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[发明专利]一种用于硅片消除氧施主热处理过程的冷却装置和方法-CN202011596433.X在审
发明人：徐继平;宁永铎;李钧宏;颜俊尧;程凤伶;边永智;钟耕杭;赵而敬;鲁进军;王海涛 -专利权人：有研半导体材料有限公司;山东有研半导体材料有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明公开一种用于硅片消除氧施主热处理过程的冷却装置和方法。该冷却装置具备：冷液冷却系统，包括由数根冷水管组成的冷水管排、用于固定该冷水管排的固定装置、以及通过波纹管连接冷水管排的进水管和出水管；所述固定装置包括用于固定冷水管排不同部位的固定梁，在固定梁上装载有风速表及温湿度传感器；在进水管和出水管上分别安装有压力表、温度计，在波纹管上安装有流量计和阀门；通风系统，包括数个轴流风机以及用于机械固定轴流风机的紧固装置，轴流风机设置在冷水管排的一侧，并朝向冷水管排鼓风；控制系统，用于对冷却环境进行智能控制。本发明能够使得硅片退火出舟后快速和稳定的降温，有利于其快速退出氧施主的高生成率温区。
一种用于硅片消除施主热处理过程冷却装置方法

[发明专利]一种具有背吸杂能力的300mm重掺硅片的加工方法-CN201510737156.2有效
发明人：冯泉林;赵而敬;李宗峰;程凤伶;盛方毓;王永涛;闫志瑞 -专利权人：有研半导体材料有限公司
申请日： 2015-11-03 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有背吸杂能力的300mm重掺硅片的加工方法，该方法至少包括以下步骤：(1)切片；(2)倒角；(3)双面磨削；(4)单面化学腐蚀或单面磨削，去除硅片正面损伤层；(5)边缘抛光；(6)双面抛光；(7)在硅片正面和背面都沉积多晶硅；(8)边缘二次抛光；(9)正面多晶抛光去除；(10)最终抛光；(11)清洗检测。本发明结合300mm硅片的制造过程提出了一种新的硅片加工方法，通过磨削加工引入背面损伤和背面薄层多晶沉积相结合的方式，达到外吸杂的目的。通过本发明的方法加工的300mm硅片既能满足双面抛光的要求，同时能够获得可控的背面损伤层，避免了背面多晶沉积较厚时对硅片翘曲度的影响。
一种具有背吸杂能力 300 mm 硅片加工方法

[发明专利]一种硅片承载部件及降低高温退火片体金属含量的方法-CN201510301151.5有效
发明人：李宗峰;冯泉林;赵而敬;盛方毓;王永涛;葛钟;库黎明;王磊;刘建涛 -专利权人：有研半导体材料有限公司
申请日： 2015-06-04 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于硅片高温退火工艺的硅片承载部件以及采用该硅片承载部件降低高温退火片体金属含量的方法。该硅片承载部件在用于硅片高温退火工艺之前进行清洁处理和镀膜处理，其表面经二氯乙烯和氧气在高温下反应生成的盐酸气体清洗，并且在清洗洁净的表面上形成一氮化硅保护层。本发明的硅片承载部件主要应用于硅片高温退火工艺中，特别是1200℃退火工艺，能够显著降低退火硅片体金属的数值，提高产品的质量。利用本发明的硅片承载部件不仅能够明显的降低高温退火硅片体金属的含量，而且不需要拆装硅片承载部件，完全避免了盐酸的使用，安全可靠，降低了生成成本和安全成本。
一种硅片承载部件降低高温退火金属含量方法

[发明专利]一种硅片表面处理方法-CN201711360731.7在审
发明人： 赵而敬;曹孜;王永涛;刘建涛;韩晨华;郑捷;张静;张建;张岩 -专利权人：有研半导体材料有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片表面处理方法，该方法包括以下步骤：(1)选取洁净的抛光硅片或者外延硅片；(2)对硅片表面进行高温氧化，生长氧化膜层；(3)使用取样液进行表面处理取样，通过对取样液进行分析测试，获得硅片表面金属含量，评估硅片表面金属沾污情况。采用本发明的硅片表面处理方法，可以快速、高效、批量的进行硅片表面处理，及时的测试分析硅片表面金属的含量，达到监控硅片表面金属水平的目的。
硅片表面处理硅片表面取样液金属表面金属测试分析分析测试高温氧化监控硅片金属沾污抛光硅片外延硅片氧化膜层取样洁净生长评估

[发明专利]一种半导体晶圆片盒颗粒检测方法-CN201510958531.6在审
发明人： 赵而敬;曹孜;刘建涛;李宗峰;盛方毓;冯泉林;闫志瑞 -专利权人：有研半导体材料有限公司
申请日： 2015-12-18 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体晶圆片盒颗粒检测方法，包括以下步骤(1)准备洁净硅片，利用颗粒测试仪测试硅片表面颗粒数目，并记录；(2)将洁净硅片放入待测片盒，自气源通过带有颗粒过滤器的气路向待测片盒内吹扫，气压约15～30psi，保持气源吹扫1min；(3)利用颗粒测试仪测试硅片表面颗粒数据，记录数据，对比前后增加值，判断半导体用晶圆片盒洁净度。本发明可以快速、高效、批量的检测晶圆片盒颗粒洁净度，及时地测试分析晶圆片盒颗粒是否洁净，确保半导体晶圆硅片不受片盒颗粒沾污。
一种半导体晶圆片盒颗粒检测方法

[发明专利]一种硅片片盒内金属含量测试的方法-CN201510909249.9在审
发明人：李宗峰;赵而敬;冯泉林;李青保;盛方毓;王永涛;葛钟;库黎明;张建;鲁进军 -专利权人：有研半导体材料有限公司
申请日： 2015-12-10 - 公布日： 2017-06-20 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片片盒内金属含量的测试方法，包括以下步骤(1)用干净的PFA瓶取100mL溶剂；用ICP-MS测试溶剂中的金属含量；(2)将PFA瓶中的溶剂倒入到待测片盒中，晃动片盒，使溶剂在片盒内流动，直到覆盖片盒所有内壁；(3)将片盒内溶剂倒回PFA瓶，并用ICP-MS测试溶剂中的金属含量；(4)取两次测试结果的差值，即为片盒内的金属含量。本发明简单可靠，能够准确地监控硅片生产中片盒内的金属含量，适用于FOUP和FOSB的金属测试。
一种硅片片盒内金属含量测试方法

[发明专利]一种VPD用金属回收液及其配制方法-CN201510882760.4在审
发明人：李宗峰;赵而敬;冯泉林;李青保;盛方毓;王永涛;葛钟;库黎明;张建;鲁进军 -专利权人：有研半导体材料有限公司
申请日： 2015-12-03 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： G01N27/62 文献下载
摘要：本发明公开了一种VPD用金属回收液及其配制方法。该金属回收液中按质量百分比计的成分配比为盐酸0.4％、双氧水3.5％-5％、余量的纯水。其配制方法是选择原料盐酸、双氧水和纯水，按照配比配制，回收液配制完成后要用ICP-MS进行金属含量测试，标准是低于ICP-MS的检测极限。本发明的金属回收液对金属的回收主要通过HCl和H2O2与硅片的化学反应来实现，HCL可以通过络合反应将硅片表面的金属直接吸收到溶液中，同时H2O2会将硅片表面产生轻微的氧化，氧化层中的金属也被HCL收集到溶液中，相当于将硅片近表层的金属同时收集，提高了测试的可信度。
一种 vpd 金属回收及其配制方法

[发明专利]一种硅片表面高温氢处理的方法-CN201510301082.8在审
发明人： 赵而敬;李宗峰;库黎明;冯泉林;盛方毓;王永涛;葛钟;刘建涛 -专利权人：有研半导体材料有限公司
申请日： 2015-06-04 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片表面高温氢处理的方法，包括以下步骤：(1)单晶硅抛光片的表面清洗；(2)用HCl气体高温清洁反应腔体以及硅片基座，除去反应腔体内部反应残余以及副产物，降温并准备装载单晶硅抛光片；(3)将清洗后的单晶硅抛光片装载到硅片基座上，此时通入反应腔体内氢气的流量为30SLM；将反应腔体升温至1050～1150℃，提高氢气流量至100～160SLM，氢气处理2min；(4)降温至900℃，取出单晶硅抛光片进行少子寿命、SPV扩散长度或体铁测试。本发明可以快速，高温氢处理硅片表面，进行及时的测试分析。
一种硅片表面高温处理方法

[发明专利]一种硅片表面HF酸处理系统-CN201510303532.7在审
发明人： 赵而敬;李宗峰;库黎明;冯泉林;盛方毓;王永涛;葛钟;刘建涛 -专利权人：有研半导体材料有限公司
申请日： 2015-06-04 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片表面HF酸处理系统，包括由气体管路依次连接的气源、HF酸源、硅片处理单元和尾气处理单元；其中该气体管路上设有一总阀门，且自该管路分出第一支路和第二支路；该第一支路连接至HF酸源液面底部，且设有第一阀门；该第二支路上设有第二阀门，且又分出连接至HF酸源液面上方的支路和连接至硅片处理单元进气口的支路，在连接至HF酸源液面上方的支路上更设有第三阀门。本发明可以利用气体携带HF酸蒸汽，快速高效批量性地对硅片表面进行氢处理，去除硅片正反表面的氧化膜，使得硅片表面达到疏水状态。本发明还具有气体吹扫、尾气处理部分，确保实际操作的安全性。
一种硅片表面 hf 酸处理系统

[发明专利]一种用于分析硅片体内金属沾污的测试方法-CN201310718358.3在审
发明人：冯泉林;闫志瑞;赵而敬;李宗峰;盛方毓;程凤伶;孙媛 -专利权人：有研新材料股份有限公司
申请日： 2013-12-23 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种用于分析硅片体内金属沾污的测试方法，包括以下步骤：(1)清洗硅片，去除硅片表面的颗粒和金属，然后将硅片载入氧化炉炉腔；(2)在高温、氩气和氧气的混合气氛下，使硅片表面生长氧化层，生长温度为1000～1100℃，形成氧化层的厚度为1000～1500(3)使用表面颗粒激光分析仪测定硅片表面颗粒，分析表面缺陷的分布；(4)使用扫描电镜对颗粒聚集区域进行分析，测试缺陷成分，并对沾污进行定性判断。本发明通过热处理过程中，在硅片表面生长氧化层，使得体内金属向硅片表面扩散，在硅片表面／氧化层界面处聚集形成缺陷团聚，从而间接测试金属沾污分布。
一种用于分析硅片体内金属沾污测试方法

[发明专利]一种高温退火硅片的制备方法-CN201210465601.0有效
发明人：李宗峰;冯泉林;赵而敬;盛方毓;闫志瑞;李青保;王磊 -专利权人：有研半导体材料股份有限公司
申请日： 2012-11-16 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种高温退火硅片的制备方法，包括以下步骤：(1)将硅片装载好后，以150mm/min的速度升入温度为650℃，保护气氛为纯Ar的石英炉管内，保温30min；(2)向石英炉管内通入H₂，此时退火气氛变为Ar和H₂的混合气氛，并升温到1000℃；(3)停止通H₂，将退火气氛变为纯Ar气氛，并升温到1200℃保温1h；(4)保温结束后，继续通入纯Ar，降温到650℃后出舟，将硅片冷却至室温后卸载。采用本发明的制备方法不但消除了硅片表面的空洞型微缺陷，降低了表面的雾度值(Haze值)，而且保证了硅片电阻率在深度方向上的一致性和径向上的均匀性。本发明不会带来附加的不良作用，不需要增加多余的工序，不仅提高了生产效率而且降低了成本，适合于批量生产。
一种高温退火硅片制备方法

[发明专利]一种减压生产12寸单晶硅外延片的工艺-CN201210464962.3有效
发明人： 赵而敬;冯泉林;闫志瑞;李宗峰;盛方毓 -专利权人：有研半导体材料股份有限公司
申请日： 2012-11-16 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明提供一种减压生产12寸单晶硅外延片的工艺，它包括：(1)于1150～1190℃下用高纯HCl气体清洁反应腔体；(2)通入高纯H₂吹扫反应腔体内残留的HCl气体及反应产物；(3)将反应腔体内的温度降温至700～900℃，将12寸单晶硅片装载到载片基座上；(4)将反应腔体内的压强降低至20～200Torr，然后升温至1000～1050℃，载气高纯H₂的流量为40～160SLM；(5)反应气体预流，调节通入DCS以及掺杂剂的反应腔体的过程和时间生长外延层；(6)降温至900℃，取出外延片。通过本发明的上述工艺可以制备出外延层电阻率均匀，外延层和衬底电阻率过渡区窄的外延片。
一种减压生产 12 单晶硅外延工艺

[实用新型]一种用于改进硅片表面制样的化学试剂的制取装置-CN201220706322.4有效
发明人：盛方毓;闫志瑞;冯泉林;赵而敬;李宗峰 -专利权人：有研半导体材料股份有限公司
申请日： 2012-12-19 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： C01B13/10 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于改进硅片表面制样的化学试剂的制取装置，包括臭氧发生器和氢氟酸容器，该臭氧发生器的进气口端通过第一阀门与氧气瓶连接，其出气口端通过流量控制器及第二阀门与氢氟酸容器连接，所述氢氟酸容器具有由第三阀门控制的排气管路。本实用新型结构简单，制取的含有臭氧与氢氟酸混合化学试剂中臭氧的浓度趋于饱和，可达到25～30ppm。由于臭氧在溶液中分解后产生的氧离子及自由基能迅速氧化硅表面，并且氢氟酸在臭氧的作用下可以对表面氧化膜进行有效的腐蚀，因此通过该装置制取的化学试剂尤其适用于表面只有自然氧化膜的硅片的表面制样。
一种用于改进硅片表面化学试剂制取装置

[发明专利]使用高温热处理的300mm硅抛光片制造工艺-CN201110401693.1有效
发明人：冯泉林;闫志瑞;何自强;盛方毓;赵而敬;李宗峰 -专利权人：有研半导体材料股份有限公司
申请日： 2011-12-06 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： B24B37/08 文献下载
摘要：一种使用高温热处理的300mm硅抛光片制造工艺，它包括：拉晶、切片导角、双面磨削，双面抛光、最终抛光、高温热处理工序。本制造工艺流程中保留双面磨削，磨削后直接抛光，省去单面磨削工序，而抛光没有消除的表层微损伤由后续高温热处理工艺来消除，本工艺流程简单，既可以提高生产效率，也可以提高硅片的质量。
使用高温热处理 300 mm 抛光制造工艺

[发明专利]掺铌纳米铟锡氧化物粉末及其高密度溅射镀膜靶材的制备方法-CN200910087558.7无效
发明人：张维佳;郑伟;张静;沈燕龙;赵而敬 -专利权人：北京航空航天大学;郑伟
申请日： 2009-06-29 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：一种掺铌纳米铟锡氧化物粉末及其高密度溅射镀膜靶材的制备方法，包括以下步骤：(1)对高纯金属进行溶解：用无机酸溶解高纯金属铌、高纯金属铟、高纯金属锡成透明溶液；(2)配料：将透明溶液按比例分装容器；(3)化学沉淀：将三种透明溶液制得掺铌重掺锡的氢氧化铟纳米粉末；(4)清洗：用去离子水清洗掺铌重掺锡的氢氧化铟纳米粉末并沉淀；(5)煅烧：将纳米粉末进行煅烧，制得掺铌纳米铟锡氧化物粉末；(6)造粒：将掺铌纳米铟锡氧化物粉末加入粘合剂并干燥，制得掺铌的铟锡氧化物成型前粉未；(7)成型：将掺铌的铟锡氧化物成型前粉末压制成初胚；(8)烧结：将初胚进行常压烧结，制得高密度掺铌的铟锡氧化物溅射镀膜靶材；若要进一步提高该靶密度，则采用气压烧结。
纳米氧化物粉末及其高密度溅射镀膜制备方法

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