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[发明专利]温度受控/电偏压晶片环绕-CN202180092484.5在审
发明人：凯文·R·安葛林;赛门·罗芙尔;凯文·威耶 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开一种用于均匀地蚀刻工件的系统及方法。系统包括：半导体处理系统，生成带状离子束；及工件固持器，使工件接受带状离子束的扫描。工件固持器包括延伸超出工件的一部分，所述部分被称为环圈。可独立地对环圈进行加热以补偿蚀刻速率不均匀性。在一些实施例中，可独立地对环圈加偏压以使得其电势不同于施加到工件的电势。在某些实施例中，环圈可被划分成可被单独控制的多个热区带。如此一来，可通过控制环圈的所述多个热区带中的各个热的电势和/或温度来解决各种蚀刻速率不均匀性。
温度受控偏压晶片环绕

[发明专利]多区平台温度控制-CN202180032899.3在审
发明人：凯文·R·安葛林;赛门·罗芙尔 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：揭示一种用于以均匀的方式蚀刻工件的系统及方法。所述系统包括产生带状离子束的半导体处理系统及扫描工件通过带状离子束的工件托座。工件托座包括多个独立控制的热区，从而可分开地控制工件的不同区域的温度。在某些实施例中，蚀刻速率均匀性可以是距工件中心的距离的函数，也称为径向不均匀性。此外，当扫描工件时，在平移方向上也可能存在蚀刻速率均匀性问题，称为线性不均匀性。本发明的工件托座包括多个独立控制的热区，以补偿径向及线性蚀刻速率的不均匀性。
平台温度控制

[发明专利]将衬底及设置在其上的层图案化以及形成器件结构的方法-CN201780058139.3有效
发明人：丝特芬·R·舍曼;约翰·哈塔拉;赛门·罗芙尔 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2017-09-11 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种将衬底及设置在其上的层图案化的方法以及一种形成器件结构的方法。所述方法可包括：在层内以交错配置形式提供第一表面特征及第二表面特征，所述层设置在所述衬底上；以及在含有反应性物质的反应性气氛的存在下，在第一曝光中将第一离子引导至所述第一表面特征的第一侧及所述第二表面特征的第一侧，其中所述第一曝光蚀刻所述第一表面特征的所述第一侧及所述第二表面特征的所述第一侧，其中在所述引导之后，所述第一表面特征与所述第二表面特征合并形成第三表面特征。本发明提供优点在于在不增大多个凹陷特征的长度的同时增大所述多个凹陷特征的宽度的能力以及在衬底层内形成复杂二维形状的能力，从而能够忠实地产生目标形状结构。
衬底设置图案以及形成器件结构方法

[发明专利]图案化的方法-CN202210535376.7在审
发明人： 赛门·罗芙尔;约翰·哈塔拉;亚当·普兰德;戴辉雄 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2016-06-02 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种图案化的方法。所述方法可包括：在衬底上提供层，所述层具有多个孔；以及沿轨迹引导多个离子以沿第一方向拉长所述多个孔，所述第一方向在由所述衬底的前表面界定的衬底平面内延伸。本发明可减小用于产生特征图案的掩模的数目的能力，其中所述特征可分隔开比由单一掩模可实现的临限间隔小的距离。
图案方法

[发明专利]将衬底图案化的方法-CN201680048977.8有效
发明人： 赛门·罗芙尔;约翰·哈塔拉;亚当·普兰德;戴辉雄 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2016-06-02 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种将衬底图案化的方法。所述方法可包括：在衬底上提供表面特征，所述表面特征具有沿衬底平面内的第一方向的第一尺寸及沿所述衬底平面内的第二方向的第二尺寸，其中第二方向垂直于第一方向；以及在存在含有反应性物质的反应性气氛的条件下，相对于衬底平面的垂线以非零入射角沿第一方向将第一曝光中的第一离子引导至表面特征；其中第一曝光沿第一方向蚀刻表面特征，其中在所述引导之后，表面特征保持沿第二方向的第二尺寸，且其中所述表面特征具有沿第一方向的不同于第一尺寸的第三尺寸。本发明可减小用于产生特征图案的掩模的数目的能力，其中所述特征可分隔开比由单一掩模可实现的临限间隔小的距离。
衬底图案方法

[发明专利]使用斜角离子束进行单向孔洞延长的技术与设备-CN201980077053.4在审
发明人：凯文·安葛林;赛门·罗芙尔 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种对衬底进行图案化的方法。所述方法可包括在设置在衬底上的层中提供腔，腔沿着第一方向具有第一长度且沿着与第一方向垂直的第二方向具有第一宽度，并且其中层沿着与第一方向及第二方向垂直的第三方向具有第一高度。所述方法可包括：在第一沉积程序中在腔之上沉积牺牲层；以及在第一次曝光中将斜角离子引导到腔，其中腔被刻蚀，并且其中在第一次曝光之后，腔沿着第一方向具有大于第一长度的第二长度，且其中腔沿着第二方向具有不大于第一宽度的第二宽度。
使用斜角离子束进行单向孔洞延长技术设备

[发明专利]改良工艺均匀性的衬底晕圈配置-CN201980015219.X在审
发明人：杰伊·R·沃利斯;赛门·罗芙尔;凯文·安葛林;泰勒·洛克威尔;克里斯多夫·坎贝尔;凯文·M·丹尼尔斯;理查德·J·赫尔特 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：一种衬底总成可包括外部晕圈，所述外部晕圈包含第一材料并界定第一孔隙。所述衬底总成也可包括晕环，所述晕环包含第二材料且至少部分地设置在所述第一孔隙内。所述晕环可界定同心地定位在所述第一孔隙内的第二孔隙，其中所述晕环耦合以在其中容置衬底。
改良工艺均匀衬底配置

[发明专利]使用离子处理图案化特征的技术-CN201780016912.X在审
发明人： 赛门·罗芙尔;戴辉雄;郎军;约翰·哈塔拉 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2017-03-06 - 公布日： 2018-11-09 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种方法可包括：在衬底上提供表面特征，表面特征包括特征形状、特征位置及在衬底平面内沿第一方向的尺寸；在衬底特征上沉积包含层材料的层；以及在离子曝光中以入射角度朝衬底射出离子，入射角度相对于衬底平面的垂线形成非零角度，其中离子曝光包含离子及反应性不带电物质，离子曝光对层材料进行反应性蚀刻，其中离子撞击表面特征的第一部分且不撞击表面特征的第二部分，且其中产生改变后的表面特征，改变后的表面特征在以下中的至少一个方面不同于表面特征：沿第一方向的尺寸、特征形状或特征位置。
表面特征离子衬底衬底平面特征位置特征形状反应性入射角曝光蚀刻图案化特征离子处理离子撞击撞击表面不带电垂线对层非零射出沉积

[发明专利]DRAM元件用的非均匀栅氧化物厚度-CN201680074925.8在审
发明人： 赛门·罗芙尔;阿宾德·库马尔;崔斯坦·马;沈圭河;约翰·哈塔拉;丝特芬·舍曼 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2016-11-23 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本文中提供用于形成动态随机存取存储器元件的栅极氧化物层的方法，所述方法包括：提供带鳍片基底，带鳍片基底中形成有凹槽；以及向凹槽的侧壁表面中执行离子植入，以形成具有非均匀厚度的栅极氧化物层，其中栅极氧化物层在侧壁表面的顶部区段处的厚度大于栅极氧化物层在侧壁表面的底部区段处的厚度。在某些方法中，将离子植入设置成以随着离子植入能量和/或离子剂量而变化的多个不同的植入角度进行的一系列离子植入，从而增大侧壁表面的顶部区段的栅极氧化物的厚度。在某些方法中，在离子植入期间或在离子植入之后也将带鳍片基底暴露至等离子体。
植入离子栅极氧化物层侧壁表面带鳍片基底顶部区段非均匀动态随机存取存储器元件等离子体离子植入能量栅极氧化物底部区段栅氧化物暴露

[发明专利]无鳍片凹陷和无栅极间隙壁下拉的鳍状场效晶体管间隙壁蚀刻-CN201680036713.0在审
发明人： 赛门·罗芙尔 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2016-06-02 - 公布日： 2018-03-09 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：一种方法包括提供自基板的基板平面延伸的图案化特征，图案化特征包括半导体部分及处于未硬化状态的涂层，涂层沿顶部区及半导体部分的侧壁区延伸；将第一离子植入至涂层中，第一离子具有沿着基板平面的垂线的第一轨迹，其中第一离子形成沿着顶部区安置的蚀刻硬化部分，蚀刻硬化部分包括硬化状态；以及在涂层处使用第二离子引导反应性蚀刻，第二离子具有相对于垂线形成非零角度的第二轨迹，其中反应性蚀刻以第一蚀刻速率移除蚀刻硬化部分，其中第一蚀刻速率小于当第二离子在反应性蚀刻中被引导至处于未硬化状态的顶部部分时的第二蚀刻速率。
无鳍片凹陷栅极间隙下拉鳍状场效晶体管蚀刻

[发明专利]磁性存储器以及制造方法-CN201380033033.X有效
发明人：艾立克斯恩德·C·刚特司;丝特芬·舍曼;约翰·J·哈塔拉;赛门·罗芙尔 -专利权人：瓦里安半导体设备公司
申请日： 2013-04-29 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性存储器以及制造方法。形成磁性存储器的方法包含在衬底的基底部分上提供包括多个磁性层和多个导电层的层堆叠；在第一保护区域上方的层堆叠的外表面上形成第一掩模特征且在第二保护区域上方的层堆叠的外表面上形成第二掩模特征，所述第一掩模特征和第二掩模特征在其间界定层堆叠的部分中的层堆叠的暴露区域；以及在离子暴露中朝向层堆叠的暴露区域引导离子，所述离子暴露有效地在不移除层堆叠的暴露区域的情况下使第一保护区域与第二保护区域磁隔离并且使第一保护区域与第二保护区域电隔离。
磁性存储器以及制造方法

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