专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种占空比矫正电路及存储器件-CN202110990381.2在审
  • 刘成;于国庆;梁超;李晓骏;张晓晨 - 西安紫光国芯半导体有限公司
  • 2021-08-26 - 2023-04-04 - H03K3/017
  • 本申请公开了一种占空比矫正电路及存储器件。该占空比矫正电路包括:延迟电路,用于接收输入时钟,并输出输入时钟的延迟时钟;采样电路,与延迟电路连接,用于获取输入时钟与延迟时钟之间的相位差,并根据相位差生成第一脉宽信号及第二脉宽信号;占空比检测电路,与采样电路连接,用于获取占空比检测电路内积分电容上的电压;占空比调节电路,分别与延迟电路及占空比检测电路连接,用于在积分电容的电压小于或者等于参考电压与累计压差之间差值的绝对值时,将积分电容的电压与参考电压进行比较,并基于比较结果调整延迟电路的时延,以矫正输入时钟对应的输出时钟的占空比。通过这种方式,能够提高占空比矫正电路的分辨率及精准度。
  • 一种矫正电路存储器件
  • [实用新型]3D存储芯片模块-CN202120261200.8有效
  • 任奇伟;王嵩;李晓骏 - 西安紫光国芯半导体有限公司
  • 2021-01-29 - 2023-01-13 - G11C5/02
  • 本申请实施例通过提供一种3D存储芯片模块。上述3D存储芯片模块,包括相互堆叠的存储部分和控制部分,上述存储部分与上述控制部分通过混合键合方式相连接。本发明实施例提供的3D存储芯片,包括相互堆叠的存储部分和控制部分,上述存储部分与上述控制部分通过混合键合方式相连接。作为同一存储芯片的存储部分和控制部分两部分芯片之间不需要驱动接口电路或模块(PHY),使得存储芯片堆叠的芯片密度可以做的很高,组成存储芯片的存储部分芯片和控制部分芯片混合键合寄生参数(寄生电阻值、寄生电容值)很小,因此,RC延时小,进而数据传输速度没有损失,可实现存储芯片的高带宽数据传输。
  • 存储芯片模块
  • [实用新型]存储芯片模块和3D存储芯片-CN202120261107.7有效
  • 王嵩;李晓骏;任奇伟 - 西安紫光国芯半导体有限公司
  • 2021-01-29 - 2023-01-13 - G11C5/02
  • 本申请实施例通过提供一种存储芯片模块和3D存储芯片。上述存储芯片,包括相互堆叠的存储部分和控制部分,上述存储部分与上述控制部分通过混合键合方式相连接。通过将单一存储芯片模块扩展成相互堆叠的存储部分和控制部分两部分芯片,并且采用金属导体连接孔结构分别与上述存储部分和上述控制部分的连接焊盘相连接,便于形成芯片的堆叠结构,使得存储芯片模块堆叠的芯片密度可以做的很高,组成存储芯片模块的存储部分芯片和控制部分芯片混合键合寄生参数(寄生电阻值、寄生电容值)很小,因此,RC延时小,进而数据传输速度没有损失,可实现存储芯片模块的高带宽数据传输。
  • 存储芯片模块

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