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[发明专利]一种提高激光晶体与陶瓷散热性能的方法-CN202210116176.8在审
发明人：杭寅;张书隆;赵呈春;朱影;何明珠;蔡双;陶斯亮 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2022-01-29 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高激光晶体与陶瓷散热性能的方法，该方法在金刚石的生长过程中通入氧气，并在衬底与样品托之间加入阻热片，利用物理气相沉积与化学气相沉积在激光晶体与陶瓷上制备包含过渡层和金刚石薄膜的散热层，该散热层以晶粒直径为微米级的多晶金刚石作为其主要成分。采用本方法在激光晶体与陶瓷上制备的金刚石薄膜具有连续性好、附着性强、非金刚石相含量少的显著特点，具有良好的热传导能力。使用本方法获得的散热层，可以有效提高激光晶体与陶瓷在激光应用时的散热能力。
一种提高激光晶体陶瓷散热性能方法

[发明专利]稀土离子和钍离子共掺杂的LaAlO3-CN202210105463.9在审
发明人：杭寅;黄从晖;赵呈春;李善明;陶斯亮 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C30B29/24 文献下载
摘要：一种稀土离子和钍共掺杂的LaAlO3钙钛矿型激光晶体，通过在LaAlO3晶体中掺杂钍离子，将菱形畴单畴化，得到沿激光方向上无散射的单畴晶体。LaAlO3晶体具有较低的声子能量(486cm‑1)，较大的热导率(13.6Wm‑1K‑1)，稀土元素Nd和Th共掺杂后Nd的荧光寿命长达317μs，是目前氧化物激光晶体中最长的。本发明提供的晶体生长方法可以生长出高质量的单畴的单晶，作为增益介质可以产生大能量纳秒脉冲激光，在工业、科研、国防、医学等众多领域有极大的应用。
稀土离子掺杂 laalo base sub

[发明专利]一种激光晶体上生长金刚石的方法-CN202310205226.4在审
发明人：张书隆;杭寅;朱影;赵呈春;何明珠;蔡双 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：一种在激光晶体上生长金刚石的方法，首先在激光晶体表面制备具有特定深宽比的微结构，然后通过化学气相沉积法分两步进行金刚石的生长，最后对生长的金刚石研磨抛光，使其平整化。本发明能够有效提升金刚石在激光晶体上的形核密度，降低金刚石的内应力，并能显著增强金刚石和激光晶体间的结合力。使用本方法获得的金刚石，可以有效提高激光晶体在激光应用时的散热能力。
一种激光晶体生长金刚石方法

[发明专利]全面积均匀多孔氧化铝薄膜的制备方法、装置及其产品-CN201811186044.2有效
发明人：郭秋泉;赵呈春;贾沛沛;杨军 -专利权人：深圳拓扑精膜科技有限公司
申请日： 2018-10-11 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C23C14/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种全面积均匀多孔氧化铝薄膜的制备方法，包括镀膜、安装、电解、清洗、扩孔五个步骤，所得到的全面积均匀多孔氧化铝薄膜最终孔直径为10～800nm，所制得的多孔氧化铝薄膜最大直径可达8英寸。本发明还提供了由本方法所制备的产品、应用及实施本发明制备方法的电解装置，本发明制备的全面积均匀多孔氧化铝薄膜孔径大小一致，排列规则，制备方法使基片表面利用率提高到超过99％，而且使基片安装和拆卸变得方便，有利于后续基片的有效利用，降低生产成本，提高生产效率，并且由于整个电解装置没有复杂的密封部件、没有使用昂贵材料，因此安装和拆卸非常方便，可制备不同大小的多孔氧化铝薄膜，有利于大批量生产。
面积均匀多孔氧化铝薄膜制备方法装置及其产品

[发明专利]一种大尺寸氧化镓晶体的生长方法-CN202210974430.8在审
发明人：杭寅;朱影;龚巧瑞;张宇航;赵呈春;何明珠;蔡双 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种大尺寸氧化镓晶体生长方法，尤其是针对3英寸以上的β‑Ga2O3单晶生长。所述方法主要包括装料、设置高压(0.1p0.7MPa)纯氧气氛、熔料、生长和冷却五个步骤，利用该方法可以有效地避免氧化镓生长过程中原料分解的问题，同时，本发明在高压纯氧气氛下使用冷坩埚或者成分优化的合金坩埚，既可以大幅降低生长成本，又可以避免生长过程中的原料污染，有利于氧化镓晶体的大尺寸生长和产业化发展。
一种尺寸氧化晶体生长方法

[发明专利]一种快速检测微流体芯片-CN202210165375.8在审
发明人：郭秋泉;贾沛沛;陈宁东;赵呈春 -专利权人：深圳拓扑精膜科技有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种快速检测微流体芯片，涉及检测设备技术领域，包括芯片本体；所述芯片本体从下往上依次包括下层芯片、中层芯片以及上层芯片；所述芯片本体包括加液口，所述加液口布置在上层芯片表面，所述加液口布置有多组，各所述加液口分别与微流体结构连接；所述微流体结构布置在所述中层芯片朝向上层芯片的一侧，所述中层芯片两侧布置有排液口，所述排液口布置有多组，本发明的微流体芯片设有隔热槽结构，可以实现快速升降温，从而大大缩短PCR反应时间，可以将通常需要分钟以上的PCR扩增过程缩短到分钟以内，本发明的微流体芯片可通过硅基微流体芯片技术实现高精度的集成，尤其是芯片化，从而实现了设备的便携性本。
一种快速检测流体芯片

[发明专利]三价铬离子掺杂的钆钇钪铝石榴石激光晶体、制备方法及其应用-CN202210382795.1在审
发明人：杭寅;黄从晖;赵呈春;李善明;龚巧瑞;陶斯亮 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种三价铬离子(Cr3+)掺杂的钆钇钪铝石榴石激光晶体、制备方法及应用。本发明掺Cr3+掺杂的钆钇钪铝石榴石激光晶体的化学组分为(Gd1‑xYx)3(CrzScyAl1‑y‑z)2Al3O12，0.0001≤x≤0.9999，0.0001≤y≤0.9999，0.0005≤z≤0.02。本发明采用提拉法、下降法和热交换法生长Cr3+掺杂的钆钇钪铝石榴石晶体，该晶体Cr3+分布均匀，热导率高，化学稳定性好。该晶体是一种绿色环保、综合性能优良的可调谐激光晶体，可以获得红光和近红外激光输出。本发明提供的晶体生长方法可以生长出高质量的Cr3+掺杂的钆钇钪铝石榴石激光晶体，在工业、科研、国防、医学等众多领域有广泛的的应用前景。
三价铬离子掺杂钆钇钪铝石榴石激光晶体制备方法及其应用

[发明专利]基于掺镨氟化物晶体直接发射486.1nm蓝光激光的全固态激光器-CN202210216631.1在审
发明人：房倩楠;黄从晖;杭寅;朱小磊;周田华;赵呈春;李善明 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01S3/16 文献下载
摘要：本发明提供一种基于掺镨氟化物晶体直接发射486.1nm蓝光激光的全固态激光器，激光器包括激励源，聚焦系统，激光谐振腔和激光增益介质晶体。所述激励源为发射中心波长为440‑445nm的激光二极管激光器；所述激光谐振腔由镀以实现蓝光激光膜系的输入腔镜和输出腔镜组成；所述激光增益介质晶体为镨离子掺杂的氟化物晶体，利用Pr3+离子3P0→3H4能级跃迁直接发射486.1nm波长蓝光激光，可提高激光器的信噪比。本发明所制作的蓝光激光器具有结构简单紧凑、稳定性高、单色性好、体积小、功耗低等优点，并且通过调Q方式可获得高峰值功率蓝光激光脉冲输出，可满足海洋探测与水下通信所需高功率、高集成度的小型化蓝光激光器的需求。
基于氟化物晶体直接发射 486.1 nm 激光固态激光器

[发明专利]铥镝共掺溴化物中红外激光晶体、制备方法及其应用-CN202210220717.1在审
发明人：李善明;杭寅;何明珠;蔡双;赵呈春;陶斯亮 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2022-03-08 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种面向4～5微米全固态激光器的铥镝共掺低声子能量溴化物激光晶体及其制备方法，涉及中红外激光材料与器件领域。该晶体分子式为M(TmxDyyPb1‑x‑y)2Br5，其中M为金属元素K、Rb、Tl，x取值范围为：0.01≤x≤0.1，y取值范围为：0.001≤y≤0.05。该激光晶体中，铥离子作为敏化离子，吸收近红外波段商业半导体激光器能量并传递给镝离子。镝离子作为激活离子，通过Dy3+:6H11/2→6H13/2跃迁获得4～5微米波段高效激光输出。低声子能量的M(TmxDyyPb1‑x‑y)2Br5晶体具备优异的激光特性且能通过商业LD直接泵浦，能够推动镝激活中红外激光器的小型化发展。
铥镝共掺溴化物红外激光晶体制备方法及其应用

[发明专利]一种表面增强拉曼光谱基底材料的制备方法-CN202210164225.5在审
发明人：郭秋泉;贾沛沛;陈宁东;赵呈春 -专利权人：深圳拓扑精膜科技有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面增强拉曼光谱基底材料的制备方法，涉及拉曼光谱技术领域，具体包括如下步骤：S1、制备银纳米颗粒；S2、制备银纳米颗粒分散溶液；S3、将银纳米颗粒、银纳米颗粒分散溶液与适量胺类物质进行混合搅拌，得到混合液；S4、将2‑10g/L的壳聚糖纳米粒水溶液与上述混合液按照体积比为1:1的比例混合，在探头超声下，将混合液移入截留分子量为9000‑12000Da的透析袋中，透析袋中的液体即为表面增强拉曼光谱基底的水溶液，经该方法制得的金属纳米颗粒具有很好的分散性；经该方法制得的金属纳米颗粒表面电荷绝对值大于30，说明得到的纳米颗粒可以稳定存在；经该方法制得的金属纳米颗粒表面电带有大量正荷，对带负电荷的物质进行选择性富集。
一种表面增强光谱基底材料制备方法

[发明专利]一种表面增强拉曼检测基底-CN202210164036.8在审
发明人：郭秋泉;贾沛沛;陈宁东;赵呈春 -专利权人：深圳拓扑精膜科技有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种表面增强拉曼检测基底，涉及表面增强拉曼检测基底技术领域，包括柔性基底、固化树脂层、贵金属涂层以及金属氧化物薄膜；所述固化树脂层附着于所述柔性基底表面；在所述固化树脂层表面设置多级纳米结构层，所述多级纳米结构层由尺寸较大的一级纳米结构和尺寸较小的二级纳米结构组成；所述一级纳米结构固定在所述固化树脂层表面，形成凸起机构；所述二级纳米结构分布在所述一级纳米结构表面，本发明在柔性基底上制造有序多级纳米结构阵列，然后采用在多级纳米结构阵列表面沉积一层贵金属使其金属化，得到的表面增强拉曼检测基底，具有高精度、优异的稳定性，非常适用于单分子生物检测、疾病早期诊断等领域。
一种表面增强检测基底

[发明专利]一种纳米孔金属结构的制备方法-CN202111546784.4在审
发明人：郭秋泉;贾沛沛;陈宁东;赵呈春 -专利权人：深圳拓扑精膜科技有限公司
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C25D11/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种纳米孔金属结构的制备方法，涉及纳米材料制备技术领域，包括如下步骤：S1、对具有双通孔结构的超薄阳极氧化铝薄膜和导电衬底进行亲水处理；S2、将超薄阳极氧化铝薄膜转移至目标衬底表面，氧化铝薄膜与目标衬底形成紧密吸附；S3、采用步骤S2的转移方法转移多层超薄阳极氧化铝薄膜，从而形成双通孔超薄阳极氧化铝薄膜叠层结构；S4、使用电化学沉积法沉积金属材料，直至金属将叠层结构的空隙部分全部填充满；S5、用腐蚀液溶解阳极氧化铝模板，进而在目标衬底上获得纳米孔金属结构,由于每一次氧化铝薄膜的孔的周期、孔直径、膜的厚度都可以独立调控，所获得的金属薄膜的内部孔结构是可以千变万化，容易进行调控的。
一种纳米金属结构制备方法

[发明专利]一种电镀夹持装置及利用其制备图案化纳米线的方法-CN202010997605.8有效
发明人：郭秋泉;赵呈春;贾沛沛;杨军 -专利权人：深圳拓扑精膜科技有限公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： C25D17/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种电镀夹持装置，包括顶杆，设置于顶杆下方的第一夹件，设置于第一夹件下方的第二夹件，设置于第二夹件下方的基座，第一夹件与第二夹件之间设置有夹持区。通过顶杆和基座对第一夹件和第二夹件施加外压力。通过顶杆和基座对第一夹件和第二夹件施加外压力。本发明电镀夹持装置可以增加阳极氧化铝膜板与基底之间的结合力，减小阳极氧化铝模板与基底之间的间隙，使得电沉积出的金属能够顺利进入阳极氧化铝模板的孔内而形成纳米线。本发明还公开了一种利用电镀夹持装置制备图案化纳米线的方法。通过本发明方法可以制备出图案化的金属纳米线。
一种电镀夹持装置利用制备图案纳米方法

[实用新型]过滤装置及过滤设备-CN202022931079.3有效
发明人：郭秋泉;贾沛沛;赵呈春;杨军 -专利权人：深圳拓扑精膜科技有限公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： B01D17/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种过滤装置，包括过滤部，过滤部包括压膜件、过滤件和载膜件；压膜件上设置有第一通液孔，第一通液孔用于使血液穿过压膜件，血液包括CTC和滤液；过滤件上设置有过滤孔，过滤孔的尺寸小于CTC的直径，过滤孔用于使滤液穿过过滤件，且将CTC分离在过滤件上；压膜件固定于载膜件，载膜件上设置有容置槽，过滤件嵌入容置槽，容置槽的底面上设置有第二通液孔，第二通液孔用于使滤液穿过压膜件。过滤件被压膜件限制在了容置槽中，完成CTC的分离操作后，只需整体移动过滤部，即可实现对过滤件位置的改变，有效防止了移取过滤件时出现CTC意外流失的情况发生。本实用新型还公开了一种具有上述过滤装置的过滤设备。
过滤装置设备

[发明专利]抑制来自氮化镓籽晶缺陷的方法及氮化镓单晶和应用-CN202110719050.5在审
发明人： 赵呈春;杭寅;龚巧瑞 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种抑制来自氮化镓籽晶缺陷的方法及氮化镓单晶和应用。所述方法的步骤为：首先将所用氮化镓籽晶表面进行抛光后，采用腐蚀液对籽晶腐蚀，使籽晶表面位错位置产生位错腐蚀坑。之后采用在籽晶表面沉积一层覆盖材料。然后采用机械抛光法将上述步骤中腐蚀坑之外表面覆盖材料去除，最后使用此籽晶进行晶体生长获得氮化镓单晶。本发明提供的一种抑制来自氮化镓籽晶缺陷的方法及氮化镓单晶和应用，可以实现对位错缺陷的有效抑制，同时达到对无位错区域的充分利用，而且步骤简单，成本较低。
抑制来自氮化籽晶缺陷方法镓单晶应用

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