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[发明专利]一种半导体发光结构及其制备方法、封装模块-CN202310619798.7有效
发明人：程洋;赵武;王俊;王渝沛;章宇航;郭银涛;夏明月;廖新胜;闵大勇 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01S5/065 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体发光结构及其制备方法、封装模块，半导体发光结构包括：位于半导体衬底层上的下限制层；位于部分下限制层背离半导体衬底层一侧依次层叠的下波导层、有源层、上波导层和上限制单元；上限制单元包括第一上限制层、第二上限制层和第三上限制层，所述第一上限制层包括第一中间区和第一边缘区，第一边缘区在第一上限制层的宽度方向上分别位于第一中间区的两侧，第二上限制层位于第一边缘区背离上波导层的一侧，第三上限制层位于第一中间区背离上波导层的一侧，第二上限制层的掺杂浓度大于第一上限制层的掺杂浓度且大于第三上限制层的掺杂浓度。所述半导体发光结构避免光束质量退化。
一种半导体发光结构及其制备方法封装模块

[发明专利]一种隧道结结构及其形成方法、隧道结器件-CN202011412530.9有效
发明人：王俊;苟于单;程洋;肖啸;郭银涛;杨火木 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2020-12-04 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：一种隧道结结构及其形成方法、隧道结器件，其中，第一半导体层，第一半导体层中具有Te离子；第二半导体层，第二半导体层的导电类型和第一半导体层的导电类型相反；位于第一半导体层和第二半导体层之间的非掺杂量子阱层，所述非掺杂量子阱层适于阻挡Te扩散。所述隧道结结构的隧道结结构的遂穿峰值电流提高。
一种隧道结构及其形成方法器件

[发明专利]一种改善半导体激光器掺杂均匀性的方法-CN202011556867.7有效
发明人：程洋;郭银涛;王俊;刘恒 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善半导体激光器掺杂均匀性的方法，包括：将衬底置于外延生长设备的基座上，衬底朝向基座表面的边缘和基座朝向衬底的表面不接触；在衬底背离基座的表面依次生长n型外延层、有源层和p型外延层，生长p型外延层时所需的生长条件敏感掺杂源从外延生长设备的两个气路或三个气路通入，两个气路或三个气路垂直设置。通过实施本发明，改变衬底和基座的接触性，使得衬底边缘和基座边缘的接触性变差，可以有效调节衬底表面的温度均匀性，从而可以减小温度对掺杂源掺杂不均匀的影响；并且，采用两路或三路同时通入生长条件敏感掺杂源，可以在降低温度对生长条件敏感掺杂源掺杂均匀性影响的基础上，改善生长条件敏感掺杂源的掺杂均匀性。
一种改善半导体激光器掺杂均匀方法

[发明专利]一种半导体发光结构及其制备方法-CN202310324786.1有效
发明人： 郭银涛;王俊;肖垚;程洋;肖啸;夏明月 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体发光结构及其制备方法，半导体发光结构包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的有源层；位于所述有源层背离所述半导体衬底层一侧的电流限制层，所述电流限制层包括出光区和环绕所述出光区的氧化区，所述出光区的材料中包括主体元素和第一掺杂元素，所述第一掺杂元素用于在所述出光区中引入张应变。所述半导体发光结构的可靠性提高且寿命延长。
一种半导体发光结构及其制备方法

[发明专利]一种半导体外延方法-CN202310444624.1有效
发明人：夏明月;王俊;郭银涛;肖啸;程洋 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体外延方法，包括：在保护件的第一面形成第一半导体膜，所述第一半导体膜的热辐射系数大于保护件的热辐射系数；形成第一半导体膜之后，调整保护件的位置使第一面朝向腔盖主体；将腔盖密封盖住腔主体的顶部，在所述保护件的第二面形成第二半导体膜；将腔盖从腔主体上打开，取出陪片，在所述基台上放置衬底；将腔盖密封盖住腔主体的顶部，在所述衬底的上表面形成外延层，所述第二半导体膜用于粘附形成外延层过程中产生的副产物。所述半导体外延方法减少外延缺陷。
一种半导体外延方法

[发明专利]一种连铸坯表面振痕形貌的离线检测装置及方法-CN202211612161.7在审
发明人： 郭银涛;余作朋;秦聪;温巨文;吴艳青;王鹏;秦海军;张红娟;武晓阳 -专利权人：唐山不锈钢有限责任公司;唐山钢铁集团有限责任公司
申请日： 2022-12-15 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G01B11/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种连铸坯表面振痕形貌的离线检测装置及方法，装置包括测量单元、运动单元、控制单元和数据采集单元。测量单元包含传感器和多功能支架；运动单元包含导轨、滑台、丝杠、步进电机和限位开关；控制单元包含电机驱动器、控制器和直流稳压电源；数据采集单元包括数据采集器和微型笔记本电脑。方法为：将运动单元置于连铸坯表面，控制单元驱动测量单元在运动单元上进行直线运动，数据采集单元的数据采集器采集位移传感器测量的距离信息，传递给计算机对数据进行存储和处理。本发明具有便携性好、精度高等优点，为连铸工艺的优化提供了明确的方向，为连铸坯质量的提升提供了支撑作用。
一种连铸坯表面形貌离线检测装置方法

[实用新型]一种可调节色温及亮度的LED智能照明灯-CN202320372077.6有效
发明人：周金有;孙永发;郭银涛 -专利权人：深圳市卓睿五金有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： F21V33/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种可调节色温及亮度的LED智能照明灯，涉及照明灯技术领域。本申请包括：基杆，其内部为中空，基杆杆身上构造有安装接口；安装座，通过螺杆件安装在基杆端部，安装座上安装有智能LED灯,所述智能LED灯的导线位于基杆内；喷灌头，安装在安装座上，其与智能LED灯分别位于安装座的下方和上方，所述喷灌头连通有输水管，所述输水管延伸至基杆内。本申请通过在现有灯具上配置喷灌头，在草地上布置灯具时，根据喷灌范围对灯具进行间隔布置，形成照明区域的同时，形成了喷淋覆盖区域，这样在满足照明需求的同时，可以对草地覆盖喷淋作业，提高了灯具的实用性。
一种调节色温亮度 led 智能照明灯

[发明专利]一种浸入式水口精度控制在线连续检测装置与方法-CN202211536656.6在审
发明人：余作朋;郭银涛;秦聪;温巨文;吴艳青;王鹏;秦海军;张红娟;栾学健 -专利权人：唐山不锈钢有限责任公司;唐山钢铁集团有限责任公司
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： B22D2/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种浸入式水口精度控制在线连续检测装置和方法，属于连续铸钢设备及方法技术领域。本发明的技术方案是：固定支架（1）安装在中间包（9）的包壳底部；测距仪（2）有两个，分别为1#激光测距仪和2#激光测距仪，安装在固定支架（1）上；定位铁块（3）安装在结晶器铜板压铁上，长度方向与结晶器宽面铜板平行，垂直方向与1#激光测距仪位置相匹配；数据采集器（5）分别与测距仪（2）和电子计算机（6）连接。本发明的有益效果是：能实时监测浸入式水口的插入深度和对中情况，为连铸工艺的优化和过程精准控制提供强有力的依据，有效高产品质量。
一种浸入水口精度控制在线连续检测装置方法

[发明专利]一种生长半绝缘掺铁InP外延层的方法-CN202211381927.5有效
发明人：程洋;赵武;王俊;郭银涛;夏明月;方砚涵;谭少阳;廖新胜 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2022-11-07 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种生长半绝缘掺铁InP外延层的方法，包括：获取第一测试结构至第M测试结构中任意一个第m测试结构的电阻；根据第k测试结构和第k‑1测试结构的电阻获取第k‑1掺铁InP测试层的电阻；获取第一掺铁InP测试层至第M‑1掺铁InP测试层中任意第k‑1掺铁InP测试层的电阻rk‑1与Fe源的流量之间的第一函数关系；获取第一函数关系中对应第一掺铁InP测试层至第M‑1掺铁InP测试层的电阻的峰值区域作为第一特征电阻；获取第一特征电阻在第一函数关系中对应的Fe源的流量范围的平均值作为第一特征Fe源流量；生长第一掺铁InP外延层。能使掺铁InP外延层中Fe的浓度稳定性提高。
一种生长绝缘 inp 外延方法

[发明专利]一种半导体外延结构及其生长方法-CN202211118583.9有效
发明人： 郭银涛;王俊;程洋;肖啸;夏明月;方砚涵 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01S5/343 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体外延结构及其生长方法。所述半导体外延结构包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的下波导层；位于所述下波导层上的有源区，所述有源区包括铟镓铝砷量子阱层和势垒层，所述势垒层位于所述量子阱层的两侧，所述势垒层为砷化镓、铝镓砷或镓砷磷中的一种或多种组合；位于所述有源区上的上波导层。本申请避免有源区在高温下铟偏析，提高了激光器的稳定性。
一种半导体外延结构及其生长方法

[发明专利]一种量子级联激光器的制造方法-CN202111075989.9有效
发明人：程洋;庞磊;王俊;万中军;郭银涛 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：本发明提供一种量子级联激光器的制造方法，包括以下步骤：形成脊形外延区，包括自衬底层上依次形成的缓冲层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层；脊形外延区具有倾斜侧面，倾斜侧面自衬底层起依次包括缓冲层的侧面、下波导层的侧面、有源层的侧面、上波导层的侧面和上限制层的侧面。对脊形外延区的倾斜侧面进行脱氧处理。其中脱氧处理的步骤包括：使用处理液去除倾斜侧面表面的氧化层。在保护气体的气氛下预加热脊形外延区至第一温度，第一温度低于有源层的材料发生热分解的温度。单独预加热处理气体至第二温度，第二温度大于第一温度。向处于第一温度的脊形外延区通入处于第二温度的处理气体，并维持脊形外延区的温度持续一反应时间。
一种量子级联激光器制造方法

[发明专利]一种晶圆外延生长系统及晶圆外延生长方法-CN202210781178.9有效
发明人：方砚涵;王俊;肖垚;程洋;郭银涛;肖啸;夏明月;邓国亮;杨火木;周昊;张弘 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;四川大学
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆外延生长系统及晶圆外延生长方法，所述晶圆外延生长系统包括：反应腔室，所述反应腔室适于容纳第一预设反应气体和第二预设反应气体，第一预设反应气体和第二预设反应气体用于在晶圆上沉积形成外延结构；进气系统，所述进气系统包括第一进气通道和至少一个第二进气通道；所述第一进气通道连接于所述反应腔室顶部的中心区域，所述第一进气通道适于向所述反应腔室输送所述第一预设反应气体；所述第二进气通道连接于所述反应腔室顶部的边缘区域，所述第二进气通道适于向所述反应腔室输送所述第二预设反应气体。本申请实现了对晶圆外延生长的控制，避免翘曲的形成。
一种外延生长系统方法

[发明专利]一种半导体异质界面组分的调节方法及装置-CN202210780994.8有效
发明人：王俊;程洋;赵武;谭少阳;郭银涛;夏明月;方砚涵 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体异质界面组分的调节方法及装置，该方法包括：对多组超晶格生长测试结果进行预处理，生成多个超晶格界面薄层组分和超晶格界面薄层厚度之间的关系数据；基于当前超晶格界面薄层厚度，利用多个超晶格界面薄层组分和超晶格界面薄层厚度之间的关系数据生成当前超晶格界面薄层组分；获取组分原子流量与当前超晶格界面薄层生长时间，基于当前超晶格界面薄层组分、组分原子流量和当前超晶格界面薄层生长时间确定源材料通入反应室的时间间隔；基于源材料通入反应室的时间间隔调节所述超晶格界面薄层组分。本方法实现了对当前超晶格界面薄层进行了有效表征，提升了超晶格的性能。
一种半导体界面组分调节方法装置

[发明专利]一种半导体发光器件及其制备方法和测试方法-CN202210812048.7有效
发明人：夏明月;肖垚;王俊;郭银涛;方砚涵;肖啸;程洋;杨火木;邓国亮;周昊;张弘 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;四川大学
申请日： 2022-07-12 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：一种半导体发光器件及其制备方法和测试方法，其中，半导体发光器件包括：半导体衬底层；第一布拉格反射镜；有源层；第二布拉格反射镜；第一布拉格反射镜和第二布拉格反射镜中均有本体原子组；第一布拉格反射镜或第二布拉格反射镜中具有晶格调节原子，第一布拉格反射镜的衍射峰对应的衍射角和第二布拉格反射镜的衍射峰对应的衍射角不同，晶格调节原子与本体原子组中的原子不同。半导体器件可以通过衍射谱来判断是第一布拉格反射镜的周期厚度出现偏差还是第二布拉格反射镜的周期厚度出现偏差，降低了工艺成本，减少了资源浪费。
一种半导体发光器件及其制备方法测试

[发明专利]一种半导体发光结构及其制备方法-CN202210732852.4有效
发明人：程洋;赵武;王俊;郭银涛;夏明月;方砚涵;谭少阳 -专利权人：苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：一种半导体发光结构及其制备方法，半导体发光结构的制备方法包括：在半导体衬底层上依次形成初始下波导层、初始有源层、初始上波导层、初始上限制层和初始接触层；对初始接触层和初始上限制层进行刻蚀，以使初始接触层形成接触层，使初始上限制层形成上限制层；以上限制层和接触层为掩膜，对初始上波导层、初始有源层和初始下波导层进行刻蚀，以使上波导层形成上波导层，使有源层形成有源层，使下波导层形成下波导层，下波导层、有源层和上波导层的侧壁相对于接触层和上限制层的侧壁向内凹进；在接触层上形成正面电极层。所述方法能兼顾窄的有源层、正面电极与接触层的接触性能较好。
一种半导体发光结构及其制备方法

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