括由多晶硅层(2101)、SiGe基区(2103)、Si发射区(2104)、Si集电区(2105)、SiO2埋氧层(2107)、和Si衬底(2108)构成的晶体管(21)和模式控制端(22)。在第一模式(高压模式)中，所述高频横向双极晶体管电路中晶体管的击穿电压(BVCBO和BVCEO)高达7.5V和2.0V以上。在第二模式(高增益模式)中，所述高频横向双极晶体管电路中的晶体管(21)的峰值电流增益高达150以上。模式控制端(22)通过控制供应给晶体管(21)中衬底电极(2112)处的模式控制信号来切换所述高频横向双极晶体管电路的工作模式。
一种具有高压增益模式高频横向双极晶体管电路

[发明专利]一种结温可调的垂直腔面发射激光器-CN202211549261.X在审
发明人： 金冬月;周钰鑫;张万荣;那伟聪;雷鑫;刘圆圆;韩赵会 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本发明公开了一种结温可调的垂直腔面发射激光器，包括由N型电极(10)和衬底层(11)组成的衬底，由N型DBR(31)、有源区(32)、SiO2层(33)、氧化限制层(34)、P型DBR(35)、正电极(36)组成的VCSEL，和由P型电极端(21)、多组热电偶对和接地端(26)组成的串联热电偶对。本发明所述激光器还可由多个结温可调的垂直腔面发射激光器构成二维阵列结构，其中每个结温可调的垂直腔面发射激光器的结温均可通过设置相应的P型电极端(21)注入的电流进行调节。与常规垂直腔面发射激光器相比，本发明可实现对单个激光器和具有二维阵列结构激光器结温的精准调控，从而有效提高激光器的热可靠性。
一种可调垂直发射激光器

[发明专利]高频下大电感值高Q值且在同一频率下Q峰值可独立调节的有源电感-CN202010695354.8有效
发明人：张万荣;李祎康;谢红云;金冬月;那伟聪 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H03H11/36 文献下载
摘要：高频下大电感值高Q值且在同一频率下Q峰值可独立调节的有源电感涉及射频集成电路领域，包括：第一跨导单元(1)，带有电阻和电阻‑电容双重反馈的第二跨导单元(2)，带有一个偏压可调节端的电阻损耗抵消单元(3)，以及带有二个偏压可调节端的偏置单元(4)组成。其中，第一跨导单元(1)，一方面，与第二跨导单元一起构成第一阻抗转换回路，另一方面，与偏置单元(4)一起构成第二阻抗转换回路，且第一阻抗转换回路与第二阻抗转换回路并联，增大了电感值；电阻损耗抵消单元提高了Q值；通过联合协同调谐偏置单元中的两个偏压可调节端和电阻损耗抵消单元中的一个偏压可调节端的偏压，可实现对有源电感在同一高频下Q峰值的独立调谐。
高频电感同一频率峰值独立调节有源

[发明专利]一种射频压控有源电感-CN202010309140.2有效
发明人：张万荣;张昭;谢红云;金冬月;张思佳;万禾湛;王飞虎 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2020-04-19 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H03H11/02 文献下载
摘要：一种射频压控有源电感涉及集成电路领域，包括：第一跨导单元(1)，第二跨导单元(2)，第三跨导单元(3)，第四跨导单元(4)，有源反馈电阻单元(5)，第一偏置单元(6)，第二偏置单元(7)。第一跨导单元(1)与第二跨导单元(2)构成主回路。第三跨导单元(3)、第四跨导单元(4)与有源反馈电阻单元(5)构成补偿回路。调节补偿回路的不同电压调制端，可补偿因调节主回路不同电压调制端引起的电感值和Q值的变化，进而实现高频下的Q值相对于电感值可独立调节和在调节电感值时Q值保持恒定的性能。补偿回路，一方面，增大了有源电感在高频下的Q值，另一方面与主回路配合，使得有源电感具有宽的工作频带，且在高频下具有高的电感值。
一种射频有源电感

[发明专利]一种宽频带工作的差分有源电感-CN202010639282.5有效
发明人：张万荣;万禾湛;谢红云;金冬月;那伟聪;张思佳;张昭 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H03H11/02 文献下载
摘要：一种宽频带工作的差分有源电感涉及射频集成电路领域，包括：第一N型MOS晶体管(M1)，第二N型MOS晶体管(M2)，第三N型MOS晶体管(M3)，第四N型MOS晶体管(M4)，第五P型MOS晶体管(M5)，第六P型MOS晶体管(M6)，第七N型MOS晶体管(M7)，第八N型MOS晶体管(M8)以及由无源电感L和MOS变容管并联构成的LC谐振电路。其中，晶体管M1、M3和M2、M4构成差分有源电感架构，M5、M6、M7和M8构成有源电感偏置电流源，LC谐振电路加在晶体管M3与M4漏极之间、晶体管M1与M2栅极之间，实现了有源电感宽的工作频带、在宽频带及高频下具有高的Q值和大的电感值，并实现电感值和Q值可调谐。
一种宽频工作有源电感

[发明专利]具有低温度敏感性的SOI SiGe异质结双极晶体管-CN201910000686.7有效
发明人： 金冬月;郭斌;张万荣;陈蕊;王利凡;陈虎;贾晓雪 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2019-01-02 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有低温度敏感性的SOI SiGe异质结双极晶体管。晶体管采用由SiO2绝缘层和Si3N4绝缘层组成的多层绝缘层结构，可以有效减小衬底寄生电容，提高器件频率特性；降低漏电流，使得器件具有更低的功耗；消除闩锁效应以及改善混频信号电路串扰问题。Si3N4绝缘层改善器件热阻，达到降低器件整体温度分布的目的。晶体管的SiGe基区中Ge组分采用从发射结侧向集电结侧呈递增的阶梯型分布结构，在保证较高特征频率和较大电流增益的同时，使器件电流增益随温度变化趋势变缓，器件的温度敏感性得到改善。所述晶体管的结温更低，电流增益和静态工作点抗扰动能力更强，可在较宽的工作偏置范围内实现器件的热稳定工作。
具有温度敏感性 soi sige 异质结双极晶体管

[发明专利]一种射频电感电路-CN202010296951.3有效
发明人：张万荣;张思佳;谢红云;金冬月;万禾湛;张昭 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2020-04-15 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H03F3/195 文献下载
摘要：一种射频电感电路，由第一跨导单元(1)，第二跨导单元(2)，第三跨导单元(3)，频带拓展单元(4)以及第一可调偏置单元(5)，第二可调偏置单元(6)组成。其中，第一跨导单元(1)和第二跨导单元(2)构成第一回路，第一跨导单元(1)和第三跨导单元(3)构成第二回路。第一回路和第二回路并联，提高了总转换电容，增大了有源电感的等效电感值。第二回路中晶体管分别构成了负阻网络结构和负反馈网络，增大了有源电感的Q值和线性度。频带扩展单元(4)与电感电路的输入端连接，拓展了电感的工作带宽。本发明射频电感电路，不但具有宽频带与高线性，而且在高频区和高频区的任一频率下可同时具有高Q值和大电感值，且Q峰值可调谐。
一种射频电感电路

[发明专利]一种掺杂浓度可调的横向SiGe异质结双极晶体管-CN201910781958.1有效
发明人： 金冬月;吴玲;张万荣;那伟聪;孙晟;杨绍萌 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂浓度可调的横向SiGe异质结双极晶体管，为NPN型或PNP型横向SiGe HBT。通过在NPN型器件发射区和基区下方衬底电极加正电压(或在PNP型器件发射区和基区下方衬底电极加负电压)，可有效增大发射区掺杂浓度并减小基区掺杂浓度，同时提高电流增益和特征频率；通过在NPN型器件集电区下方衬底电极加负电压(或在PNP型器件集电区下方衬底电极加正电压)，可有效降低集电区掺杂浓度，提高击穿电压。与常规横向SiGe HBT相比，所述晶体管可通过改变位于发射区、基区和集电区下方衬底电极的外加电压来独立调节上述三个区的掺杂浓度，从而实现特征频率、电流增益和击穿电压的同步提高。
一种掺杂浓度可调横向 sige 异质结双极晶体管

[发明专利]一种可工作在Ku波段的有源电感-CN201811219238.8有效
发明人：张万荣;徐曙;谢红云;金冬月;张崟;杨鑫 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H03H11/48 文献下载
摘要：一种可工作在Ku波段的有源电感，包括第一Q‑增强型跨导器单元(1)，第二Q‑增强型跨导器单元(2)，第一可调输入单元(3)，第二可调输入单元(4)。其中，第一Q‑增强型跨导器单元(1)与第一可调输入单元(3)串联构成第一级阻抗变换电路，第二Q‑增强型跨导器单元(2)与第二可调输入单元(4)串联构成第二级阻抗变换电路，且第一级阻抗变换电路与第二级阻抗变换电路级联，使得有源电感的总等效电容减小，阻抗变换次数增加，最终获得了高Q值，大电感值，可工作在Ku波段的有源电感。
一种工作 ku 波段有源电感

[发明专利]等温共发射区横向SiGe异质结双极晶体管-CN201910575002.6有效
发明人： 金冬月;郭斌;张万荣;那伟聪;陈蕊;杨邵萌 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种等温共发射区横向SiGe异质结双极晶体管。所述晶体管仅具有一个Si发射区(24)以及多个数量相等的Si集电区(22)和SiGe基区(23)来构成多个子晶体管共用一个发射区的晶体管。各子晶体管的Si集电区(22)与SiGe基区(23)均以Si发射区(24)为对称中心呈中心对称分布，将有利于减小各子晶体管之间的热耦合，改善各子晶体管的散热能力，进而降低各子晶体管的热阻，实现所述晶体管等温分布的目的。与常规的横向SiGe异质结双极晶体管相比，在相同的环境温度、工作电压以及总集电极电流情况下，所述晶体管中各子晶体管的热阻更小，峰值结温更低，且所述晶体管的温度分布和电流分布更加均匀，从而有利于所述晶体管的热稳定工作。
等温发射横向 sige 异质结双极晶体管

[发明专利]一种射频电感电路-CN201811239562.6有效
发明人：张万荣;张崟;谢红云;金冬月;徐曙;杨鑫;张昭 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2018-10-24 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H03H11/04 文献下载
摘要：一种射频电感电路，由带有反馈模块的第一跨导单元(1)，带有反馈模块的第二跨导单元(2)，第一可调跨导单元(3)，第二可调跨导单元(4)以及电流镜反馈单元(5)组成。其中，带有反馈模块的第一跨导单元(1)与第一可调跨导单元(3)连接形成第一等效电感回路，带有反馈模块的第二跨导单元(2)与第二可调跨导单元(4)连接形成第二等效电感回路，第一等效电感回路和第二等效电感回路皆与电流镜反馈单元(5)连接，也与差分信号的输入端相连，使得新型射频电感电路具有高Q值、大电感值并可调谐，且在宽输入信号动态范围内Q值与电感值能保持恒定。
一种射频电感电路

[发明专利]一种等温分布的介质槽隔离结构SiGeHBT阵列-CN201911128738.5有效
发明人：孙晟;金冬月;张万荣;吴玲;曹路明;贾晓雪 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种等温分布的介质槽隔离结构SiGe HBT阵列，应用于无线通信系统、全球定位系统等射频功率集成电路中。由M×N个SiGe HBT单元构成，且每个单元均包含浅槽隔离结构和共用的深槽隔离结构。其中深槽隔离结构用于相邻单元间的隔离，浅槽隔离结构用于单元内部电极间隔离。同时，依据各单元位于SiGe HBT阵列中的位置，浅槽隔离结构深度由中心处向四周呈增大的对称分布；深槽隔离结构距单元中心处长度或宽度按照由中心向两侧呈线性减小的对称分布。与常规SiGe HBT阵列相比，本发明所述SiGe HBT阵列可有效改善各单元峰值结温分布和功率分布均匀性，进而实现稳态和瞬态热效应的同时改善。
一种等温分布介质隔离结构 sigehbt 阵列

[发明专利]一种能对性能进行多种重构的高频压控有源电感-CN202011198939.5有效
发明人：张万荣;李白;谢红云;金冬月;那伟聪;李祎康;康翼麟 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2020-10-31 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：一种能对性能进行多种重构的高频压控有源电感，包括：第一跨导单元(1)，第二跨导单元(2)，第三跨导单元(3)，第四跨导单元(4)，第一反馈单元(5)，第二反馈单元(6)，第一偏置单元(7)。第一跨导单元(1)、第二跨导单元(2)和第一反馈单元(5)构成第一回路，第三跨导单元(3)、第四跨导单元(4)和第二反馈单元(6)构成第二回路。协同调节第一回路和第二回路的不同电压调制端，可实现在高频下大电感值、高Q值以及Q值相对于电感值可大范围独立调节；可对电感值进行大范围调谐且同时能保持Q值有较大值；可在不同频率下，同时保持Q峰值和电感值基本不变以及工作频带相对于电感值峰值可大范围独立调节的综合性能。
一种性能进行多种高频有源电感

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