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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310085480.5在审
发明人：曾健庭;萧锦涛;方上维;林俊言;黄圣丰;郑仪侃;鲁立忠 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：半导体器件包括位于第一行中的第一单元，其中，第一行在第一方向上延伸，第一单元具有在垂直于第一方向的第二方向上测量的第一单元高度。半导体器件还包括位于第一行中的第二单元，其中，第二单元具有在第二方向上测量的第二单元高度，第二单元高度小于第一单元高度。第二单元包括具有在第二方向上测量的第一宽度的第一有源区域以及具有在第二方向上测量的第二宽度的第二有源区域，其中，第二宽度与第一宽度不同。本申请的实施例还涉及制造半导体器件的方法。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体元件及其制造方法-CN202210146803.2在审
发明人： 萧锦涛;曾健庭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本揭露有关于一种半导体元件及其制造方法，半导体元件包括具有第一侧及第二侧的基材。半导体元件在第一侧上包括：沿着第一横向方向延伸并且包含第一及第二子区域的主动区域，沿着第二横向方向延伸并且在主动区域上方设置的第一栅极结构，以及电性耦合至第一栅极结构的第一内连接结构。第一子及第二子区域设置在第一栅极结构的相对侧面上，其中第二横向方向垂直于第一横向方向。半导体元件在第二侧上包括电性耦合至第一子及第二子区域并且用以提供电源供应器的第二内连接结构。主动区域、第一栅极结构、第一内连接结构及第二内连接结构共同配置为去耦电容器。
半导体元件及其制造方法

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN201710695218.7有效
发明人：陈志良;赖志明;杨超源;曾健庭;萧锦涛;刘如淦;吴伟豪;周雷峻 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-08-15 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L21/8232 文献下载
摘要：一种制造半导体装置的方法包括在衬底上方提供材料并在所述材料的两个相对的侧壁上分别形成单独的栅极电极线。因此，可使所述栅极电极线之间的切口的宽度最小化。这会缩短所述半导体装置的单元的高度，从而增加所述半导体装置的单元密度。
制造半导体装置方法

[发明专利]集成电路及其设计系统-CN201811432814.7有效
发明人： 萧锦涛;曾健庭;刘逸群;蔡逸群;方上维;杨超源;黄星凯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种集成电路结构，包括：在第一方向上延伸的第一多个单元行，第一多个单元行的每个均具有第一行高度并且包括设置在其中的多个第一单元；以及在第一方向上延伸的第二多个单元行，第二多个单元行的每个均具有与第一行高度不同的第二行高度，并且包括设置在其中的多个第二单元。多个第一单元包括第一多个有源区域，第一多个有源区域的每个均在第一方向上连续地延伸横跨多个第一单元，并且，多个第二单元包括第二多个有源区域，第二多个有源区域的每个均在第一方向上连续地延伸横跨多个第二单元。本发明的实施例还提供了集成电路结构的设计系统。
集成电路及其设计系统

[发明专利]半导体开关结构-CN201710235870.0有效
发明人： 萧锦涛;陈志良;杨超源;余和哲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-04-12 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：一种半导体开关结构的实施例，包含源极接触、漏极接触、栅极与鳍片。接触与栅极沿着第一方向延伸并且在垂直第一方向的第二方向上彼此间隔。栅极散布于接触之间。鳍片位于接触与栅极两者之下。鳍片沿第二方向延伸并且在第一方向上彼此间隔。接触柱延伸穿过接触之一，并且未碰触栅极或鳍片。栅极柱延伸穿过栅极之一，并且未碰触接触或鳍片。接触‑栅极柱与接触与栅极碰触，但未与鳍片碰触。
半导体开关结构

[发明专利]形成电路布局图的方法及系统与产生单元布局的方法-CN202210388274.7在审
发明人：彭士玮;萧锦涛;曾健庭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-04-13 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：提供了一种产生电路布局图的方法及系统与产生单元布局的方法。接收与电路相关联的电路布局图。在电路布局图上执行平行图案识别。执行平行图案识别包括判定电路布局图中存在平行图案。响应于判定电路布局图中存在平行图案，执行与平行图案相关联的第一单元与第二单元的单元交换。在第一单元的单元交换之后，执行工程变更命令路由以在电路布局图中连接第二单元。提供了具有第二单元的更新的电路布局图。
形成电路布局方法系统产生单元

[发明专利]一体式的三维集成电路及其形成的方法-CN202110795138.5在审
发明人： 萧锦涛;曾健庭;彭士玮 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-14 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本揭示描述了一种一体式的三维集成电路及其形成的方法。一体式的三维集成电路包括具有第一单元的第一单元层，第一单元具有一体式的三维集成电路的第一主动组件。具有第二单元的第二单元层，第二单元包括第二主动组件。第二单元层垂直形成在第一单元层之上。具有第一主动组件的第一单元层及具有第二主动组件的第二单元层形成在单个晶片上。第一单元具有比第二单元更小的金属节距。埋孔将第一单元层的第一单元的第一主动组件与第二单元层的第二单元的第二主动组件电耦合。
体式三维集成电路及其形成方法

[发明专利]单片三维集成电路装置及其设计布局的创建方法与系统-CN202110823776.3在审
发明人：彭士玮;曾健庭;萧锦涛;林威呈;赖韦安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种单片三维集成电路装置及其设计布局的创建方法与系统，单片三维集成电路装置包括具有下层单元的下层及配置在下层上方的上层。上层具有通过预定横向空间分隔开的第一上层单元及第二上层单元。单片层间通孔从下层穿过预定的横向空间延伸，且单片层间通孔具有电连接到下层单元的第一端部及电连接到第一上层单元的第二端部。
单片三维集成电路装置及其设计布局创建方法系统

[发明专利]集成电路及其制造方法-CN202210091809.4在审
发明人： 萧锦涛;曾健庭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L27/118 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种集成电路包括驱动单元和至少一个传输单元。驱动单元包括第一有源区和第二有源区，以及集成电路的背面上连接至第一有源区和第二有源区的第一导线。具有第二单元高度的至少一个传输单元包括第三有源区和第四有源区、集成电路的背面上的连接至第三有源区和第四有源区的第二导线以及连接至第三有源区和第四有源区的导体。集成电路还包括连接在第一导线和第二导线之间且在背面上的第三导线，以在驱动单元和至少一个传输单元之间传输信号。本发明的实施例还提供了一种形成集成电路的方法。
集成电路及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法、集成电路-CN202210054471.5在审
发明人： 萧锦涛;曾健庭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：半导体器件包括：第一有源区域，设置在衬底的第一侧上，沿着第一横向方向延伸。半导体器件包括：第二有源区域，设置在第一侧上，沿着第一横向方向延伸。第一有源区域具有第一导电类型，并且第二有源区域具有与第一导电类型相反的第二导电类型。半导体器件包括：第一互连结构，形成在衬底的与第一侧相对的第二侧上，第一互连结构包括：第一部分，沿着第一横向方向延伸并且垂直设置在第一有源区域下方；以及第二部分，沿着第二横向方向延伸。第二横向方向垂直于第一横向方向。本发明的实施例还涉及制造半导体器件的方法和集成电路。
半导体器件及其制造方法集成电路

[发明专利]半导体元件及其形成方法-CN202110662569.4在审
发明人：邱德馨;萧锦涛;曾健庭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体元件及其形成方法，半导体元件包括半导体基板。半导体元件包括从半导体基板突出并沿第一方向延伸的第一鳍片。半导体元件包括从半导体基板突出并沿第二方向延伸的第一鳍片。耦合至第一鳍片的第一磊晶源极/漏极区与耦合至第二鳍片的第二磊晶源极/漏极区通过空隙彼此侧向隔开。
半导体元件及其形成方法

[发明专利]非平面半导体结构及其形成方法-CN201811446625.5有效
发明人：陈志良;杨超源;杨惠婷;曾健庭;萧锦涛;彭士玮;林威呈;周雷峻 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明的实施例描述了非平面半导体器件及其制造方法，非平面半导体器件诸如为具有一个或多个金属轨导体的鳍式场效应晶体管(finFET)。在一些情况下，一个或多个金属轨导体可以电连接至这些非平面半导体器件的栅极、源极和/或漏极区域。在这些情况下，可以利用一个或多个金属轨导体将各个非平面半导体器件的栅极、源极和/或漏极区域电连接至各种非平面半导体器件和/或其它半导体器件的其它栅极、源极和/或漏极区域。然而，在其它情况下，一个或多个金属轨导体可以与这些各个非平面半导体器件的栅极、源极和/或漏极区域隔离。这种隔离防止了一个或多个金属轨导体与这些非平面半导体器件的栅极、源极和/或漏极区域之间的电连接。
平面半导体结构及其形成方法

[发明专利]在基板上形成鳍片的方法-CN201611093056.1有效
发明人：周雷峻;陈志良;赖志明;杨超源;曾晋沅;曾健庭;萧锦涛;刘如淦;林纬良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-02 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种在基板上形成鳍片的方法被提出。此方法包括沉积第一鳍片间隔与第二鳍片间隔在具有一硬遮罩的基板的多个位置上，其中第一鳍片间隔包括所需第一鳍片间隔与虚设第一鳍片间隔，且第二鳍片间隔包括所需第二鳍片间隔与虚设第二鳍片间隔。此方法还包括在第一鳍片间隔与第二鳍片间隔之下的基板上形成鳍片。鳍片包括多个虚设鳍片与多个所需鳍片。此方法还包括个别地移除虚设第一鳍片间隔，而不移除虚设第二鳍片间隔，移除虚设第二鳍片间隔，以及移除虚设鳍片。
基板上形成方法

[发明专利]集成电路及其形成方法-CN202110194374.1在审
发明人： 萧锦涛;曾健庭;林威呈 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-20 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L23/50 文献下载
摘要：一种集成电路，包括布置在第一层中的第一对电源轨和第二对电源轨；布置在该第一层上方的第二层中的导电线；以及布置在该第二层上方的第三层中的第一有源区。第一有源区设置为与该第一对电源轨重叠。第一有源区通过导电线中的第一线和第一组通孔耦合到第一对电源轨，并且该第一有源区通过导电线中的至少一条第二线和不同于该第一组通孔的第二组通孔耦合到第二对电源轨。本发明的实施例还涉及形成集成电路的方法。
集成电路及其形成方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202111151085.X在审
发明人：邱德馨;萧锦涛;方上维;林威呈;曾健庭 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：衬底；形成在衬底的第一部分上方的第一晶体管，其中第一晶体管包括包含N个纳米片的第一纳米片堆叠；和位于衬底的第二部分上方的第二晶体管，其中第二晶体管包括包含M个纳米片的第二纳米片堆叠，其中N不同于M，其中第一和第二纳米片堆叠形成在彼此垂直偏移的第一和第二衬底区域上。
半导体器件及其制造方法

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