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[发明专利]气体传感器装置、气体传感器模块及气体检测方法-CN201710085593.X有效
发明人：魏志强;本间运也;片山幸治;藤井觉 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2017-02-17 - 公布日： 2021-08-27 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：本发明提供一种能够兼顾低消耗电力和高灵敏度的气体传感器装置。所述气体传感器装置具备多个气体传感器元件和多个开关。多个开关分别与多个气体传感器元件中的对应的1个串联地连接。各气体传感器元件具备第1导电层、第2导电层、配置在第1导电层及第2导电层之间的金属氧化物层和绝缘膜，所述绝缘膜被覆第1导电层、第2导电层及金属氧化物层，且具有使第2导电层的一部分露出的开口。各气体传感器元件的电阻值在含有氢原子的气体与第2导电层相接触时减小。
气体传感器装置模块检测方法

[发明专利]电阻变化型非易失性存储元件及使用了其的电阻变化型非易失性存储装置-CN201980085823.X在审
发明人：安原隆太郎;藤井觉;三河巧;姫野敦史;西尾宪吾;宫崎刚英;秋永广幸;内藤泰久;岛久 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2019-08-06 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：电阻变化型非易失性存储元件(20)具备第一电极(2)、第二电极(4)和电阻变化层(3)，该电阻变化层(3)夹在第一电极(2)与第二电极(4)之间，并且基于施加于两电极之间的电信号而使电阻值可逆地变化。电阻变化层(3)具有第一电阻变化层(3c)和第二电阻变化层(3d)，该第一电阻变化层(3c)是由缺氧型的第一金属氧化物构成的，该第一金属氧化物由第一金属元素和氧形成，该第二电阻变化层(3d)由第一金属元素、与第一金属元素不同的第二金属元素和氧形成，并且由缺氧度与第一金属氧化物不同的复合氧化物构成。复合氧化物的缺氧度比第一金属氧化物的缺氧度小，复合氧化物在室温下的氧扩散系数比由第一金属元素和氧形成并且缺氧度与复合氧化物的缺氧度相等的第二金属氧化物在室温下的氧扩散系数小。
电阻变化型非易失性存储元件使用装置

[发明专利]气体检测装置以及氢检测方法-CN201710117218.9有效
发明人：村冈俊作;藤井觉;本间运也;魏志强 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2017-03-01 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本申请提供能够灵敏度好且稳定地检测含氢气体并且节电性优异的气体检测装置。本申请的气体检测装置具备包含气体传感器和测定器的测定电路以及判定电路。气体传感器所含的多个检测单元各自包含第一电极、第二电极和金属氧化物层，该第二电极具有从绝缘膜露出了的露出面，该金属氧化物层配置在第一电极与第二电极之间。检测单元的电阻值在含有氢原子的气体与第二电极接触时降低。测定器监测多个检测单元的多个电阻值。判定电路根据多个电阻值之中的至少一个的变化来判定是否检测出含有氢原子的气体。
气体检测装置以及方法

[发明专利]气体传感器及氢浓度判定方法-CN201611120897.7有效
发明人： 藤井觉;本间运也;魏志强 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明提供省电性优异、并且能够判定氢浓度的气体传感器。气体传感器具备被绝缘层覆盖的多个检测单元。多个检测单元各自具备第1电极、具有从绝缘层露出的露出面的第2电极、和配置在第1电极及第2电极之间的金属氧化物层。金属氧化物层的电阻值在含有氢原子的气体与第2电极接触时，在规定的响应时间内降低。规定的响应时间在多个检测单元中各自不同。
气体传感器浓度判定方法

[发明专利]气体传感器、氢检测方法以及燃料电池汽车-CN201710082992.0有效
发明人：魏志强;本间运也;藤井觉 -专利权人：新唐科技日本株式会社
申请日： 2017-02-16 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：本发明提供电功耗小的气体传感器、燃料电池汽车以及氢检测方法。所述气体传感器具有：第1导电层；第2导电层，其包括具有第1厚度的第1区域、和具有比所述第1厚度大的第2厚度的第2区域；金属氧化物层，其配置于所述第1导电层和所述第2导电层之间，且包括块状区域、和被所述块状区域包围并具有比所述块状区域大的氧缺位度的局部区域；以及绝缘膜，其覆盖所述第1导电层、所述第2导电层的所述第2区域以及所述金属氧化物层，而且不覆盖所述第2导电层的所述第1区域。
气体传感器检测方法以及燃料电池汽车

[发明专利]气体传感器-CN201880008855.5在审
发明人： 藤井觉;魏志強;本间运也;米田慎一;内藤泰久;島久;秋永广幸 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2018-01-23 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种气体传感器(100)，其包括：气体响应体层(103)，其形成于基板(101)的上方，且由金属氧化物层构成；第1电极(104)，其形成于气体响应体层(103)上；以及第2电极(105)，其在气体响应体层(103)上被形成为在与第1电极(104)之间具有间隙(106)；其中，气体响应体层(103)具有基于在第1电极(104)和第2电极(105)之间施加的电压而可逆地转变为高电阻状态和低电阻状态的电阻变化特性，气体响应体层(103)的至少一部分在间隙(106)中露出，气体响应体层(103)的电阻值在含有氢原子的气体与第2电极(105)接触时减少。
电极响应体气体传感器电阻变化特性金属氧化物层低电阻状态高电阻状态氢原子可逆电阻基板施加

[发明专利]非易失性半导体存储装置及其制造方法-CN201280004090.0有效
发明人： 藤井觉;伊藤理;三河巧 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-10-10 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：提供一种非易失性半导体存储装置，具备减小了构成电阻变化元件的下部电极和电阻变化层之间的寄生电阻的电阻变化元件。该非易失性半导体存储装置具备：基板（201）；以及电阻变化元件（208），形成于基板（201）上；电阻变化元件（208）具有：下部电极层（202），形成于基板（201）上；电阻变化层（203），形成于下部电极层（202）上；以及上部电极层（204），形成于电阻变化层（203）上；下部电极层（202）至少包括：第1导电层（202a）；以及第2导电层（202c），形成于第1导电层（202a）上，与电阻变化层（203）相接；在第1导电层（202a）的上表面形成有第1导电层（202a）被氧化而成的层、即氧化变质层（202b）。
非易失性半导体存储装置及其制造方法

[发明专利]电阻变化型非易失性存储装置以及存储器单元的形成方法-CN201210287006.2有效
发明人：村冈俊作;神泽好彦;三谷觉;片山幸治;岛川一彦;藤井觉;高木刚 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-08-20 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：电阻变化型非易失性存储装置包括半导体基板(301)；电阻变化元件(309)，由下部电极(309a)、上部电极(309c)以及电阻变化层(309b)构成，在所述电阻变化层中通过施加到两极之间的极性不同的电压信号，电阻值可逆地变化；以及N型MOS晶体管(317)，构成于半导体基板(301)的主面；电阻变化层(309b)具有与下部电极(309a)相接的组成为MOx的缺氧型的过渡金属的氧化物层(309b-1)、与上部电极(309c)相接的组成为MOy的缺氧型的过渡金属的氧化物层(309b-2)，其中x
电阻变化型非易失性存储装置以及存储器单元形成方法

[发明专利]非易失性存储装置-CN201180004276.1有效
发明人： 藤井觉;空田晴之;三河巧 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-12-15 - 公布日： 2012-09-05 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明包括：第一电极布线(151)，被形成为带状；第三层间绝缘层(16)；电阻变化层，被形成在覆盖存储单元孔(29)的底部及侧面的区域，且是由缺氧型过渡金属氧化物构成的第一电阻变化层(18a)、和由含氧率与所述第一电阻变化层(18a)不同的缺氧氮型过渡金属氧氮化物构成的第二电阻变化层(18b)的层叠构造体；第一电极(19)，被形成在存储单元孔(29)的内部；以及第一布线(22)，在至少覆盖存储单元孔(29)的开口的区域，在与第一电极布线(151)交叉的方向上被形成为带状，在将所述过渡金属表示为M、将第一电阻变化层(18a)的组成表示为MOz、将第二电阻变化层(18b)的组成表示为MOxNy的情况下，满足z＞x+y的关系。
非易失性存储装置

[发明专利]非易失性存储装置及其制造方法-CN201180002804.X无效
发明人：二宫健生;藤井觉;早川幸夫;三河巧 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2011-07-13 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：提供一种减小初始化电压、能够实现低动作电压的非易失性存储装置。该非易失性存储装置(10)包括：第1电极层(105)，形成在半导体基板(100)上；缺氧型的第1钽氧化物层(106x)，形成在第1电极层(105)上，具有用TaOx(0.8≤x≤1.9)表示的组成；第2钽氧化物层(106y)，形成在第1钽氧化物层(106x)上，具有用TaOy(2.1≤y)表示的组成；和第2电极层(107)，形成在第2钽氧化物层(106y)上；第2钽氧化物层(106y)具有由多个柱状体构成的柱状构造。
非易失性存储装置及其制造方法

[发明专利]非易失性存储元件、非易失性存储装置、非易失性半导体装置和非易失性存储元件的制造方法-CN201080005463.7有效
发明人： 藤井觉;有田浩二;三谷觉;三河巧 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2010-02-02 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明的非易失性存储元件包括：第一电极(103)；第二电极(105)；和电阻变化层(104)，其位于第一电极(103)与第二电极(105)之间，电阻值根据施加在两个电极(103、105)之间的电信号可逆地变化，该电阻变化层(104)由含有第一钽氧化物的第一钽氧化物层(107)和含有含氧率与第一钽氧化物不同的第二钽氧化物的第二钽氧化物层(108)层叠构成，并且当将第一钽氧化物表示为TaOx时满足0＜x＜2.5，当将第二钽氧化物表示为TaOy时满足x＜y≤2.5，第二电极(105)与第二钽氧化物层(108)接触，并且第二电极(105)由铂和钽构成。
非易失性存储元件装置半导体制造方法

[发明专利]电阻变化元件及其制造方法-CN200980111679.9无效
发明人：三谷觉;村冈俊作;神泽好彦;片山幸治;宫永良子;藤井觉;高木刚 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-07-22 - 公布日： 2011-02-23 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻变化元件及其制造方法，该电阻变化元件的特征在于，包括：第一电极(103)；第二电极(107)；以及，设置成介于第一电极(103)和第二电极(107)之间，并与第一电极(103)和第二电极(107)相接，能够基于施加在第一电极(103)和第二电极(107)之间的极性不同的电信号产生可逆变化的电阻变化层，其中，电阻变化层由氧不足型过渡金属氧化物层构成，第二电极(107)由具有微小突起(108)的铂构成。
电阻变化元件及其制造方法

[发明专利]非易失性存储元件和使用该元件的非易失性存储装置-CN200980101132.0无效
发明人：二宫健生;有田浩二;三河巧;藤井觉 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-09-29 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：一种非易失性存储元件，其包括在基板(101)上形成的第一电极(103)、电阻变化层(108)和第二电极(107)，电阻变化层具有多层结构，该多层结构包括第一过渡金属氧化物层(104)、氧浓度高于第一过渡金属氧化物层(104)的第二过渡金属氧化物层(106)、过渡金属氧氮化物层(105)的至少3层。第二过渡金属氧化物层(106)与第一电极(103)或第二电极(107)中的任一个相接，过渡金属氧氮化物层(105)存在于第一过渡金属氧化物层(104)和第二过渡金属氧化物层(106)之间。
非易失性存储元件使用装置

[发明专利]电阻变化型非易失性存储装置以及存储器单元的形成方法-CN200980100763.0有效
发明人：村冈俊作;神泽好彦;三谷觉;片山幸治;岛川一彦;藤井觉;高木刚 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-08-20 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：电阻变化型非易失性存储装置包括半导体基板(301)；电阻变化元件(309)，由下部电极(309a)、上部电极(309c)以及电阻变化层(309b)构成，在所述电阻变化层中通过施加到两极之间的极性不同的电压信号，电阻值可逆地变化；以及N型MOS晶体管(317)，构成于半导体基板(301)的主面；电阻变化层(309b)具有与下部电极(309a)相接的组成为MOx的缺氧型的过渡金属的氧化物层(309b-1)、与上部电极(309c)相接的组成为MOy的缺氧型的过渡金属的氧化物层(309b-2)，其中x＜y；将成为漏极的N型扩散层区域(302b)与下部电极(309a)连接来构成存储器单元(300)，使得在使电阻变化层(309b)成为高电阻的极性的电压信号被施加到晶体管(317)和电阻变化元件(309)的时候，在晶体管(317)不发生基板偏置效果。
电阻变化型非易失性存储装置以及存储器单元形成方法

[发明专利]非易失性存储元件、非易失性存储器件、非易失性半导体器件以及非易失性存储元件的制造方法-CN200780025155.9有效
发明人： 藤井觉;高木刚;村冈俊作;小佐野浩一;岛川一彦 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-10-24 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明的非易失性存储元件包括第一电极(103)、第二电极(105)、以及电阻变化层(104)，该电阻变化层(104)介于第一电极(103)和第二电极(105)之间，电阻值根据被施加到两个电极(103)、(105)之间的电信号而可逆地变化。该电阻变化层(104)至少包含钽氧化物，以在将该钽氧化物表示为TaO_x的情况下满足0＜x＜2.5的方式构成电阻变化层(104)。
非易失性存储元件非易失性存储器半导体器件以及制造方法

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