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[发明专利]传感器及用于形成传感器的方法-CN201911036102.8有效
发明人：郑钧文;赖飞龙;张贵松;蔡尚颖 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：在一些实施例中，提供一种传感器。所述传感器包括：微机电系统(MEMS)衬底，设置在集成芯片(IC)之上，其中集成芯片界定第一空腔的下部部分及第二空腔的下部部分，且其中第一空腔具有与第二空腔的操作压力不同的第一操作压力。顶盖衬底设置在微机电系统衬底之上，其中顶盖衬底的第一对侧壁局部地界定第一空腔的上部部分，且顶盖衬底的第二对侧壁局部地界定第二空腔的上部部分。传感器区域及虚设区域二者设置在第一空腔中，传感器区域包括微机电系统衬底的能够移动的部分，虚设区域包括微机电系统衬底的固定部分。压力增强结构设置在虚设区域中。
传感器用于形成方法

[发明专利]一种针对黄曲霉毒素的分子印迹材料及其制备方法和应用-CN202110796011.5有效
发明人：何建雄;梁文福;何金莲;陈晓强;郝燕娟;李丰;潘浣钰;赖飞龙;毓志超 -专利权人：广州汇标检测技术中心;广州智汇生物科技有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： B01J20/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种针对黄曲霉毒素的分子印迹材料的制备方法，包括以下：步骤1，将左旋氧氟沙星环合酯作为模板分子与功能单体、乙腈混合，超声处理，加入交联剂和引发剂，得到第一混合物，对第一混合物进行氮气吹扫，进行聚合反应，离心分离得到产物；步骤2，用甲醇洗涤产物，除去未反应的功能单体，用洗涤剂除去左旋氧氟沙星环合酯，得到针对黄曲霉毒素的分子印迹材料。本发明的制备方法得到的分子印迹材料具有易制备、性质稳定、成本低、效率高和对黄曲霉毒素特异性识别能力的优点，有利于推广应用于对中药、食品中黄曲霉毒素含量的检测，提高对中药、食品的食用安全保障。
一种针对黄曲霉毒素分子印迹材料及其制备方法应用

[发明专利]一种黄曲霉毒素分子印迹聚合物及其制备方法和应用-CN202110796016.8有效
发明人：潘浣钰;黄寿辉;闵曼;孙蕙;何建雄;李丰;郝燕娟;陈晓强;赖飞龙;毓志超 -专利权人：广州汇标检测技术中心;广州智汇生物科技有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C08F222/14 文献下载
摘要：一种黄曲霉毒素分子印迹聚合物及其制备方法和应用。本发明公开了一种黄曲霉毒素分子印迹聚合物的制备方法，包括以下：步骤1，将苏木精作为模板分子与功能单体、乙腈混合，超声处理，加入交联剂和引发剂，得到第一混合物，模板分子：功能单体：交联剂的摩尔质量为1:6～8:30，对第一混合物进行氮气吹扫，进行聚合反应，离心分离得到产物；步骤2，用甲醇洗涤产物，除去未反应的功能单体，用洗涤剂除去苏木精，得到黄曲霉毒素分子印迹聚合物。本发明的制备方法得到的分子印迹聚合物具有易制备、性质稳定、成本低、效率高和对黄曲霉毒素特异性识别能力的优点，有利于推广应用于对中药、食品中黄曲霉毒素含量的检测，提高对中药、食品的食用安全保障。
一种黄曲霉毒素分子印迹聚合物及其制备方法应用

[发明专利]CMOS-MEMS结构及其形成方法-CN202111232301.3在审
发明人：彭荣辉;朱家骅;赖飞龙;林详淇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种CMOS结构，该CMOS结构包括衬底、衬底上方的金属层、金属层上方的传感结构、以及邻近传感结构的信号发送结构。传感结构包括金属层上方的除气层、除气层上方的图案化的除气阻挡件、以及图案化的除气阻挡件上方的电极。信号发送结构电连接电极和金属层。本发明实施例涉及CMOS‑MEMS结构及其形成方法。
cmos mems 结构及其形成方法

[发明专利]气体传感器、使用其的集成电路器件及其制造方法-CN202111142749.6在审
发明人：郑钧文;朱家骅;赖飞龙;林详淇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-13 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明提供一种气体传感器，包括衬底、加热器、介电层、感测电极和气体敏感膜。衬底具有感测区域和围绕感测区域的周围区域，并且衬底还具有设置在感测区域中的开口。将加热器设置为至少位于开口上面，并且加热器的电阻率约大于6×10‑8ohm·m。介电层设置在加热器上。感测电极设置在介电层上。气体敏感膜设置在感测电极上。本发明还提供了使用气体传感器的集成电路器件及其制造方法。
气体传感器使用集成电路器件及其制造方法

[发明专利]微电子机械系统(MEMS)装置及其制造方法-CN201711269755.1有效
发明人：张贵松;赖飞龙;蔡尚颖;谢政宇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明的实施例涉及具有图案化的抗粘滞层的MEMS装置和形成的相关方法。MEMS装置具有限定第一接合表面的处理衬底和具有MEMS器件并且限定第二接合表面的MEMS衬底。在第一接合表面面向第二接合表面的情况下，通过接合界面将处理衬底接合至MEMS衬底。抗粘滞层布置在第一接合表面和第二接合表面之间，而没有位于接合界面上方。
微电子机械系统 mems 装置及其制造方法

[发明专利]微机电系统装置及其形成方法-CN201911175794.4在审
发明人：张贵松;郑钧文;赖飞龙;潘兴强;谢元智;王怡人 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： B81B7/04 文献下载
摘要：本公开的各种实施例涉及一种微机电系统(MEMS)装置。所述微机电系统装置包括介电结构，介电结构设置在第一半导体衬底之上，其中介电结构至少局部地界定空腔。第二半导体衬底设置在介电结构之上。所述第二半导体衬底包括可移动体，其中可移动体的相对的侧壁设置在空腔的相对的侧壁之间。防粘连结构设置在可移动体与介电结构之间，其中防粘连结构是第一硅系半导体。
微机系统装置及其形成方法

[外观设计]冲击波理疗仪-CN201930686839.9有效
发明人： 赖飞龙 -专利权人： 赖飞龙
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： 24-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：冲击波理疗仪。2.本外观设计产品的用途：用于理疗仪器。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。
冲击波理疗仪

[发明专利]一种阳极材料及其制备方法-CN201810389342.5有效
发明人：林强;赖飞龙;侯海涛;蔡坤星;方漳云;张衍诚 -专利权人：厦门虹鹭钨钼工业有限公司
申请日： 2018-04-27 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： C22C27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种阳极材料及其制备方法。该阳极材料包括平均晶粒尺寸在60μm～120μm范围和平均晶粒长宽比在5:1以上的钨晶粒和分布在所述钨晶粒晶界的K元素，并采用静液快速锻造工艺、再结晶退火、旋锤变形制成。该阳极材料可有效控制含钨基材晶粒尺寸及晶粒长宽比，明显提升制得的阳极材料的机加工刀损、耐高温稳定性和耐电子轰击能力的综合性能。
阳极材料晶粒平均晶粒长宽比制备再结晶退火电子轰击含钨基材有效控制综合性能机加工耐高温晶界静液变形锻造

[发明专利]一种稀土掺杂的钨管的制作方法-CN201710022355.4有效
发明人：郑艾龙;祁美贵;林强;谢智强;赖飞龙;杜勇;侯海涛;方毅金;郭翔;蔡坤星 -专利权人：厦门虹鹭钨钼工业有限公司
申请日： 2017-01-12 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： B23P15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种热加工和机械加工相结合的掺杂稀土的钨管的制作方法，包括如下步骤：通过粉末冶金的方法烧结出掺杂有稀土氧化物的钨棒坯；对烧结钨棒坯进行锻造，采用快锻机、空气锤和旋锤机中的一种或其组合加工，提高钨棒的密度；采用深孔钻的方法，在表面磨光后的稀土钨棒进行钻孔，加工成含有稀土氧化物的钨管。得到的稀土掺杂钨管可达到99％理论密度，塑—脆转变温度得到了明显的降低，在室温下安装和使用时，不容易出现裂纹，特别适用于大长径比的钨管的制作，且制作过程安全环保。
一种稀土掺杂制作方法

[发明专利]CMOS‑MEMS结构及其形成方法-CN201610882059.7在审
发明人：彭荣辉;朱家骅;赖飞龙;林详淇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-10-10 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种CMOS结构，该CMOS结构包括衬底、衬底上方的金属层、金属层上方的传感结构、以及邻近传感结构的信号发送结构。传感结构包括金属层上方的除气层、除气层上方的图案化的除气阻挡件、以及图案化的除气阻挡件上方的电极。信号发送结构电连接电极和金属层。本发明实施例涉及CMOS‑MEMS结构及其形成方法。
cmos mems 结构及其形成方法

[发明专利]集成电微流控探针卡、系统及其使用方法-CN201310039862.0有效
发明人：刘怡劭;赖飞龙;郑创仁;郑钧文 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-01-31 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种生物场效应晶体管(BioFET)设备的测试和处理方法、系统和装置。晶圆级生物传感器处理工具包括晶圆载物台、集成电微流控探针卡以及流体供应器和回流器。该集成电微流控探针卡包括流控底座(其可以为透明的)、流控底座中的微流体通道、位于流控底座的底部的至少一个微流控探针和多个电探针顶端、位于流控底座的侧部的流体和电子输入口和输出口以及位于流控底座上的至少一个操作凸缘。该方法包括对准晶圆、安装集成电微流控探针卡、使测试流体流动以及测试电气性能。该工具还可以用于标识或标记晶圆上的设备区中的流体。本发明还提供了一种集成电微流控探针卡、系统及其使用方法。
集成电微流控探针系统及其使用方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201610600300.2在审
发明人：郑钧文;朱家骅;赖飞龙;林详淇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-07-27 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： B81B7/00 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种半导体结构，包括第一器件和第二器件。第一器件包括第一衬底；穿过第一衬底并且填充有导电或半导体材料的多个通孔；第一氧化物层，围绕导电或半导体材料；腔体，被第一衬底围绕；金属材料，设置在第一表面上方；第二氧化物层，设置在第二表面上方；膜，设置在第二氧化物层和腔体上方；加热器，设置在膜内；感测电极，设置在膜和加热器上方；以及感测材料，设置在腔体上方并且与感测电极接触。第二器件包括第二衬底和设置在第二衬底上方的接合结构。金属材料与接合结构接合以将第一器件与第二器件集成。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]气体传感器、使用其的集成电路器件及其制造方法-CN201510775915.4在审
发明人：郑钧文;朱家骅;赖飞龙;林详淇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-11-13 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：本发明提供一种气体传感器，包括衬底、加热器、介电层、感测电极和气体敏感膜。衬底具有感测区域和围绕感测区域的周围区域，并且衬底还具有设置在感测区域中的开口。将加热器设置为至少位于开口上面，并且加热器的电阻率约大于6×10-8ohm·m。介电层设置在加热器上。感测电极设置在介电层上。气体敏感膜设置在感测电极上。本发明还提供了使用气体传感器的集成电路器件及其制造方法。
气体传感器使用集成电路器件及其制造方法

[实用新型]一种用于大型锻造液压机锻造的模具-CN201520263440.6有效
发明人：林强;赖飞龙;蔡坤星;赖亚洲 -专利权人：厦门虹鹭钨钼工业有限公司
申请日： 2015-04-28 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： B21J13/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于大型锻造液压机锻造的模具，包括上模、下模和底座，上模底端设有沿坯料的进给方向贯通的第一模腔，下模顶端设有沿坯料的进给方向贯通并与第一模腔对应配合的第二模腔；上模及下模的左右两侧还分别配合有导向块，该导向块固接于底座，对上模和下模沿合模及开模方向进行导向；各导向块与上模之间还分别连接有弹性件。本实用新型采用上述结构后，使上模和下模的拆装更加方便，且配合设计的弹性件的回弹力利于开模，并有助于保护底座过度承压。
一种用于大型锻造液压机模具

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