专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
专利下载VIP
公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
更多 »
专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
更多 »
钻瓜专利网为您找到相关结果5496156个,建议您升级VIP下载更多相关专利
  • [发明专利]存储系统-CN202210104958.X在审
  • 片山明 - 铠侠股份有限公司
  • 2022-01-28 - 2023-03-21 - G11C5/06
  • 一种能够进行稳定的读出动作的存储系统,具有:第1布线,在第1方向上延伸;第2布线,在与所述第1方向交叉的第2方向上延伸;存储单元,包括电连接在第1布线与第2布线之间的、串联连接的可变电阻元件和开关元件;可变电阻元件是被切换为第1低电阻状态或第1电阻状态的元件。开关元件是根据所施加的电压而被切换为比第1低电阻状态电阻低的第2低电阻状态或比第1电阻状态电阻的第2电阻状态的两端子元件。控制电路在向第1布线供给了开关元件被切换为第2低电阻状态的第1电压之后,供给开关元件被从第2低电阻状态切换为第2电阻状态的第2电压,在供给了第2电压之后,检测第2布线的第1对象电压。
  • 存储系统
  • [发明专利]掺杂氮的氧化镁内的电阻开关-CN201080055451.5有效
  • S.S.帕金;M.G.萨曼特;杨政翰;蒋信 - 国际商业机器公司
  • 2010-09-21 - 2012-09-12 - H01L27/24
  • 掺杂氮的氧化镁(MgO)绝缘层呈现电压控制的电阻状态,如,电阻状态和低电阻状态。100nm级的图案化纳米装置显示的可再现开关特性。通过增加氮浓度,可有系统地降低此类装置在两个电阻电平之间切换的电压电平。同样地,通过改变氮浓度,可改变电阻状态电阻,和通过改变氮浓度几个百分比,可减少电阻状态电阻若干数量级。另一方面,低电阻状态电阻则几乎不受氮掺杂程度的影响。通过限制在SET(设定)过程期间通过的电流,可在广泛范围中改变单一Mg50O50-xNx层装置的电阻。因而可建构相关的数据存储装置。
  • 掺杂氧化镁电阻开关
  • [发明专利]非易失性存储元件的驱动方法-CN201080001938.5有效
  • 神泽好彦;高木刚 - 松下电器产业株式会社
  • 2010-04-09 - 2011-06-01 - G11C13/00
  • 提供用于提高写入在电阻变化型的非易失性元件的信息(电阻值)的保持特性的驱动方法。包括:第一写入工序(S01),在电阻变化型的非易失性元件施加第一极性的第一电压,从而成为表示第一逻辑信息的低电阻状态;第二写入工序(S02),施加与所述第一极性不同的第二极性的第二电压,从而成为第一电阻状态;以及回写工序(S05),在第二写入工序(S02)之后,施加第一极性的第三电压,从而成为表示与所述第一逻辑信息不同的第二逻辑信息的第二电阻状态。在此,第三电压的绝对值比第一电压小,第一电阻状态电阻值、第二电阻状态电阻值、以及低电阻状态电阻值,按照其顺序大。
  • 非易失性存储元件驱动方法
  • [发明专利]电阻变化型非易失性存储元件的写入方法-CN201280001911.5有效
  • 片山幸治;三谷觉;高木刚 - 松下电器产业株式会社
  • 2012-08-09 - 2013-05-01 - G11C13/00
  • 本发明的电阻变化型非易失性存储元件的写入方法具有:基于第一电极(1),对第二电极(2)施加负第一电压,而使电阻变化层(3)成为低电阻状态的步骤(S11);以及使电阻变化层(3)成为电阻状态的步骤(S12其中,使电阻变化层(3)成为电阻状态的步骤(S12)具有:基于第一电极(1)对第二电极(2)施加正的第二电压的步骤(S121);在基于第一电极(1)对第二电极(2)施加正的第二电压步骤(S121)之后,通过基于第一电极(1),对第二电极施加使电阻变化层(3)从高电阻状态变化为低电阻状态的比负的阈值电压的绝对值小的负的第三电压,从而使电阻变化层(3)成为电阻状态的步骤(S122)。
  • 电阻变化型非易失性存储元件写入方法
  • [发明专利]半导体存储装置-CN201210187984.X有效
  • 大西润哉;栗屋信义;名仓满;石原数也 - 夏普株式会社
  • 2012-06-08 - 2012-12-12 - G11C29/42
  • 在将使用了金属氧化物的可变电阻元件用于信息的存储的半导体存储装置(1)中,将在使该可变电阻元件转变成电阻状态的情况下施加的重写电压脉冲的电压振幅设定在使得成为转变后的电阻状态电阻值随着时间的经过而上升的数据保持特性的电压范围内具体地说,设定在伴随着使该电压振幅上升,转变后的电阻状态电阻值朝向规定的峰值上升的电压范围。而且,在利用ECC电路(106)检测出数据错误的情况下,视为本来应是低电阻状态的数据变化成了电阻状态,将检测出错误的全部的存储单元的可变电阻元件重写成低电阻状态,对检测出错误的位进行纠正。
  • 半导体存储装置

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top