“迟克群”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果36个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种磁存储单元及磁存储器件-CN202210279340.7在审
发明人：石以诺;张文彪;迟克群;李州;孟皓 -专利权人：中电海康集团有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁存储单元及磁存储器件，该磁存储单元包括：依次层叠设置的第一自由层、第一耦合层、第二自由层、势垒层和参考层。其中，磁存储单元的逻辑存储状态根据磁存储单元两端的电阻状态确定；且通过向磁存储单元两端施加电压脉冲宽度超过脉冲宽度阈值，使磁存储单元两端的电阻状态发生单极性切换。本申请采用脉冲电压驱动磁存储单元翻转，具有功耗低、存储密度高的优点，无需精确控制电压脉冲的脉冲宽度，降低脉冲宽度控制难度。
一种存储单元磁存储器

[发明专利]一种存算器件、计数器、移位累加器和存内乘加结构-CN202210279290.2在审
发明人：石以诺;张文彪;迟克群;李州;孟皓 -专利权人：中电海康集团有限公司
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G06F7/523 文献下载
摘要：本发明提供了一种存算器件、计数器、移位累加器和存内乘加结构，该存算器件通过采用包含有磁性轨道层和磁性记录层组成存算器件，利用磁性记录层区域中是否存在斯格明子，而导致磁性轨道层与磁性记录层组成的磁性隧道结阻态大小不同的特性，实现存储。相比现有技术中通过翻转自由层的磁化方向方式，本申请所公开的存算器件，基于磁性斯格明子的纯自旋电子体系，具有自旋电子器件高速、低功耗的特点，同时存算器件的物理尺寸小，可以实现较高的存储密度。
一种器件计数器移位累加器存内乘加结构

[发明专利]SOT-MRAM存储单元及其制备方法-CN202210168985.3在审
发明人： 迟克群;孟皓;刘波;石以诺;张文彪;李州;冯向;张龙龙 -专利权人：中电海康集团有限公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本发明提供一种SOT‑MRAM存储单元及其制备方法，SOT‑MRAM存储单元包括：SOT电极层，用于产生自旋轨道矩效应；插入层，覆盖于SOT电极层表面；磁性隧道结，位于插入层上；其中插入层用于在形成磁性隧道结的刻蚀过程中，保护SOT电极层不受损伤。
sot mram 存储单元及其制备方法

[发明专利]一种存储单元-CN202110173776.3有效
发明人：孟皓;迟克群 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-02-06 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明涉及磁存储技术，公开了一种存储单元，包括：压电基片，压电基片上镀制有电极；第一磁铁层，其位于压电基片一侧并具有自由翻转的磁矩；第二磁铁层；反铁磁层，形成在第二磁铁层的与所述非磁性层相反的一侧，用于钉扎第二磁铁层的磁矩方向；非磁性层，其位于第一磁铁层和所述第二磁铁层之间，其中，压电基片为受到电压产生应变的绝缘材料，且其中，第一磁铁层以接收应变翻转所述第一磁铁层的磁矩。本发明可实现通过压电基片产生的应力向第一铁磁层传递逆磁电耦合效应，调制其磁矩，最终使使存储单元在施加应力和不施加应力的情况下整体实现对外正及负方向的磁矩，实现磁存储。
一种存储单元

[发明专利]多阻态磁性存储单元及磁性存储器-CN202111200632.9在审
发明人：李州;孟皓;迟克群;石以诺 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-10-14 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本发明提供一种多阻态磁性存储单元及磁性存储器。该多阻态磁性存储单元包括：分开设置的两个自旋轨道矩产生层，在每个自旋轨道矩产生层上分别有一个磁性隧道结，两个磁性隧道结各自的自由层靠近对应的自旋轨道矩产生层，并在参考层侧通过可导电的连接层进行连接。从第一自旋轨道矩产生层和第二自旋轨道矩产生层分别引出一个端口。本发明的多阻态磁性存储单元为双端口结构，利用STT结合SOT，实现多态存储。
多阻态磁性存储单元存储器

[发明专利]一种基于隧道磁电阻的压控存储单元的实现方法-CN202211206649.X在审
发明人：刘波;迟克群;唐晓莉;刘梦丽 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H10N50/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于隧道磁电阻的压控存储单元的实现方法，涉及磁存储技术领域，在压电伸缩层上表面即隧道结同一平面内设计一对面内电极，且在基片下表面制备一底电极，利用上表面内单个电极及底电极对压电伸缩层垂直方向施加电压，利用逆磁电耦合效应可使隧道结自由层磁矩实现偏离初始磁矩取向90°内的转动；在此基础上利用面内一对电极施加正、负电压从而引入局域应变，可使磁矩分别转向初始磁矩45°和135°方向，以此辅助磁矩克服90°方向的翻转势垒。由此，以一定规律施加电压即可实现磁矩可逆、可重复的180°翻转，得到自由层与固定层之间平行态与反平行态的调制，实现最大的隧道磁电阻调控，有利于发展低功耗的压控磁存储器件。
一种基于隧道磁电存储单元实现方法

[发明专利]一种磁存储器件及其写入方法、逻辑器件-CN202010583721.5有效
发明人：石以诺;迟克群;李州;孟皓 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种磁存储器件及其写入方法、逻辑器件，该磁存储器件包括重金属层以及磁隧道结，磁隧道结包括层叠在重金属层上的自由层、层叠在自由层上的磁道阻挡层、以及层叠在磁道阻挡层上的参考层，且自由层与参考层通过磁道阻挡层相隔开。磁隧道结上与重金属层平行的截面为非圆截面，重金属层与自由层的相互作用为SOT效应及DMI耦合效应。通过使重金属层与自由层之间的界面的相互作用为SOT效应及DMI耦合效应，在应用时，向重金属层通电流值为设定范围内的电流时，由于截面为非圆截面的磁隧道结的形状各向异性，其破坏了电流和磁化的对称性，激励自由层进行磁极性翻转，实现磁隧道结的极性翻转。
一种磁存储器及其写入方法逻辑器件

[发明专利]磁性存储器及其制备方法-CN201911237999.0有效
发明人：孟皓;迟克群 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10B61/00 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性存储器及其制备方法，所述磁性存储器包括至少一个混合存储阵列，所述混合存储阵列包括相邻设置的STT‑MRAM阵列和SOT‑MRAM阵列，其中，所述STT‑MRAM阵列包括按阵列排布的STT‑MRAM存储单元，所述SOT‑MRAM阵列包括按阵列排布的SOT‑MRAM存储单元，所述STT‑MRAM存储单元与所述SOT‑MRAM存储单元具有相同的层叠结构。本发明的磁性存储器既能满足大量数据长时间保存，同时还能满足大量数据的频繁擦写。
磁性存储器及其制备方法

[发明专利]电压调控的SOT-MRAM存储单元及SOT-MRAM存储器-CN202111077321.8在审
发明人： 迟克群;石以诺;孟皓;张文彪;李州;冯向 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H10N59/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电压调控的SOT‑MRAM存储单元及SOT‑MRAM存储器，该SOT‑MRAM存储单元包括：自旋轨道矩产生层、顶部电极以及位于自旋轨道矩产生层和顶部电极之间的磁性隧道结，该磁性隧道结包括：自由层，位于自旋轨道矩产生层上，自由层具有方向可变的垂直磁化；位于自由层上的势垒层；位于势垒层上的参考层，具有方向固定的垂直磁化；位于参考层上的间隔层；位于间隔层上的偏置层，具有与参考层磁化方向相反的磁化，用于对自由层产生一个偏置场，其中偏置层的饱和磁化强度高于参考层的饱和磁化强度；位于偏置层上的调节层，用于当顶部电极和自旋轨道矩产生层之间施加跨磁性隧道结的电压时，利用VCMA效应改变偏置层的磁各向异性。
电压调控 sot mram 存储单元存储器

[发明专利]电压调控的磁性存储单元及磁性存储器-CN202111029362.X在审
发明人：张文彪;石以诺;孟皓;迟克群;冯向;李州 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本发明提供一种电压调控的磁性存储单元及磁性存储器。该磁性存储单元包括：底电极、顶电极及位于底电极和顶电极之间的磁性隧道结，磁性隧道结包括：位于底电极上方的参考层，参考层具有方向固定的垂直磁化；位于参考层上方的势垒层；位于势垒层上方的自由层，自由层具有方向可变的垂直磁化；位于自由层上方的磁性偏置层，磁性偏置层具有方向固定的垂直磁化，与自由层具有层间交换耦合；位于自由层和磁性偏置层之间的调节层，用于根据底电极和顶电极之间的电压调节自由层和磁性偏置层之间的层间交换耦合。
电压调控磁性存储单元存储器

[发明专利]磁性存储单元及磁性存储器-CN202110854299.7在审
发明人：石以诺;迟克群;李州;张文彪;孟皓 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-07-27 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性存储单元，包括：磁性隧道结、有磁性的自旋轨道矩效应层及连接层，磁性隧道结自由层垂直磁化，自旋轨道矩效应层靠近自由层设置，并具有形状各向异性，通过形状各向异性与自由层形成静磁耦合，自旋轨道矩效应层与自由层磁化方向相同，当自旋轨道矩效应层中通过电流时，自旋轨道矩效应层与自由层磁化方向同步翻转；连接层设置于自由层和自旋轨道矩效应层之间。
磁性存储单元存储器

[发明专利]一种三轴集成磁电阻传感器及其制备方法-CN202211194858.7在审
发明人：刘波;迟克群;金立川;唐晓莉 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H10N52/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种三轴集成磁电阻传感器及其制备方法，涉及磁电阻传感器技术领域，目的是实现高集成度且可以同时实现测量物体在面内的角度或位置以及物体在空间的角度或位置的传感器，包括基底、AHE薄膜材料层、AMR薄膜材料层和缓冲层；AHE薄膜材料层为霍尔条形状，AMR薄膜材料层为惠斯通电桥形状；AHE薄膜材料层和AMR薄膜材料层自下而上依次形成于基底上，AMR薄膜材料层的底部和顶部均设置有缓冲层；AHE薄膜材料层和所述AMR薄膜材料层均设置有金属电极；本发明具有集成度高、测量内容多样化和成本低的优点。
一种集成磁电传感器及其制备方法

[发明专利]一种磁性存储器及电子设备-CN202110667674.7在审
发明人：石以诺;迟克群;李州;冯向;孟皓 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁性存储器，从上至下依次包括磁性自旋阀、耦合层及磁性隧道结；所述磁性自旋阀从上至下依次包括自旋参考层、非磁性间隔层及自旋自由层；所述磁性隧道结从上至下依次包括隧道自由层、势垒层及隧道参考层；所述磁性隧道结通过所述耦合层与所述磁性自旋阀磁耦合。本发明的磁性自旋阀为所述磁性存储器提供了额外的自旋转移矩，大大提高了STT效率，使用较小的电流即可驱动所述磁性存储器发生翻转，进而显著降低了所述磁性存储器的功耗，此外，磁性自旋阀对器件整体的隧道磁阻的影响较小，使器件仍能维持高隧道磁阻。本发明同时还提供了一种具有上述有益效果的电子设备。
一种磁性存储器电子设备

[发明专利]巨自旋霍尔角金属-氧化铪复合薄膜材料及其制备方法-CN202210433929.8在审
发明人：孟皓;迟克群;金立川;唐晓莉 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L43/10 文献下载
摘要：本发明公开了巨自旋霍尔角金属‑氧化铪复合薄膜材料及其制备方法，涉及自旋电子新材料领域，为解决现有材料无法满足获得更强自旋霍尔效应的材料的问题。复合薄膜材料为生长于基片表面的金属‑氧化铪复合薄膜，金属‑氧化铪复合薄膜的组分为R(100‑x)‑(HfO2)(x)，R为金属元素Pt、W、Ta、Bi或其合金中任一种，x的取值范围为1~10，制备方法为：S1、选择R(100‑x)‑(HfO2)(x)复合靶材作为溅射靶材；S2、将步骤S1中的R(100‑x)‑(HfO2)(x)靶材装在磁控溅射设备腔体靶位；S3、采用基片作为基底，清洗基片，用氮气吹干，保证基片表面洁净；S4、将步骤S3清洗后的基片放入磁控溅射设备中生长R(100‑x)‑(HfO2)(x)复合薄膜，本方法操作简单、成本低，可广泛应用。
自旋霍尔金属氧化复合薄膜材料及其制备方法

[发明专利]一种光泵浦反铁磁自旋电子太赫兹发射器及其制备方法-CN202210433919.4在审
发明人：孟皓;迟克群;金立川;唐晓莉 -专利权人：浙江驰拓科技有限公司
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01S1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种光泵浦反铁磁自旋电子太赫兹发射器及其制备方法，涉及高频电子设备技术领域，为解决现有的自旋微波和太赫兹波振荡器均需要施加外磁场，不利于器件的集成化和小型化的问题。本发明为具有DMI的[非共线反铁磁/非磁性重金属]n多层膜结构，n≥2，n表示为周期个数，多层膜结构生长于基片表面上，非共线反铁磁为具有倾斜的非共线磁矩的反铁磁材料，采用薄膜沉积工艺，在基片上依次生长多个周期的[非共线反铁磁/非磁性重金属]，本发明一种光泵浦反铁磁自旋电子太赫兹发射器的发射方式是采用飞秒脉冲激光泵浦透过[非共线反铁磁/非磁性重金属]n多膜层产生太赫兹波，不需要施加外磁场，利于器件的集成化和小型化。
一种光泵浦反铁磁自旋电子赫兹发射器及其制备方法

1
2
3
下一页»
尾页
共 36 条