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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件及其形成方法-CN202211033884.1在审
发明人：黄玉莲;刘皓恒;张博钦;陈颐珊;蔡明桓 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：方法包括形成从衬底突出的第一鳍和第二鳍；形成围绕第一鳍和第二鳍的隔离层；在第一鳍上外延生长第一外延区域并且在第二鳍上外延生长第二外延区域，其中，第一外延区域和第二外延区域合并在一起；对第一外延区域和第二外延区域执行蚀刻工艺，其中，蚀刻工艺将第一外延区域与第二外延区域分隔开；在第一外延区域与第二外延区域之间沉积介电材料；以及形成在第一鳍上方延伸的第一栅极堆叠件。本申请的实施例还涉及半导体器件及其形成方法。
半导体器件及其形成方法

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN202210083483.0在审
发明人： 蔡明桓 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种形成半导体器件的方法，包括：在突出于衬底上方的鳍上方形成金属栅极结构，其中金属栅极结构被层间介电(ILD)层包围，其中栅极间隔件沿金属栅极结构的相对侧壁延伸；使金属栅极结构和栅极间隔件凹进至ILD层的远离衬底的上表面的下方；在凹进之后，在金属栅极结构上方和栅极间隔件上方形成第一材料；在第一材料上方形成第二材料，其中第二材料的上表面与ILD层的上表面齐平；去除ILD层的与金属栅极结构相邻的第一部分，以形成暴露位于金属栅极结构的第一侧处的源极/漏极区的开口。
半导体器件形成方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202210298172.6在审
发明人：张博钦;蔡明桓;林立德;林斌彦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：公开半导体装置与其制作方法。方法可包含形成鳍状结构于基板上；形成源极/漏极区于鳍状结构上；形成栅极结构于鳍状结构上以与源极/漏极区相邻；以及形成盖结构于栅极结构上。形成盖结构的步骤包括：形成导电盖于栅极结构上，形成盖衬垫于导电盖上，以及形成碳为主的盖于盖衬垫上。方法更包括形成第一接点结构于源极/漏极区上；形成绝缘盖于第一接点结构上；以及形成第二接点结构于导电盖上。
半导体装置形成方法

[发明专利]半导体元件的形成方法-CN201710918432.4在审
发明人：黄玉莲;罗伊辰;李岱庭;李再春;蔡明桓;傅劲逢;杨政桦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：形成半导体元件的方法，包括形成源极/漏极区及间隔物于基板之上。此方法还包括形成蚀刻停止层于间隔物及源极/漏极区之上，并形成栅极结构于间隔物之间。此方法还包括回蚀栅极结构、回蚀间隔物及蚀刻停止层，并形成栅极覆盖结构于回蚀后的栅极结构、间隔物、及蚀刻停止层之上。
间隔物蚀刻停止层栅极结构回蚀源极/漏极区半导体元件覆盖结构基板

[发明专利]半导体组件及其制造方法-CN201410665896.5有效
发明人：许育荣;余振华;陈昭成;蔡明桓;林宪信;宋学昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-12-22 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体组件及其制造方法，半导体组件包含半导体基材、栅极结构位于部分的基材上、以及数个应变结构位于此部分基材的任一边上且由不同于半导体基材的半导体材料所构成。此部分的基材为T字型，而具有一水平区与一垂直区，此垂直区自水平区而以一方向远离基材的表面。
半导体组件及其制造方法

[发明专利]具有凹陷沟道的应变半导体装置以及形成该装置的方法-CN201510307239.8有效
发明人：郑振辉;冯家馨;蔡瀚霆;蔡明桓;范玮寒;宋学昌;王海艇;吕伟元;罗先庆;陈冠仲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-08-10 - 公布日： 2018-03-20 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供一种具有应力沟道(strained channel)的半导体装置以及制造该装置的方法。此半导体装置具有形成在沟道凹陷上的栅极。以应力引发材料(stress‑inducing material)填入形成于栅极两侧的第一凹陷及第二凹陷，该应力引发材料扩展进入源极/漏极延伸(source/drain extension)与栅极边缘重叠的区域。在一实施例中，沟道凹陷及/或第一与第二凹陷的侧壁可为沿着{111}刻面。本发明相较于其他已知系统可在沟道区显示较高且较均匀的应力。
具有凹陷沟道应变半导体装置以及形成方法

[发明专利]组合FinFET及其形成方法-CN201510075614.0有效
发明人：黄玉莲;彭辞修;李东颖;蔡明桓;万幸仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2015-02-12 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：鳍式场效应晶体管(FinFET)实施例包括从半导体衬底向上延伸的鳍和栅极堆叠件。该鳍包括沟道区。栅极堆叠件设置在沟道区的侧壁上方并且覆盖沟道区的侧壁。沟道区包括至少两种不同的半导体材料。本发明还提供了组合FinFET及其形成方法。
组合 finfet 及其形成方法

[发明专利]制造具有覆盖层的半导器件的方法-CN201310164871.2有效
发明人：彭辞修;陈昭诚;范纯祥;蔡明桓 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-05-07 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种制造具有覆盖层的半导体器件的方法，包括在半导体衬底的第一区域中形成第一伪栅极结构，以及在半导体衬底的第二区域中形成第二伪栅极结构。在第二伪栅极结构上形成保护层(例如，氧化物和/或氮化硅硬掩模)。在形成保护层之后去除第一伪栅极结构，从而提供第一沟槽。在第一沟槽中形成覆盖层(例如，硅)。可在覆盖层上形成金属栅极结构。在去除第一伪栅极结构期间，保护层可保护第二伪栅极结构。
制造具有覆盖层器件方法

[发明专利]具有修正轮廓的金属栅极的半导体器件-CN201310165088.8有效
发明人：黄玉莲;刘继文;陈昭诚;蔡明桓;万幸仁 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-05-07 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：在一个实施例中，方法包括：提供具有设置在其上的沟槽并且在沟槽中形成多层的半导体衬底。蚀刻在沟槽中所形成的多层，由此提供顶面位于沟槽的顶面之下的至少一个蚀刻层。在又一个实施例中，该方法可以为用于形成更多层的沟槽提供基本V形开口或入口。而且，器件具有修正轮廓金属栅极，例如，具有至少一个金属层。本发明还提供了具有修正轮廓的金属栅极的半导体器件。
具有修正轮廓金属栅极半导体器件

[发明专利]集成电路组件及其制造方法-CN201310673831.0有效
发明人： 蔡明桓;欧阳晖;郑振辉;范玮寒 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-10-28 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明揭示一种集成电路组件及此集成电路组件的制造方法。所揭示的方法提供集成电路组件在表面近接与顶端深度的改量控制。在一实施例中，此方法通过形成轻掺杂源极与漏极(LDD)区来达成改良的控制，此LDD区作为一蚀刻终止。此LDD区可在进行来形成一凹陷于基材中的蚀刻工艺期间作为蚀刻终止，此凹陷定义出此组件的源极与漏极区。
集成电路组件及其制造方法

[发明专利]高性能应变源极-漏极结构及其制造方法-CN201110220721.X有效
发明人：宋学昌;蔡明桓;林宪信;郑振辉;范玮寒 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-08-02 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种用于制造高性能应变源极-漏极结构的方法，包括：在基板上形成栅极结构，在接近栅极结构的位置上形成袋状注入区域；在邻近栅极结构的位置上形成隔离件；实施干式蚀刻，以形成具有第一轮廓的凹部；实施湿式蚀刻，以将凹部扩大成第二轮廓；以及实施热蚀刻，以将凹部扩大成第三轮廓；然后，在具有第三轮廓的凹部中形成源极-漏极结构。本发明还提供了一种高性能应变源极-漏极结构。
性能应变结构及其制造方法

[发明专利]制造应变源/漏极结构的方法-CN201110135863.6有效
发明人：聂俊峰;蔡明桓;范玮寒;黄益民;郑振辉;蔡瀚霆;吴启明 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-05-20 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明揭露一种应变源/漏极结构的制造方法。揭露的方法对集成电路组件的近面和尖端深度提供改善的控制。在一个实施方式中，这个方法通过在该组件的源极和漏极区域内形成一个掺杂区域与一个轻掺杂源极和漏极(LDD)区域来达成控制的改善。在掺杂区域植入与轻掺杂源极和漏极(LDD)区域相反类型的杂质。
制造应变结构方法

[发明专利]集成电路组件及其制造方法-CN201010530659.X有效
发明人： 蔡明桓;欧阳晖;郑振辉;范玮寒 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-10-28 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明揭示一种集成电路组件及此集成电路组件的制造方法。所揭示的方法提供集成电路组件在表面近接与顶端深度的改量控制。在一实施例中，此方法通过形成轻掺杂源极与漏极(LDD)区来达成改良的控制，此LDD区作为一蚀刻终止。此LDD区可在进行来形成一凹陷于基材中的蚀刻工艺期间作为蚀刻终止，此凹陷定义出此组件的源极与漏极区。
集成电路组件及其制造方法

[发明专利]制造集成电路装置的方法-CN201010522906.1有效
发明人： 蔡明桓;郑振辉;欧阳晖;邱远鸿;陈燕铭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-10-20 - 公布日： 2011-12-21 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供一种制造集成电路(IC)装置的方法。以上所揭露的方法在IC装置的表面接近量(Surface Proximity)以及顶端深度(Tip Depth)上提供受到改善的控制。在一实施例中，上述方法是利用，于IC装置的源极区与漏极区之中形成掺杂区及轻掺杂源极与漏极(Lightly Doped Source and Drain；LDD)区，来达成受到改善的控制。掺杂区是以相对于LDD区的掺质型态来进行植入。
制造集成电路装置方法

[发明专利]半导体元件及其制作方法-CN201010589516.6有效
发明人：郑振辉;冯家馨;蔡明桓;聂俊峰;黄益民;蔡瀚霆;王海艇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-12-13 - 公布日： 2011-11-30 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件包括：一基板，具有一第一应变区与一第二应变区；一第一晶体管，具有一第一栅极，第一栅极设置于基板上，第一应变区与第一栅极之间间隔一第一间距；以及一第二晶体管，具有一第二栅极，第二栅极设置于基板上，第二应变区与第二栅极之间间隔一第二间距，且第二间距大于第一间距。本发明可提供关于最佳化的弹性的优点。此外，可调整离子注入工艺以调整基板区域的注入部分的横向蚀刻速度。
半导体元件及其制作方法

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