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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]晶片级发光二极管封装件及其制造方法-CN201610133009.9有效
发明人：徐源哲;葛大成 -专利权人：首尔半导体株式会社
申请日： 2011-09-05 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明的示例性实施例提供了一种晶片级发光二极管(LED)封装件及其制造方法。所述LED封装件包括：半导体堆叠件，包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；多个接触孔，布置在第二导电型半导体层和有源层中，接触孔暴露第一导电型半导体层；第一凸块，布置在半导体堆叠件的第一侧上，第一凸块通过多个接触孔电连接到第一导电型半导体层；第二凸块，布置在半导体堆叠件的第一侧上，第二凸块电连接到第二导电型半导体层以及保护绝缘层，覆盖半导体堆叠件的侧壁。
晶片发光二极管封装及其制造方法

[发明专利]晶片级发光二极管封装件及其制造方法-CN201610131814.8有效
发明人：徐源哲;葛大成 -专利权人：首尔半导体株式会社
申请日： 2011-09-05 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明的示例性实施例提供了一种晶片级发光二极管(LED)封装件及其制造方法。所述LED封装件包括：半导体堆叠件，包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；多个接触孔，布置在第二导电型半导体层和有源层中，接触孔暴露第一导电型半导体层；第一凸块，布置在半导体堆叠件的第一侧上，第一凸块通过多个接触孔电连接到第一导电型半导体层；第二凸块，布置在半导体堆叠件的第一侧上，第二凸块电连接到第二导电型半导体层以及保护绝缘层，覆盖半导体堆叠件的侧壁。
晶片发光二极管封装及其制造方法

[发明专利]晶片级发光二极管封装件及其制造方法-CN201610132992.2有效
发明人：徐源哲;葛大成 -专利权人：首尔半导体株式会社
申请日： 2011-09-05 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明的示例性实施例提供了一种晶片级发光二极管(LED)封装件及其制造方法。所述LED封装件包括：半导体堆叠件，包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；多个接触孔，布置在第二导电型半导体层和有源层中，接触孔暴露第一导电型半导体层；第一凸块，布置在半导体堆叠件的第一侧上，第一凸块通过多个接触孔电连接到第一导电型半导体层；第二凸块，布置在半导体堆叠件的第一侧上，第二凸块电连接到第二导电型半导体层以及保护绝缘层，覆盖半导体堆叠件的侧壁。
晶片发光二极管封装及其制造方法

[发明专利]晶片级发光二极管封装件及其制造方法-CN201610132965.5有效
发明人：徐源哲;葛大成 -专利权人：首尔半导体株式会社
申请日： 2011-09-05 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明的示例性实施例提供了一种晶片级发光二极管(LED)封装件及其制造方法。所述LED封装件包括：半导体堆叠件，包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；多个接触孔，布置在第二导电型半导体层和有源层中，接触孔暴露第一导电型半导体层；第一凸块，布置在半导体堆叠件的第一侧上，第一凸块通过多个接触孔电连接到第一导电型半导体层；第二凸块，布置在半导体堆叠件的第一侧上，第二凸块电连接到第二导电型半导体层以及保护绝缘层，覆盖半导体堆叠件的侧壁。
晶片发光二极管封装及其制造方法

[发明专利]晶片级发光二极管封装件及其制造方法-CN201610131393.9有效
发明人：徐源哲;葛大成 -专利权人：首尔半导体株式会社
申请日： 2011-09-05 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明的示例性实施例提供了一种晶片级发光二极管(LED)封装件及其制造方法。所述LED封装件包括：半导体堆叠件，包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；多个接触孔，布置在第二导电型半导体层和有源层中，接触孔暴露第一导电型半导体层；第一凸块，布置在半导体堆叠件的第一侧上，第一凸块通过多个接触孔电连接到第一导电型半导体层；第二凸块，布置在半导体堆叠件的第一侧上，第二凸块电连接到第二导电型半导体层以及保护绝缘层，覆盖半导体堆叠件的侧壁。
晶片发光二极管封装及其制造方法

[发明专利]晶片级发光二极管封装件及其制造方法-CN201180046150.0有效
发明人：徐源哲;葛大成 -专利权人：首尔半导体株式会社
申请日： 2011-09-05 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明的示例性实施例提供了一种晶片级发光二极管(LED)封装件及其制造方法。所述LED封装件包括：半导体堆叠件，包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；多个接触孔，布置在第二导电型半导体层和有源层中，接触孔暴露第一导电型半导体层；第一凸块，布置在半导体堆叠件的第一侧上，第一凸块通过多个接触孔电连接到第一导电型半导体层；第二凸块，布置在半导体堆叠件的第一侧上，第二凸块电连接到第二导电型半导体层以及保护绝缘层，覆盖半导体堆叠件的侧壁。
晶片发光二极管封装及其制造方法

[发明专利]发光器件-CN200980158929.4有效
发明人：李贞勋;金大原;葛大成;南基范 -专利权人：李贞勋;金大原;葛大成;南基范
申请日： 2009-06-16 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：一种发光器件能够用于发光二极管和激光二极管。发光器件包括：基底，第一半导体层，在基底上；第二半导体层，在第一半导体层上；多量子阱结构，在第一半导体层和第二半导体层之间包括至少一个阱层和至少一个垒层。载流子捕获部分形成在多量子阱结构中的至少一个层中。载流子捕获部分的带隙能从载流子捕获部分的外周到载流子捕获部分的中心逐渐减小。
发光器件

[发明专利]具有电极焊盘的发光二极管-CN201110006046.0有效
发明人：徐源哲;葛大成;芮暻熙;金京完;尹余镇 -专利权人：首尔OPTO仪器股份有限公司
申请日： 2011-01-07 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明的示例性实施例涉及一种发光二极管，所述发光二极管包括：基底；第一导电类型半导体层，布置在基底上；第二导电类型半导体层，布置在第一导电类型半导体层上；活性层，设置在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间；第一电极焊盘，电连接到第一导电类型半导体层；第二电极焊盘，布置在第二导电类型半导体层上；绝缘层，设置在第二导电类型半导体层和第二电极焊盘之间；至少一个上延伸件，电连接到第二电极焊盘，所述至少一个上延伸件电连接到第二导电类型半导体层。
具有电极发光二极管

[发明专利]具有多个发光单元的发光二极管及其制造方法-CN200910224858.5有效
发明人： 葛大成;金大原;徐源哲;芮暻熙;李柱雄 -专利权人：首尔半导体株式会社
申请日： 2009-11-27 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管。所述发光二极管包括：彼此分开的多个发光单元；第一介电层，覆盖发光单元；导线，形成在第一介电层上，并将相邻的发光单元彼此电连接；第二介电层，覆盖第一介电层和导线。第一介电层和第二介电层由相同材料形成，并且第一介电层比第二介电层厚。通过该构造，改善了第一介电层和第二介电层之间的结合特性，从而防止湿气进入发光二极管。本发明还公开了该发光二极管的制造方法。
具有发光单元发光二极管及其制造方法

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