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[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及记录介质-CN202310157803.7在审
发明人：山本克彦;西堂周平;中川崇;柳泽爱彦;佐佐木伸也;道田典明 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法以及记录介质，其能够防止由热处理引起的基板的翘曲、破裂。基板处理装置具有：处理室，其对基板保持部所保持的多个基板进行处理；电磁波产生器，其向处理室内供给电磁波；以及气体供给部，其从多个气体供给口向多个基板之间供给冷却气体，其中，多个气体供给口被设置成与保持所述多个基板的间隔对应。
处理装置半导体制造方法以及记录介质

[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法-CN201910143036.8有效
发明人： 西堂周平 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种衬底处理装置及半导体器件的制造方法，抑制在沿衬底保持件的上下方向排列的多张衬底上形成的膜的膜厚在衬底之间变得不均匀。衬底处理装置(1)具有：舟皿(21)，其在能够保持晶片(7)的所有位置保持形成了图案的多张产品晶片；圆筒状的反应管(4)，其收纳舟皿；处理炉(2)，其包围反应管的上方及侧方；加热器(3)，其设在处理炉且对反应管的侧部进行加热；顶壁加热器(80)，其设在处理炉且以能够相对于加热器独立地进行控制的方式对反应管的顶壁(74)进行加热；和帽加热器(34)，其配置在反应管的内部且舟皿的下方，且以能够相对于加热器及顶壁加热器独立地进行控制的方式进行加热。
衬底处理装置半导体器件制造方法

[发明专利]保护板、衬底处理装置及半导体器件的制造方法-CN201880044181.4有效
发明人： 西堂周平;吉田秀成;冈嶋优作 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2018-03-26 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：公开了一种抑制副产物向反应管的炉口部附着的保护板。该保护板设在将下端开放的圆筒状的反应管的开口气密地封堵的盖部上，构成为，具备：大致圆盘状的圆板部，其以至少下表面的一部分与上述盖部的上表面接触的方式设置；侧壁部，其从该圆板部的外周端垂直地延伸；环状的槽，其形成于上述下表面；和层差部，其形成于上述下表面的比上述槽靠外周侧的位置，且在与上述盖部的上表面之间产生规定间隙，从形成于上述盖部的气体供给口供给到上述槽的气体从上述盖部与上述层差部之间通过而向上述侧壁部的整个外侧供给。
保护衬底处理装置半导体器件制造方法

[发明专利]基板处理装置、隔热件组件及半导体装置的制造方法-CN202180007864.4在审
发明人：佐藤明博;西堂周平;笠松健太 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-03-10 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种结构，具备：基板保持件，其在下部具有隔热区域；第一反应管，其在内部收纳有基板保持件，上端及下端开口；第二反应管，其上端封闭且下端开口；炉口凸缘部，其在第一反应管与第二反应管之间的第一空间具有保持部；以及加热部，其以覆盖第二反应管的方式设置，且对载置于第一反应管内的基板保持件的基板进行加热，该结构还具备：第一高反射部件，其设置于隔热区域，红外线的反射率比隔热件高；以及第二高反射部件，其在第一空间内设置于第二反应管的下部且第二反应管的内壁，红外线的反射率比配置于炉口凸缘部的上端所设置的保持部的隔热件高。
处理装置隔热组件半导体制造方法

[发明专利]基板处理装置、基板保持件、半导体装置的制造方法及存储介质-CN202111082187.0在审
发明人：筱崎贤次;柳泽爱彦;道田典明;佐佐木伸也;西堂周平;山本哲夫 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明提供对基板均匀处理的基板处理装置、基板保持件、半导体装置的制造方法以及存储介质。基板处理装置具有处理基板的处理室、向上述处理室供给微波对上述基板进行加热处理的微波发生器、积载并保持上述基板和配置于该基板的上部且对被上述微波加热了的上述基板进行保温的保温部件的基板保持件、以及保持于上述保温部件的外周且外周比上述基板大的第一环形板。
处理装置保持半导体制造方法存储介质

[发明专利]基板处理装置以及半导体装置的制造方法-CN201910619215.4有效
发明人：冈嶋优作;西堂周平;吉田秀成;佐佐木隆史 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：提供一种抑制原料气体的副产物相对于炉口部附着的基板处理装置以及半导体装置的制造方法。基板处理装置具有：处理室和多个喷头，处理室具有：筒状的反应管，其一端是开放的；筒状的歧管，其与反应管的开放端连接，并且在侧面具有将来自气体供给管的处理气体向处理室内导入的多个气体供给孔；和盖，其能够开闭地封闭歧管的与连接于反应管的一端为相反端的开口，盖具有：保护板，其以在与盖之间形成有第一间隙的方式设于盖的内表面；和导入口，其从盖的外侧向第一间隙导入清洗气体，歧管构成为，以在与歧管之间形成有第二间隙的方式在歧管的内壁具有引导板，在第一间隙向着歧管流动的清洗气体通过歧管的内壁偏转而向第二间隙流入。
处理装置以及半导体制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序-CN201980094224.4在审
发明人：筱崎贤次;山本哲夫;广地志有;柳泽爱彦;原直树;上野正昭;山口英人;村田等;西堂周平;木村一洋 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提供一种技术，具有如下工序：利用从加热装置供给的电磁波将保持于保持基板的基板保持件的隔热板加热到处理基板的处理温度，利用非接触式温度计测定直至到达处理温度的隔热板的温度变化；利用加热装置将保持于基板保持件且设置有由不透过非接触式温度计的探测光的材质构成的片材的基板加热到处理温度，利用非接触式温度计测定直至到达处理温度的片材的温度变化；根据隔热板的温度变化的测定结果和片材的温度变化的测定结果，获取隔热板和片材的温度变化的相关关系；以及基于非接触式温度计测定的隔热板的温度和相关关系控制加热装置对基板进行加热。
半导体装置制造方法处理以及程序

[发明专利]基板处理装置及半导体器件的制造方法-CN201880097988.4在审
发明人： 西堂周平;佐佐木隆史;吉田秀成 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种能够缓和将多张晶片并排处理时的多个晶片的面间不均匀性(负载效应)的基板处理装置，基板处理装置构成为，包括：基板保持件，其按照规定的间隔排列保持多个基板；收容基板保持件的反应管，其具备使上端闭塞的顶板，并在下方具有能够使基板保持件出入的开口；炉体，其包围该反应管的上方及侧方；盖，其直接或间接保持基板保持件，并封堵开口；以及气体供给机构，其向在反应管内保持于基板保持件的多个基板各自的表侧的面提供与表侧的面平行的气体流动，基板保持件构成为，保持形成有集成电路图案的产品基板或监控基板和在表侧的面形成有Si熔射层的虚设基板，其中，所述虚设基板位于隔着该产品基板或监控基板的两侧的位置。
处理装置半导体器件制造方法

[发明专利]衬底处理装置、加热器、存储介质及衬底处理方法-CN202110189926.X在审
发明人：村田等;八幡橘;和田优一;山口天和;西堂周平 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2015-02-25 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理装置、加热器、存储介质及衬底处理方法。缩短处理炉内的温度稳定时间。解决手段为具有：保持衬底的衬底保持件；处理室，对保持于衬底保持件的衬底进行处理；第一加热器，从处理室外加热处理室内；和第二加热器，以位于衬底保持件内的方式设置，并从衬底的背面侧加热衬底，第二加热器具有支柱部；环状部，其连接于支柱部，形成为直径比衬底的直径小的圆弧状；一对连接部，其将环状部的各个端部连接于支柱部，和设置于环状部的内部的发热体。
衬底处理装置加热器存储介质方法

[发明专利]衬底处理装置、加热器及半导体器件的制造方法-CN201580076770.7有效
发明人：村田等;八幡橘;和田优一;山口天和;西堂周平 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2015-02-25 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：缩短处理炉内的温度稳定时间。解决手段为具有：保持衬底的衬底保持件；处理室，对保持于衬底保持件的衬底进行处理；第一加热器，从处理室外加热处理室内；和第二加热器，以位于衬底保持件内的方式设置，并从衬底的背面侧加热衬底，第二加热器具有支柱部；环状部，其连接于支柱部，形成为直径比衬底的直径小的圆弧状；一对连接部，其将环状部的各个端部连接于支柱部，和设置于环状部的内部的发热体。
衬底处理装置加热器半导体器件制造方法

[发明专利]基板处理装置、半导体器件的制造方法、基板保持器具及记录介质-CN202010711171.0在审
发明人： 西堂周平;嶋田宽哲;谷山智志;上村大义;佐佐木隆史 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供一种基板处理装置、半导体器件的制造方法、基板保持器具及记录介质，提高形成于基板的膜的面间面内均匀性。具备：收纳基板保持器具的反应管、气体供给机构和气体排出机构，基板保持器具具有：多个圆环状部件，其具有基板的外径以下的内径，在与旋转轴正交的面上，与旋转轴同心地以规定间距配置；多个柱，其具有比多个圆环状部件的宽度窄的宽度，沿着与多个圆环状部件的外周大致一致的外接圆配置，保持多个圆环状部件；和多个支承部件，其从多个柱朝向内周伸出，在多个圆环状部件各自之间的位置载置基板，当基板保持器具被收纳到反应管内时，在多个圆环状部件的外周与圆筒面之间形成有能够供基板保持器具旋转的程度的狭小空隙。
处理装置半导体器件制造方法保持器具记录介质

[外观设计]基板处理装置用舟皿-CN201930742769.4有效
发明人：岛田宽哲;上村大义;谷山智志;西堂周平;佐佐木隆史 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：基板处理装置用舟皿。2.本外观设计产品的用途：本产品使用在基板处理装置中，其用于在基板处理装置的反应室内将数个基板保持水平的舟皿。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
处理装置舟皿

[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质-CN201910196008.2在审
发明人： 西堂周平 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-03-14 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。要解决的课题为，提供在从衬底的侧方供给气体的装置中，在衬底的上游侧和下游侧处实现均匀的膜质的技术。解决手段为衬底处理装置，其具有：衬底载置部，其具有载置衬底的载置面；处理室，其对所述衬底进行处理；气体供给部，其设置于所述处理室的上游、向所述处理室供给气体；排气部，其设置于所述处理室的下游、将所述处理室的气氛排气；和倾斜部，其为所述处理室的一部分，并且在与所述衬底载置面相对的位置处、在从所述衬底载置面的上游侧至下游侧的范围内，所述倾斜部以没有凹凸、孔、且使得所述处理室的截面积逐渐减小的方式连续地构成。
衬底处理装置半导体器件制造方法记录介质

[发明专利]衬底处理装置、盖部罩以及半导体器件的制造方法-CN201710536612.6有效
发明人： 西堂周平;槣原美香;冈嶋优作 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2017-07-04 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供衬底处理装置、盖部罩以及半导体器件的制造方法，抑制副产物向处理容器下方的附着。具有：衬底保持件，其设置在隔热部的上方，并保持多张衬底；处理容器，其在内部具有处理衬底的处理室；盖部，其封闭处理容器的下端开口；和吹扫气体供给部，其经由隔热部与盖部之间的间隙向处理容器下方供给吹扫气体，在隔热部与盖部之间的间隙中设有限制部，该限制部限制吹扫气体的流动，使得吹扫气体对处理容器下方的一部分的供给流量比吹扫气体对其他部分的供给流量多。
衬底处理装置盖部罩以及半导体器件制造方法

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法及程序-CN201880048953.1在审
发明人：平松宏朗;西堂周平;牛田卓朗 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2018-03-23 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：使形成于基板上的膜的基板面内及面间均匀性提升。第一及第三气体供给部分别具有管状的喷嘴，该管状的喷嘴沿着基板保持件在上下方向上延伸且形成有多个气体供给孔，多个气体供给孔中的形成于所述喷嘴的最上方的气体供给孔的上端与在上方虚拟晶圆支撑区域所支撑的最上方的虚拟晶圆对应地配置，并且形成于所述喷嘴的最下方的气体供给孔的下端与在下方虚拟晶圆支撑区域所支撑的最下方的虚拟晶圆对应地配置，第二气体供给部具有管状的喷嘴，该管状的喷嘴沿着基板保持件在上下方向上延伸，且形成有由多个气体供给孔或缝隙状的开口部构成的气体供给口，气体供给口至少朝向所述产品晶圆支撑区域开口。
处理装置半导体制造方法程序

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