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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]数据保护方法以及NVDIMM-CN202010333709.9有效
发明人：吕晶;周小锋 -专利权人： 西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2020-04-24 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种数据保护方法以及NVDIMM，所述NVDIMM包括供电装置、易失性存储器、非易失性存储器以及控制器，所述控制器包括控制模块、操作模块以及时钟模块；所述控制模块用于与主机进行通信，控制所述操作模块进行数据恢复操作、数据备份操作以及数据擦除操作，并控制所述时钟模块向所述控制模块提供第一时钟信号、向所述操作模块提供第二时钟信号；所述第一时钟信号用于使所述控制模块在所述操作模块进行数据备份操作期间处于休眠状态，否则使所述控制模块处于工作状态。本发明提供的数据保护方法以及NVDIMM，可以精确控制NVDIMM控制器的部分组件工作，而让部分组件处于休眠状态，以达到节省功耗的目的。
数据保护方法以及 nvdimm

[发明专利]ZQ校准方法、装置、存储器芯片及存储介质-CN202011388455.7有效
发明人：王小光 -专利权人： 西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： G11C29/02 文献下载
摘要：本说明书实施例公开一种ZQ校准方法、装置、存储器芯片及存储介质，所述ZQ校准方法包括：存储器包括多个接口电阻电路，接口电阻电路为离线驱动电路或终端匹配电路，在检测到ZQ校准请求时，对目标接口电阻电路的接口电阻进行ZQ校准，得到电阻校准配置信号，目标接口电阻电路为多个接口电阻电路中的一个或多个；获取目标接口电阻电路的电路使能信号以及电阻校准更新信号，并基于电路使能信号以及电阻校准更新信号，确定是否对接口电阻进行校准；若是，基于电阻校准配置信号，对接口电阻进行校准。上述方案，能够灵活的对各个接口电阻电路的接口电阻进行ZQ校准，提高了校准的灵活性。
zq 校准方法装置存储器芯片存储介质

[发明专利]集成芯片、电子设备以及数据处理方法-CN202211130401.X在审
发明人：周小锋 -专利权人： 西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G11C7/10 文献下载
摘要：本申请公开了集成芯片、电子设备以及数据处理方法。该集成芯片包括：易失性存储芯片；非易失性存储芯片；逻辑芯片，逻辑芯片与易失性存储芯片三维键合连接；非易失性存储芯片设置于逻辑芯片与易失性存储芯片的一侧，且与逻辑芯片连接；其中，非易失性存储芯片的厚度小于或等于易失性存储芯片和逻辑芯片的厚度之和。通过上述方式，能够减小集成芯片的厚度。
集成芯片电子设备以及数据处理方法

[发明专利]一种ZQ校准器、方法及存储器-CN202010772813.8有效
发明人：谈杰 -专利权人： 西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2020-08-04 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G11C11/4078 文献下载
摘要：本发明提供一种ZQ校准器、方法及存储器。该ZQ校准器，包括的系统命令选择模块、时钟选择模块以及ZQ校准处理模块，通过时钟选择模块根据所述第一标识信息和所述第一时钟信息，确定分配给每个颗粒进行ZQ操作的时钟信息，以及系统命令选择模块根据所述第二标识信息和所述系统ZQ指令信息确定输出的ZQ操作指令信息，接着，ZQ校准处理模块根据所述时钟信息以及所述ZQ操作指令信息，按照所述时钟信息对所述颗粒标识标示的颗粒进行ZQ校准操作，实现每个颗粒在JEDEC提供的ZQ校准周期内依次进行ZQ操作，从而可以实现通过一个端口ZQ实现对多颗颗粒的内部电阻值进行校准。
一种 zq 校准方法存储器

[实用新型]3D存储芯片模块-CN202120261200.8有效
发明人：任奇伟;王嵩;李晓骏 -专利权人： 西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本申请实施例通过提供一种3D存储芯片模块。上述3D存储芯片模块，包括相互堆叠的存储部分和控制部分，上述存储部分与上述控制部分通过混合键合方式相连接。本发明实施例提供的3D存储芯片，包括相互堆叠的存储部分和控制部分，上述存储部分与上述控制部分通过混合键合方式相连接。作为同一存储芯片的存储部分和控制部分两部分芯片之间不需要驱动接口电路或模块(PHY)，使得存储芯片堆叠的芯片密度可以做的很高，组成存储芯片的存储部分芯片和控制部分芯片混合键合寄生参数(寄生电阻值、寄生电容值)很小，因此，RC延时小，进而数据传输速度没有损失，可实现存储芯片的高带宽数据传输。
存储芯片模块

[实用新型]存储芯片模块和3D存储芯片-CN202120261107.7有效
发明人：王嵩;李晓骏;任奇伟 -专利权人： 西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：本申请实施例通过提供一种存储芯片模块和3D存储芯片。上述存储芯片，包括相互堆叠的存储部分和控制部分，上述存储部分与上述控制部分通过混合键合方式相连接。通过将单一存储芯片模块扩展成相互堆叠的存储部分和控制部分两部分芯片，并且采用金属导体连接孔结构分别与上述存储部分和上述控制部分的连接焊盘相连接，便于形成芯片的堆叠结构，使得存储芯片模块堆叠的芯片密度可以做的很高，组成存储芯片模块的存储部分芯片和控制部分芯片混合键合寄生参数(寄生电阻值、寄生电容值)很小，因此，RC延时小，进而数据传输速度没有损失，可实现存储芯片模块的高带宽数据传输。
存储芯片模块

[发明专利]三维存储器及数据处理方法-CN202211204371.2在审
发明人：周小锋 -专利权人： 西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： G06F15/78 文献下载
摘要：本申请公开了一种三维存储器及数据处理方法。该三维存储器包括存储阵列单元；逻辑单元，包括运算模块和存储控制模块，逻辑单元和存储阵列单元通过三维异质集成结构连接，以形成三维存储器；其中，响应于运算模块接收到外部设备的运算指令，存储控制模块从存储阵列单元中读出与运算指令对应的运算数据，使运算模块对运算数据进行运算处理，并将运算结果反馈至外部设备。通过上述方式，本申请解决传统计算过程效率较低的技术问题。
三维存储器数据处理方法

[发明专利]众核计算芯片及数据访问方法-CN202110751145.5在审
发明人：左丰国;刘琦;王玉冰 -专利权人： 西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G06F15/16 文献下载
摘要：本申请公开了众核计算芯片及数据访问方法，该众核计算芯片包括：多个单核系统，多个单核系统中的一个单核系统设为第一系统，多个单核系统中的其他单核系统设为第二系统，第一系统控制第二系统执行程序指令；片上网络，连接多个单核系统，以实现多个单核系统之间的数据通信。本申请通过将多个单核系统集成于一众核计算芯片，并将其中一个单核系统设为第一系统，将其他的单核系统设为第二系统，由第一系统配合片上网络控制第二系统执行程序指令，第一系统以相同的数据访问方式对第二系统进行读写操作，提高众核计算芯片的数据存储和传输效率，增强众核计算芯片的性能。
核计芯片数据访问方法

[发明专利]一种片上网络及数据传输方法-CN202110751147.4在审
发明人：刘琦 -专利权人： 西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H04L67/1004 文献下载
摘要：本申请公开了一种片上网络及数据传输方法。该片上网络包括：多个普通节点，形成二维网络，普通节点位于二维网络中网格线的相交处，普通节点用于数据转发；多个负载节点，设置在二维网络中网格线上或者网格线的延长线上，用于与接入的负载进行数据交互。通过这种方式，能够提高片上网络中负载节点接入的负载的均匀性，进而提高片上网络传输效率，提升芯片的整体性能。
一种网络数据传输方法

[发明专利]存储访问电路、集成芯片、电子设备及存储访问方法-CN202110750108.2在审
发明人：刘琦;左丰国;江喜平 -专利权人： 西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G06F15/78 文献下载
摘要：本申请涉及电子电路技术领域，公开了存储访问电路、集成芯片、电子设备及存储访问方法。该存储访问电路包括网络单元、多路复用器和存储控制模块。其中，每一路由节点连接至少一个多路复用器，每一多路复用器连接至少两个存储控制模块，以对至少两个存储控制模块进行多路复用，进而对存储控制模块连接的存储单元进行存储访问。通过上述方式，能够实现对大容量存储单元的高带宽存储访问。
存储访问电路集成芯片电子设备方法

[发明专利]扫描链电路及其扫描控制方法、芯片、堆叠芯片-CN202110750109.7在审
发明人：左丰国;刘琦;江喜平 -专利权人： 西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本申请公开了一种扫描链电路及其扫描控制方法、芯片、堆叠芯片。该扫描链电路包括：呈矩阵排布的多个存储单元，存储单元包括：多路复用器及寄存器，同一存储单元中的寄存器的输入端与多路复用器的输出端连接，寄存器的输出端与沿行方向及沿列方向相邻设置的下一个多路复用器的输入端连接；模式控制电路，与每个存储单元的多路复用器的控制端连接，用于控制多路复用器的工作模式，以使多个存储单元形成扫描链，以通过测试信号在扫描链的传递而侦测存在缺陷的寄存器。能够提高定位芯片加工缺陷的效率。
扫描电路及其控制方法芯片堆叠

[发明专利]一种信号输出控制电路以及芯片-CN202110750127.5在审
发明人：李乾男 -专利权人： 西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2021-07-02 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H03K5/135 文献下载
摘要：本发明提供一种信号输出控制电路以及芯片，信号输出控制电路包括：第一信号采样单元，用于对获取的数据信号进行采样，以得到输出信号；输出控制单元，连接所述第一信号采样单元，用于利用预设时钟信号控制所述输出信号的输出时间；其中，所述预设时钟信号包括第一预设时钟信号和/或第二预设时钟信号，所述第一预设时钟信号用于控制采样得到所述输出信号的采样时间，所述第二预设时钟信号用于控制所述输出信号的输出时间。以此达到控制输出信号的输出时间的目的，以使得输出信号的输出时间可控。
一种信号输出控制电路以及芯片

[发明专利]三维存储器、检测方法及电子设备-CN202211213434.0在审
发明人：周小锋 -专利权人： 西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G11C29/04 文献下载
摘要：本申请公开了一种三维存储器。该三维存储器包括存储阵列单元，该存储阵列单元包括数据存储阵列以及冗余存储阵列；逻辑单元，与存储阵列单元通过三维异质集成结构连接，以形成三维存储器；其中，逻辑单元包括第一测试模块，用于按照预设周期对数据存储阵列进行测试，以确定数据存储阵列中的异常存储位的地址，冗余存储阵列包括替换存储位，替换存储位的地址用于与异常存储位的地址关联以生成替换地址关联表，以使冗余存储阵列中的替换存储位基于替换地址关联表存储异常存储位存储的数据，完成对数据存储阵列的修复。本申请还公开了一种检测方法及电子设备。通过上述方式，本申请解决存储器中出现损坏的存储阵列影响存储器正常使用的技术问题。
三维存储器检测方法电子设备

[发明专利]数据读写方法、数据读取方法、三维存储器以及电子设备-CN202211204382.0在审
发明人：周小锋 -专利权人： 西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G11C11/409 文献下载
摘要：本发明提供一种数据读写方法、数据读取方法、三维存储器以及电子设备，数据读写方法包括：逻辑芯片确定第一写入数据；逻辑芯片根据样本数据对第一写入数据进行压缩，得到冗余码；第一写入数据与样本数据的比特差在预设范围内；将冗余码与样本数据的存储地址存储至存储芯片的冗余存储区，逻辑芯片与存储芯片三维集成。本申请的方法实现高压缩率，减少访存数据的延时，并且降低CPU的功耗。另外，本申请的方法，在缓存区容量不足时，将至少部分数据转移，能够扩展存储容量，降低了CPU的开销。
数据读写方法读取三维存储器以及电子设备

[发明专利]三维芯片以及三维芯片的控制方法-CN202211134865.8在审
发明人：周小锋 -专利权人： 西安紫光国芯半导体有限公司
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本申请提供一种三维芯片以及三维芯片的控制方法，三维芯片包括：逻辑芯片、非易失性存储芯片、易失性存储芯片；逻辑芯片包括第一连接面和第二连接面；非易失性存储芯片包括第三连接面；易失性存储芯片包括第四连接面；逻辑芯片设置于非易失性存储芯片和易失性存储芯片之间，第三连接面和第一连接面连接，第四连接面与第二连接面连接；逻辑芯片包括：地址映射单元，用于将从易失性存储芯片中读出的第一数据映射到非易失性存储芯片的存储地址，得到第一存储地址，以使得第一数据基于第一存储地址存储到非易失性存储芯片。本申请的三维芯片，具有明显的面积优势，且提高了数据传输速率，进而能够提升三维芯片的接口吞吐率。
三维芯片以及控制方法

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