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[外观设计]餐具套件（皓月兔餐具）-CN202330265416.6有效
发明人： 邱树杰 -专利权人： 邱树杰
申请日： 2023-05-08 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： 07-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：餐具套件（皓月兔餐具）。2.本外观设计产品的用途：用于盛装食物的餐具。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：使用状态参考图。5.其他需要说明的情形套件说明：套件1、套件2为餐盘，套件3、套件4、套件5为餐碗。
餐具套件皓月

[发明专利]用于双层结构生长衬底外延生长的样品托-CN202310291640.1在审
发明人：丁雄傑;刘薇;李焕婷;张红;周泽成;邱树杰;李浩然;李锡光 -专利权人：广东天域半导体股份有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于双层结构生长衬底外延生长的样品托，包括托盘本体和掩膜板，托盘本体上开设有设有容纳生长衬底的主容置槽和容纳参考衬底的副容置槽，掩膜板沿一随托盘本体的旋转离心方向设置的滑动轨道滑动安装于托盘本体上，副容置槽位于沿滑动轨道由后向前排布的第一位置和第二位置，掩膜板沿滑动轨道在滑动后位和滑动前位之间滑动以切换遮盖第一位置处的副容置槽和第二位置处的副容置槽，掩膜板和滑动轨道之间的接触表面光滑，以使掩膜板在托盘本体减速时可在惯性作用下从遮盖第一位置处的副容置槽切换至遮盖第二位置处的副容置槽。本发明可通过掩膜板的惯性滑动切换遮盖参考衬底，在双层外延层生产时获得每一层外延层生长的单层样品。
用于双层结构生长衬底外延样品

[发明专利]外延生长检测方法-CN202310291626.1在审
发明人：丁雄傑;刘薇;李焕婷;张红;周泽成;邱树杰;李浩然;李锡光 -专利权人：广东天域半导体股份有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延生长检测方法，提供一衬底托盘，所述衬底托盘上具有主容置槽和副容置槽；所述生长检测方法包括：步骤1，将生长衬底放置在所述主容置槽，将参考衬底放置于所述副容置槽；步骤2，控制所述衬底托盘匀速旋转并在所述衬底托盘上的衬底生长外延层，以使所述生长衬底上形成外延层的同时，所述参考衬底上形成参考外延层；步骤3，测试所述参考外延层的镀膜参数以作为所述外延层的检测参数。与现有技术相比，本发明可在生长衬底上生长的外延层的同时在参考衬底上生长参考外延层，检测参考外延层的参数以作为生长衬底上外延层的参数，无需破坏产品上的外延层结构。
外延生长检测方法

[实用新型]用于生长半导体外延片的托盘-CN202223592696.0有效
发明人：马爽;陈龙灿;邱树杰;韩景瑞;李浩然;马兆辰;周泽成 -专利权人：广东天域半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本实用新型公开一种用于生长半导体外延片的托盘，其包括托盘主体、定位环以及阻热结构；托盘主体的上表面设有一凸台；定位环的内壁的形状与所述托盘主体的侧壁的形状相对应，所述定位环卡合于所述托盘主体外；所述阻热结构设置于所述凸台，且所述阻热结构的中心与所述凸台的中心相重合。本实用新型的阻热结构在使用中能够阻碍热量自托盘主体向晶片传导，从而改善晶片的中心和边缘的温度一致性，提升外延片中心和边缘的形貌一致性、浓度及厚度均匀性，提高生产的稳定可靠性，增加外延和器件的良率，降低成本。
用于生长半导体外延托盘

[实用新型]用于半导体晶片空洞检测的载台-CN202222775929.4有效
发明人：马爽;邱树杰;张会娟;韩景瑞;种涞源;李云廷;刘丹 -专利权人：广东天域半导体股份有限公司
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G01N21/95 文献下载
摘要：本实用新型公开一种用于半导体晶片空洞检测的载台，包括载台本体，载台本体具有第一表面以及第二表面，载台本体的第二表面上设有多个LED光源，载台本体的第二表面上还设有载台功能层，LED光源的峰值发射波长为第一预设值，载台功能层具有与第二表面相对连接的第一功能表面以及与第一功能表面相对的第二功能表面，第二功能表面开设有多个吸附凹槽；LED光源的上方设有滤光介质层，滤光介质层的透射波长范围包含第一预设值且透射波长的半峰宽小于30纳米。本实用新型通过在LED光源的上方设有滤光介质层，且滤光介质层的透射波长范围包含第一预设值且透射波长的半峰宽小于30纳米，使得只有特定波长的光线通过晶片中的空洞缺陷，从而准确识别出空洞缺陷。
用于半导体晶片空洞检测

[实用新型]真空吸笔-CN202222776427.3有效
发明人：马爽;邱树杰;丁雄傑;种涞源;韩景瑞;杨旭腾 -专利权人：东莞市天域半导体科技有限公司
申请日： 2022-10-20 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型公开一种真空吸笔，包括外壳以及设于外壳中的吸气管道和吹气管道，吸气管道具有第一吸气端以及第二吸气端，吹气管道具有第一吹气端以及第二吹气端，第一吸气端连通抽真空设备，第二吸气端连接有吸盘以用于吸附晶片，第一吹气端连通送气设备，第二吹气端设有对应晶片设置的吹气口；吹气管道和吸气管道还分别与联动装置连接，吸气管道内的气压驱动联动装置以使得联动装置具有第一状态和第二状态，于第一状态下，联动装置打开吹气管道以向晶片吹气，于第二状态下，联动装置关闭吹气管道。本实用新型真空吸笔在吸取晶片的同时，通过吸气管道内的气压降低驱动联动装置自动打开吹气管道，清理晶片上的掉落物颗粒，有效提高了加工良率。
真空

[发明专利]一种生长低翘曲半导体衬底晶片的方法-CN202210729423.1在审
发明人：马爽;韩景瑞;李锡光;丁雄傑;邱树杰 -专利权人：东莞市天域半导体科技有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长低翘曲半导体衬底晶片的方法，包括如下步骤：S1)沉积介质层：在衬底晶片的背面和正面沉积第一介质层和第二介质层，第一介质层和第二介质层满足α1×T1＝α2×T2；S2)高温退火；S3)去除第二介质层并磨抛清洗；S4)衬底晶片进行外延生长：将步骤S3)背面沉积有第一介质层的衬底晶片进行外延生长；S5)去除第一介质层并磨抛清洗。本发明预先在衬底晶片的正面和背面均沉积一层刚度大于衬底晶片的介质层，两层介质层的协同热膨胀能够对外延片进行形变约束，使得衬底晶片在高温退火时翘曲度降低，经过高温退火后再去除正面的介质层，保留背面的介质层，背面的介质层能够对衬底晶片进行保护，维持其低翘曲度。
一种生长低翘曲半导体衬底晶片方法

[发明专利]一种降低半导体外延片翘曲度的方法-CN202210729428.4在审
发明人：马爽;韩景瑞;李锡光;丁雄傑;邱树杰 -专利权人：东莞市天域半导体科技有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低半导体外延片翘曲度的方法，包括S1)沉积介质层：在外延片背面和正面分别沉积第一介质层和第二介质层，第一介质层和第二介质层的刚度大于外延片，第一介质层和第二介质层的热膨胀系数分别是α1、α2，第一介质层和第二介质层的厚度分别是T1、T2，第一介质层和第二介质层满足α1×T1＝α2×T2；S2)高温退火；S3)去除第二介质层并磨抛清洗；S4)掺杂；S5)去除第一介质层并磨抛清洗。本发明预先在外延片的正面和背面均沉积一层刚度大于外延片的介质层，经过高温退火时正背面双介质层的协同热膨胀来降低外延片的翘曲度，然后再去除正面的介质层，保留背面的介质层，背面的介质层能够对外延片进行保护，维持其低翘曲，减少外延片进行热扩散或离子注入等掺杂工序时的翘曲或碎片等问题，以提高器件加工精度和降低碎片等风险。
一种降低半导体外延曲度方法

[发明专利]一种防止磨抛过程中碳化硅外延片表面胶质残留的方法-CN202210611254.1在审
发明人：丁雄傑;韩景瑞;周泽成;邱树杰;邹雄辉;刘薇;李锡光 -专利权人：东莞市天域半导体科技有限公司
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种防止磨抛过程中碳化硅外延片表面胶质残留的方法，包括如下步骤：(1)准备碳化硅外延片；(2)将碳化硅外延片进行清洗；(3)在碳化硅外延片的Si面上涂布一层聚合物溶液，挥发溶剂，从而在碳化硅外延片的Si面上形成聚合物薄膜；(4)将保护胶膜粘贴至聚合物薄膜上；(5)对碳化硅外延片的C面进行磨抛工艺处理；(6)除去保护胶膜；(7)清洗抛光液；(8)除去聚合物薄膜。该防止磨抛过程中碳化硅外延片表面胶质残留的方法在碳化硅外延片的Si面粘贴保护胶膜之前，在Si面上沉积一层聚合物薄膜，能够增加残留胶质颗粒清洗效率，提高生产线效率，从而降低碳化硅外延片制造成本。
一种防止过程碳化硅外延表面胶质残留方法

[发明专利]一种渐变式PN结材料的制备方法-CN202010501945.7有效
发明人：韩景瑞;杨旭腾;孔令沂;周泽成;邱树杰;冯禹 -专利权人：东莞市天域半导体科技有限公司
申请日： 2020-06-04 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种渐变式PN结材料的制备方法，包括如下步骤：设定LPCVD的生长条件外延缓变层；生长条件通过如下方法设置：(1)设定部分生长条件；(2)设定缓变层载流子浓度的最大值a和最小值b以及对应掺杂源的最大流速c和最小流速d；(3)根据缓变层的厚度和生长速率计算得到生长时间e；(4)在通入生长气体和载气气体后，通入最大流速c的掺杂源，然后控制掺杂源的质量逐渐减少，在生长时间e结束时，控制掺杂源的质量为最小流速d。通过外延法在外延层制备缓变结技术较为容易，制备的缓变结的载流子浓度随厚度变化的线性关系较好，形成的缓变结质量较为稳定，缓变结内晶体点缺陷少，缓变结质量稳定。
一种渐变 pn 材料制备方法

[实用新型]一种具有限流结构的水闸-CN202120048259.9有效
发明人：俞传峥;陆树平;袁勇红;邱树杰 -专利权人：俞传峥
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2021-12-10 - 主分类号： E02B8/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有限流结构的水闸，包括水闸主体，所述水闸主体内表面的后端安装有闸门，其特所述水闸主体的上端设置有过滤机构，所述过滤机构包括过滤主体，所述水闸主体的内表面远离闸门的前侧安装有过滤主体，且过滤主体的顶端固定安装有固定板，所述水闸主体内表面的左右两侧皆开设有滑槽，且滑槽的内部滑动连接有滑块，所滑块的右侧固定安装于过滤主体的左侧，所述水闸主体顶端的左右两端皆固定安装有固定块，且固定块的内部固定安装有支撑杆。本实用新型水闸主体不便于进行过滤的问题，提高了操作的便捷性，大大节约了操作的时间，防止垃圾游走，同时提高了实用性。
一种具有限流结构水闸

[实用新型]一种具有过滤功能的水道闸口-CN202120048267.3有效
发明人：陆树平;袁勇红;俞传峥;邱树杰 -专利权人：陆树平
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： E02B8/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及水道闸口技术领域，具体为一种具有过滤功能的水道闸口，包括闸口装置，所述闸口装置包括闸板边框，所述闸板边框的后端安装有闸板主体，所述闸板边框的内部设置有过滤机构，所述过滤机构包括第一插槽，所述闸板边框的内部开设有第一插槽，所述卡块前后端的内部皆开设有第二插槽，且第一插槽两侧前后端的内壁皆固定安装有固定块，所述过滤网的顶端固定安装有第二连接板，所述闸板边框正面的底端设置有清洁机构。本实用新型解决了水道闸口大都没有过滤功能的问题，使闸口可以有效的将水流内部的垃圾过滤，避免了垃圾堵塞水道的情况，大大的提高了水道闸口的工作效率。
一种具有过滤功能水道闸口

[实用新型]一种用于水利的固定防护装置-CN202120048258.4有效
发明人：陈晓雄;陈泳妍;张声慧;邱树杰 -专利权人：陈晓雄
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： F16L3/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及固定防护装置技术领域，具体为一种用于水利的固定防护装置，包括顶板，所述顶板的底端设置有调节机构，且调节机构包括底座，所述顶板的下方设置有底座，且底座内部的两侧皆通过轴承活动连接有螺杆，所述螺杆的外侧螺纹连接有螺套，且螺套的两侧皆固定有第一限位杆，所述第一限位杆的顶端皆固定在顶板底端，且第一限位杆的内部皆套设有第二限位杆，所述第二限位杆的底端皆固定在底座的顶端，所述第一锥形齿轮固定在螺杆外壁，所述顶板的顶端设置有固定机构。本实用新型有效防止了在对固定防护装置进行高度调节时，操作复杂且繁琐，影响了操作人员的工作效率的问题。
一种用于水利固定防护装置

[实用新型]一种用于水利的灌溉装置-CN202120048257.X有效
发明人：吴淑霞;邱树杰 -专利权人：吴淑霞
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： A01G25/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及灌溉装置技术领域，具体为一种用于水利的灌溉装置，包括底座、装置主体和喷头，所述底座的顶端设置有装置主体，所述底座与装置主体之间设置有调节机构，所述装置主体上设置有喷头，且装置主体与喷头之间设置有拆卸机构，所述调节机构包括第一密封圈、第一滑块、第一滑槽、卡齿槽、卡块、第二滑块、第二滑槽、第一弹簧、连接杆和拉板，所述底座的顶端套设在装置主体底端的内部，所述底座顶端的一侧开设有卡齿槽，且卡齿槽卡合有卡块的一侧，所述卡块的另一侧固定连接有连接杆。本实用新型解决了现有的用于水利的灌溉装置大都无法对装置的高度进行调节和现有的用于水利的灌溉装置大都不能对喷头进行更换的问题。
一种用于水利灌溉装置

[实用新型]一种用于水利工程施工的管道切割装置-CN202120047721.3有效
发明人：马兵;李朝念;邱树杰 -专利权人：新疆塔建三五九建工有限责任公司
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： B23D21/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及切割装置技术领域，具体为一种用于水利工程施工的管道切割装置，包括切割机主体，所述切割机主体顶端内部设置有滑槽，所述滑槽顶端设置有滑块，所述滑块底端一侧固定连接有第一限位块，所述滑块底端远离第一限位块一侧固定连接有第二限位块，所述滑块底端连接有第一弹簧，所述切割机主体之间顶端设置有移动杆，且移动杆两端与滑块固定连接，所述移动杆中间位置处的底端固定连接有连接杆，所述连接杆底端设置有切割片，所述切割片底端设置有待切管道。本实用新型通过调节摇杆转动，使夹片向靠近待切管道方向移动，实现夹持的操作，通过调节使弹块完全伸入废屑收集盒内部，实现对废屑收集盒的拆卸。
一种用于水利工程施工管道切割装置

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