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[发明专利]五重荧光PCR的检测体系及其应用和产品-CN202010155179.3有效
发明人：张智超;陈芝娟;王虹军;贺贤汉 -专利权人：杭州博日科技股份有限公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C12Q1/686 文献下载
摘要：本发明涉及生物技术领域，具体而言，提供了一种五重荧光PCR的检测体系及其应用和产品。该检测体系利用的是发射波长分别为470nm‑525nm、523nm‑564nm、571nm‑612nm、628nm‑692nm和678nm‑718nm的荧光染料来进行荧光检测。该检测体系利用位于五个特定波段的发射波长的荧光染料作为五重荧光PCR的检测染料，通过五个可以在同一PCR反应体系内同时进行检测的检测通道(波段)，可以实现同一个PCR反应体系中的五重检测，并且五个检测通道的检测结果之间无串扰的现象，结果准确适用于高通量检测。
荧光 pcr 检测体系及其应用产品

[发明专利]一种石英坩埚自动加砂成型设备-CN202310541164.4在审
发明人：朱夕祥;贺贤汉;朱猛;张凯;叶国卿 -专利权人：上海汉虹精密机械有限公司
申请日： 2023-05-15 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C03B20/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种石英坩埚自动加砂成型设备，机器人支座的顶部安装有机器人，机器人支座的一侧设置有石英坩埚模具，机器人支座上提升机构的砂桶平台上设置有四个间距布置的砂桶，机器人的机械手能分别连接取桶治具、成型治具、扬砂治具、旋转治具，石英坩埚模具能绕模具平台旋转并限位在‑20°(取成品位置)、60°(加砂位置)、90°(成型位置)。本发明的机器人带动加砂机构旋转后的出料口对准60°加砂状态的模具入口，然后机器人的机械手通过取桶治具依次夹取砂桶后分次将石英砂倒入加砂机构的漏斗中、按照设定程序落入石英坩埚模具内，完成加砂步骤，解决了高空加砂的效率问题，避免了砂桶高空旋转的安全问题。
一种石英坩埚自动成型设备

[发明专利]一种砂磨机与球磨机联用制备陶瓷浆料的方法-CN202210807940.6有效
发明人：王斌;贺贤汉;葛荘;崔梦德;王榕;张进 -专利权人：江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：本发明公开一种砂磨机与球磨机联用制备陶瓷浆料的方法。将干燥的陶瓷粉体和烧结助剂与单一有机溶剂混合加入砂磨机研磨；研磨的同时进行胶体预溶，节省了时间；研磨结束后，将陶瓷浆料脱泡到所需固含量；再根据固含量将所需的陶瓷浆料送入球磨罐中，加入预溶的胶体、塑化剂和溶剂放入球磨机中球磨。这样联用砂磨机和球磨机一起制备陶瓷浆料，不再受限于浆料粘度，适用范围广；能够将制备时间缩短30％以上，得到的陶瓷浆料窄的粒度范围、D50可达到200nm左右，大大提高了效率，同时制得的陶瓷浆料更加均匀；通过在特定的真空环境下脱泡来代替干燥后破碎，能有效避免杂质的引入。
一种砂磨球磨机联用制备陶瓷浆料方法

[发明专利]全自动基因分析设备和基因分析方法-CN202110286476.6有效
发明人：李冬;曹进涛;李支海;张康;张磊建;余跃;马正伟;贺贤汉 -专利权人：杭州博日科技股份有限公司
申请日： 2021-03-17 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C12M1/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种全自动基因分析设备和基因分析方法，涉及医疗检测技术领域。设备包括机体、第一取放装置、第二取放装置、第一开关盖装置、第二开关盖装置、样本架、耗材架、PCR检测装置和离心传输装置。本发明利用第一取放装置进行样本管或PCR管的取放，或者进行移液操作，利用开关盖装置自动开关盖，进而可以实现基因的自动纯化和提取，实现了PCR体系的自动构建；利用离心转移装置实现了PCR管的自动转移和离心操作，实现一体多用，利用第二取放装置和PCR检测装置实现了PCR检测步骤的自动进行，整个检测过程无需人工介入，不仅提高了检测效率，确保了检测准确度，而且简化了所需实验设备，降低了检测所用空间。
全自动基因分析设备方法

[发明专利]一种籽晶分离装置及使用方法-CN202310951603.9在审
发明人：王升;贺贤汉;涂小牛;忻隽 -专利权人：安徽微芯长江半导体材料有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种籽晶分离装置及使用方法，涉及到碳化硅晶体技术领域，包括升降单元：用于承载坩埚盖与籽晶并进行整体的高度调节；线切割单元：用于对坩埚盖与籽晶之间的高温胶层进行切割以使得坩埚盖与籽晶分离。本装置采用线切割单元对较后的高温胶层进行切割处理，可使得坩埚盖与带有晶体的籽晶安全且快速分离，还包括调节上金刚线与下金刚线两线之间距离以及自动调节金刚线张紧度的调节单元，可自动保持金刚线张紧度的同时可调节上金刚线与下金刚线之间的间距，以适应对不同厚度的高温胶层的切割，扩大其使用范围。
一种籽晶分离装置使用方法

[发明专利]一种不规则碳化硅晶锭快速磨切装置-CN202310959660.1在审
发明人：姚智勇;贺贤汉;左轩;高攀 -专利权人：安徽微芯长江半导体材料有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： B28D5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种不规则碳化硅晶锭快速磨切装置，涉及到货物运输领域，包括磨切单元：设置有多个，用于对不规则碳化硅晶锭进行磨切处理；驱动单元：用于同时带动多个所述磨切单元进行直线移动；旋转承载单元：用于承载不规则碳化硅晶锭并对碳化硅晶锭进行旋转操作其中，多个磨切单元均安装在所述驱动单元上，所述驱动单元安装在所述旋转承载单元上。本装置采用多个磨切单元对晶锭进行竖向旋转磨切，可快速对晶锭上不规则的部分切除，且金刚线可采用较小直径的（可根据精细打磨精度进行选择），对晶锭进行切割的同时还对其具有精细打磨作用，可一次性得到标准的圆形晶锭（即经过传统打磨工艺后的得到的合格晶锭），本装置操作方便且快捷。
一种不规则碳化硅快速装置

[发明专利]一种基于DPC工艺的电子烟加热片及其制备方法-CN202211030344.8有效
发明人：王斌;贺贤汉;余祖森;葛荘;孙泉 -专利权人：江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： A24F40/46 文献下载
摘要：本发明提供一种基于DPC工艺的电子烟加热片及其制备方法，通过引入DPC工艺中的磁控溅射、采用激光调阻法及自制保护膜，有效解决现有的电子烟加热片中加热膜层厚度不均、印刷线路不够精细等问题，从而解决了加热片发热不均匀的问题；在自制保护膜的制备中，苯甲酰甲酸甲酯为引发剂，二缩三丙二醇二丙烯酸酯为稀释剂，酚醛环氧树脂与脂肪族聚氨酯丙烯酸酯为预聚物，光伏晶硅废料为填料，制备一种耐高温易剥离的保护膜，大幅提升保护膜与铜面的结合力，同时兼具易剥离效果，得到高精度的电镀尺寸；在预聚物中加入酸酐修饰的壳聚糖；用光伏晶硅废料为原料，变废为宝，添加高导热氮化硼，通过冰模板法、高温烧结的方法构建三维的网络骨架，得到填料。
一种基于 dpc 工艺电子加热及其制备方法

[发明专利]一种CVD炉的强制冷却风扇结构-CN202310728246.X在审
发明人：刘伟;贺贤汉;夏孝平 -专利权人：上海汉虹精密机械有限公司
申请日： 2023-06-19 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： F04D25/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种CVD炉的强制冷却风扇结构，风扇腔体内设置有风扇轴，风扇轴通过轴承座安装在风扇腔体上，风扇轴位于风扇腔体内的一端设置有风扇，风扇通过键与风扇轴连接，风扇轴露出风扇腔体的一端连接变频电机；风扇腔体的壁板上设置有夹层结构；风扇腔体包括进风口和出风口，进风口和出风口之间设置有夹角，进风口与CVD炉腔体连接，进风口的顶面和出风口的外侧均设置有水管接头，两个水管接头分别连接循环冷却水系统。本发明采用变频电机的高速旋转，带动风扇旋转，从而使CVD炉腔体内的热量经过风扇腔体的进风口大端面流进，从下方出风口的小端面流出，加强了热量引流及冷却效果；水管接头接循环冷却水，能对风扇腔体进行水冷。
一种 cvd 强制冷却风扇结构

[发明专利]一种大颗粒碳化硅粉料制备装置与方法-CN202310654992.9在审
发明人：涂小牛;贺贤汉;忻隽;孔海宽;李书顶 -专利权人：安徽微芯长江半导体材料有限公司
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： C01B32/984 文献下载
摘要：本发明公开了一种大颗粒碳化硅粉料制备装置与方法，涉及到半导体材料技术领域，包括带有降温结构的高温加热炉、坩埚以及坩埚盖，还包括密封罩，所述密封罩靠近开口端的内腔壁上突出设有密封环，且所述密封环位于所述坩埚盖与所述坩埚连接缝隙处下方，所述密封罩上安装有与其内腔相通的连接管，且所述连接管通过连接件与贯穿所述高温加热炉的排气管进行密封连接，所述排气管位于所述高温加热炉外壁的部位上安装有排气单向阀，所述密封罩的内腔顶部固定有支撑件。本方法基于传统的固相合成方法，并借鉴气相合成原理，通过改变烧料坩埚的长径比，显著提高合成的碳化硅粉料颗粒度，可实现大批量合成大颗粒碳化硅粉料，具有显著经济效益。
一种颗粒碳化硅制备装置方法

[发明专利]一种功率半导体器件热压烧结装置-CN202211077210.1有效
发明人：周轶靓;贺贤汉;陈慧龙;王斌;朱凯;张鹏 -专利权人：江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
申请日： 2022-09-05 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率半导体器件热压烧结装置，包括电控柜，所述压合结构由压合板和形变元件组成，所述形变元件位于压合板内部，所述可形变元件一侧设有隔热层，所述可形变元件外壁固定连接有限位点，所述隔热层顶部固定连接有第一压力传感器，所述压合板顶部固定连接有金属层。本发明通过在压合板内部设置形变元件，在压合板内部设置隔热层，在形变元件底端设置冷却层，在载物台内部设置冷区槽，在冷区槽内部设置可拔插式导热支撑柱，使冷区槽内部温度可传导到可拔插式导热支撑柱上，本发明中，可以实现烧结过程中施加均匀、稳定的压力，并实现加热、冷却功能。设备一体化，简化了烧结流程，提高了作业效率。
一种功率半导体器件热压烧结装置

[发明专利]一种颗粒度均匀的碳化硅粉料制备装置与方法-CN202310675593.0在审
发明人：涂小牛;贺贤汉;孔海宽;忻隽;李书顶 -专利权人：安徽微芯长江半导体材料有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C01B32/984 文献下载
摘要：本发明公开了一种颗粒度均匀的碳化硅粉料制备装置与方法，涉及到半导体材料技术领域。本发明结构合理，方法基于传统的固相合成方法，通过设计长径比为0.95的烧料坩埚，在烧料坩埚内基本没有温度梯度，保证烧料坩埚内部的碳化硅晶粒能够原位长大，形成颗粒度均匀的碳化硅粉料。此外，通过调控合成时间还可以进一步调节颗粒度大小和占比。具有粒度大且可调、操作简单、无需分级等优点，能工业化制备高纯碳化硅粉料，具有显著经济效益。
一种颗粒均匀碳化硅制备装置方法

[发明专利]一种石墨纸籽晶承载装置及其制备工艺-CN202310648733.5在审
发明人：忻隽;贺贤汉;孔海宽;陈建军;涂小牛 -专利权人：安徽微芯长江半导体材料有限公司
申请日： 2023-06-02 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明提供一种石墨纸籽晶承载装置及其制备工艺，包括生长腔室、承载托、位控组件等组件，其中承载托包括可以相互分离的第一承载组件以及第二承载组件，在高温制备碳化硅晶体的过程中，控制第一承载组件以及第二承载组件底端端面平齐，能够以平整密封的端面来安装碳化硅籽晶，以避免籽晶发生背升华，避免引起晶体缺陷的形成；在降温的过程中，控制第二承载组件抬升远离第一承载组件，此时能够形成交替的间隙，能够在降温的过程中让晶体内部的应力能够释放。该发明能够解决降温的过程中晶体内部应力释放的问题，提高成品碳化硅晶体的质量。
一种石墨籽晶承载装置及其制备工艺

[发明专利]一种用于研磨抛光机精确加压气路控制系统-CN202111214935.6有效
发明人：冯博;贺贤汉;黄攀福;刘文涛;邵勇 -专利权人：上海汉虹精密机械有限公司
申请日： 2021-10-19 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于研磨抛光机精确加压气路控制系统，包括总进气模块，整个上盘组件升降动作模块和整个上盘组件加压动作模块；加压方式是小气缸先抵消掉整个上盘组件的重量，再对工件进行施加压力，因所控制的压力小，压力偏差小，工件的去除量更加精准，整个气路系统还包括了气枪、防落挂钩、研磨液出液分流等功能。
一种用于研磨抛光机精确压气控制系统

[实用新型]一种易于开盖的细胞培养板-CN202320127288.3有效
发明人：孔世龙;王世德;陈芝娟;贺贤汉 -专利权人：安徽博日生物科技有限公司
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C12M3/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种易于开盖的细胞培养板。该细胞培养板包括上盖和培养座。培养座上设置有若干个培养孔。培养座的侧部呈上小下大的阶梯状，设置有阶梯面。上盖的边缘处支撑在阶梯面上。阶梯面上设置有多个下凹部。培养座的侧部至少有两条相对边上设置有下凹部。所述的阶梯面将培养座的侧部分隔为台阶面上方的配合部和台阶面下方的支撑部。所述的上盖包括一体成型的顶板和侧沿。侧沿环绕在培养座的配合部外侧。侧沿远离顶板的边缘与培养座侧部的阶梯面接触。本实用新型通过在培养座侧部的阶梯面上设置下凹部，为使用者的手指指尖位置提供给空间，从而能够避免提取上盖时将整个培养座一同带起的风险；使得使用者能够单手完成提取上盖的操作。
一种易于细胞培养

[发明专利]一种含氟耐腐蚀涂层的制备工艺-CN202310623986.7在审
发明人：何伟;贺贤汉;张继月 -专利权人：安徽富乐德科技发展股份有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C23C4/134 文献下载
摘要：本发明公开了一种含氟耐腐蚀涂层的制备工艺，步骤包括受入、遮蔽、喷砂、熔射、去遮蔽和清洗包装。通过开发大气等离子喷涂的工艺参数，制备的含氟耐腐蚀涂层具有涂层孔隙低（2%）、结合力高（12Mpa）、硬度大（480HV）、含氧量低等优势，在刻蚀腔体核心设备表面（主要是铝制品）与卤素特别是含有氟基的等离子体反应，表面生成AlF‑、AlF2‑、AlF3等副产物，复合涂层表面的氟化铝可以更好的起到反应阻挡，因此具有更好的耐等离子性，本次使用氟化铝粉末，氟化铝难溶于水、酸及碱溶液，不溶于大部分有机溶剂，也不溶于氢氟酸及液体氟化氢，性质非常稳定，与液氨、甚至浓硫酸加热至发烟仍不起反应，与氢氧化钾共熔无变化，也不被氢气还原，加热不分解，但升华。
一种含氟耐腐蚀涂层制备工艺