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[发明专利]半导体存储装置-CN201280030947.6有效
发明人：山上由展;小岛诚;里见胜治 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-09-05 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：由串联在第一电源和第二电源之间的第一P型MOS晶体管(MP1)和第二P型MOS晶体管(MP2)构成每一列上的存储单元电源电路(20)，存储单元电源输出第一P型MOS晶体管(MP1)和第二P型MOS晶体管(MP2)的接点电压。基于列选择信号和写入控制信号生成的控制信号输入第一P型MOS晶体管(MP1)的栅极端子，输入第一P型MOS晶体管(MP1)的栅极端子的信号的反相信号输入第二P型MOS晶体管(MP2)的栅极端子。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储装置-CN200980128707.8无效
发明人： 里见胜治;寺野登志夫;竹村和浩;车田希总 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-07-28 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体存储装置。控制电路(11)在包括第1期间和接在第1期间之后的第2期间在内的字线驱动期间中，向字线(WL1、WL2)中的与写入对象的存储单元(MC1)对应的字线(WL1)提供字线驱动电压(WD1)，在第1期间中减少在写入对象的存储单元(MC1)中包含的负载晶体管(QLa、QLb)的电流能力，在第2期间中增加在写入对象的存储单元(MC1)中包含的负载晶体管(QLa、QLb)的电流能力。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储装置-CN200410003822.1无效
发明人： 里见胜治;赤松宽范 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-02-06 - 公布日： 2005-01-26 - 主分类号： G11C11/413 文献下载
摘要：具备：具有驱动字线的驱动晶体管的字线驱动电路；在字线驱动电路的输出到达高电平后立即的时间，使字线驱动电路的驱动晶体管截止的电路；在驱动晶体管截止后的时间，使字线升压的字线升压电路。字线升压电路由一端连接到字线的耦合电容和输出端连接到耦合电容的另一端的电容驱动电路构成。电容驱动电路在使驱动晶体管成为截止的时间，使输出从低电平变化为高电平。耦合电容由与字线并行的布线构成。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储器-CN200410034250.3有效
发明人：石仓聪;里见胜治 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-04-05 - 公布日： 2004-10-13 - 主分类号： H01L27/11 文献下载
摘要：6晶体管型SRAM存储单元一直多采用横型存储单元布局，但因是横长形，例如当使位线为第2或第3层布线时，前者在横向延伸的字线与VSS电源在同一层中靠近地并排延伸，从而字线寄生电容增大和布线微粒引起的成品率降低；后者的位线被VSS电源与VDD电源夹着并排延伸，从而位线寄生电容增大。本发明分别用第2、第3、第4层布线配置正/负位线、字线、VSS电源布线，并将VDD电源布线配置在正/负位线之间。另外，分别用第2、第3、第4层布线配置字线、正/负位线、VSS电源布线，并将VDD电源布线配置在正/负位线之间。另外，分别用第2、第3、第4、第5层布线配置VDD电源布线、正/负位线、字线、VSS电源布线。另外，分别用第2、第3、第4、第5层布线配置正/负位线、VDD电源布线、字线、VSS电源布线。
半导体存储器

[发明专利]大规模集成电路的配置方法-CN00800979.1无效
发明人：崎山史朗;木下雅善;梶原准;山本裕雄;里见胜治 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2000-03-23 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：为了提供在标准单元方式的LSI设计中具有充分的抑制电源噪声的效果且可实现充分的电源稳定化的LSI配置方法，在标准单元的自动配置布线的LSI设计中，具备电源电容单元作为标准单元之一，关于电源电容单元，根据作为标准单元之一的各逻辑门单元的驱动负载电容值来确定电容值，配置在逻辑门单元的附近。
大规模集成电路配置方法

[发明专利]电源装置-CN99107523.4无效
发明人：中平博幸;山本明;崎山史朗;木下雅善;里见胜治;梶原准;山本真一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1999-04-12 - 公布日： 2003-01-22 - 主分类号： H02M3/338 文献下载
摘要：一种电源装置，包括一个电源电路，用于把一个输入电压变换成一个输出电压并且把该输出电压提供给一个负载。电源电路包括多个具有不同变换效率的电压变换电路和一个选择电路，用于选择多个电压变换电路之中的一个电压变换电路以便改进电源电路的变换效率。
电源装置

[发明专利]开关稳压器、直－直变换器及具有开关稳压器的LSI系统-CN00800170.7有效
发明人：梶原准;崎山史朗;木下雅善;里见胜治;大谷一弘 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2000-02-23 - 公布日： 2001-05-09 - 主分类号： H02M3/155 文献下载
摘要：一种同步整流式开关稳压器,其具备在电源Vdd和接地Vss之间串联连接的第1及第2开关SW1、SW2;对开关SW1、SW2进行通、断控制的开关控制部1;将输出节点电位Vnd平滑化的平滑电路4。在第1开关SW1导通期间内,若信号Scl表征输出节点电位Vnd低于为突入电流检测基准的第1基准电位Vrl,控制电路10则将第1开关SW1断开。换句话说,本发明中,利用第1开关SW1的通态电阻所引起的压降来检测突入电流,因此不用设置用以检测突入电流的电阻元件。
开关稳压器变换器具有 lsi 系统

[发明专利]电源电路和半导体芯片的设计方法-CN99801001.4无效
发明人：山本明;崎山史朗;中平博幸;木下雅善;里见胜治;梶原准;山本真一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1999-02-10 - 公布日： 2000-11-08 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：一种根据本发明的电源电路是形成于一半导体芯片上的电源电路,它包括输出一电源电压的输出晶体管部分和用来控制输出晶体管部分的控制电路。输出晶体管部分设置在半导体芯片的外部输入/输出端附近。
电源电路半导体芯片设计方法

[发明专利]具有突入电流抑制手段的电源电路及具有该电源电路的集成电路-CN99119063.7无效
发明人：木下雅善;崎山史朗;梶原准;里见胜治;山本裕雄;大谷一弘 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 1999-09-13 - 公布日： 2000-03-22 - 主分类号： H02M7/00 文献下载
摘要：一种电源电路,包括将电流供到输出端4的输出晶体管1;和控制输出晶体管1的电流供给,使得基准电压REF和输出电压OUT相等的差动放大电路2。在差动放大电路2的输出级的电流通路上设置作为源随器的抑制用晶体管11,它的源电位控制输出晶体管1的栅电位。在电源电路启动之前,由动作控制部15给电容器16充电,而在初始动作时靠电流源17使电容器16逐渐放电。因此,输出晶体管1的栅源极间电压逐渐上升,突入电流的产生可被抑制。
具有突入电流抑制手段电源电路集成电路