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[实用新型]一种装配式基坑降水管保护装置-CN202320897326.3有效
发明人：王英杰;李久双;赵玉龙;李宝琦;史炳军;苏玉玉;陈堃;宋敏;吴永康;陶艺泽 -专利权人：中建交通建设集团有限公司;中建交通建设集团铁路工程有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： E02D19/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种装配式基坑降水管保护装置，包含第一夹板、与第一夹板平行设置的第二夹板、穿接于第一夹板和第二夹板顶部的对连螺杆、设置于对连螺杆一端的杆端外固螺母、连接于对连螺杆另一端的杆端外调螺母、分别连接于对连螺杆两端的杆端内第一调螺母和杆端内第二调螺母、连接于第二夹板上方的分弧套管以及可拆卸连接于分弧套管上的套管螺栓。本实用新型通过第一夹板和第二夹板的设置，利于保证与挡水台的夹紧固定，且利于保证降水管的安装基础；通过对连螺杆及对应螺母的设置，利于适应挡水台的尺寸；通过分弧套管的设置，利于保证对于降水管的夹持；通过套管卡板的设置，利于保证分弧套管与夹板的连接。
一种装配式基坑降水保护装置

[实用新型]一种后安装地下外墙脚手架转接件-CN202320897322.5有效
发明人：李久双;王英杰;李宝琦;史炳军;赵玉龙;苏玉玉;陈堃;宋敏;吴永康;陶艺泽 -专利权人：中建交通建设集团有限公司;中建交通建设集团铁路工程有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： E04G5/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种后安装地下外墙脚手架转接件，包含与外墙连接的后装角钢、与后装角钢连接的竖接杆、与竖接杆连接的竖连组件、与竖连组件可拆卸连接的横连组件以及连接于横连组件上的横接杆。本实用新型通过后装角钢的设置，利于在地下室外墙施工完成后进行安装，并通过后装角钢的横部对竖接件进行承托，对横接件进行固定连接，避免了打洞且保证了受力基础；通过横接杆和竖接杆的设置，利于与后续脚手架的横杆和竖杆进行对接连接，其中竖接杆的L形设置，更加利于竖部的对接和底部的承力；通过竖连组件和横连组件的设置，利于保证竖接杆和横接杆的可拆卸连接，且保证相互连接的可靠性。
一种安装地下外墙脚手架转接

[实用新型]一种古树养护浇灌装置-CN202320897321.0有效
发明人：史炳军;王英杰;李久双;吴永康;赵玉龙;李宝琦;苏玉玉;陈堃;宋敏;陶艺泽 -专利权人：中建交通建设集团有限公司;中建交通建设集团铁路工程有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： A01C23/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种古树养护浇灌装置，包含设置于古树四周的树池外壁、连接于树池外壁内侧的树池防水层和树池抹面层、设置于树池抹面层和古树之间且位于土体上方的配给管、设置于配给管上的连水接口、设置于配给管底部的浇灌孔以及设置于配给管内部的药剂管段。本实用新型通过配给管的设置，避免了大水漫灌或者长时间没有水浇灌的不利用水境况；通过树池外壁和树池防水层的设置，防止了内水外流和规范了固定的浇水范围；通过药剂管段的设置，保证了精准化的营养液和病虫害药剂的施用。
一种养护浇灌装置

[实用新型]一种吸入式城市空气质量检测系统-CN202121688982.X有效
发明人： 苏玉玉;尹国逊;刘玉伟 -专利权人：山东泰诺检测科技有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G01N15/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种吸入式城市空气质量检测系统，包括检测箱、导气软管、吸气嘴和吸气泵；检测箱底部具有进气口、顶部具有出气口，吸气嘴通过导气软管对接进气口，吸气泵对接出气口；检测箱内部具有密布微孔的隔板，隔板将检测箱的内部空间分隔成位于下部的PM10检测腔与位于上部的PM2.5检测腔，微孔的孔径为2.5微米，PM10检测腔内设置有PM10检测传感器，PM2.5检测腔内设置有PM2.5检测传感器。本实用新型公开了一种吸入式城市空气质量检测系统，降低不同大小的颗粒物之间的影响，大大提高空气颗粒物检测效率。
一种吸入城市空气质量检测系统

[实用新型]一种城市空气质量检测采样系统-CN202121688994.2有效
发明人： 苏玉玉;刘玉伟;尹国逊 -专利权人：山东泰诺检测科技有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G01N1/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种城市空气质量检测采样系统，包括移动设备、支架、旋转采样器、驱动设备和防杂罩；旋转采样器通过支架支撑设置于移动设备上，且旋转采样器与支架旋转配合连接；驱动设备安装于支架上，用于驱动旋转采样器旋转进行空气采样；防杂罩笼罩旋转采样器并与支架连接设置；旋转采样器包括采样饼，采样饼具有位于底部的一个连接轴、位于侧面的多个进气口、位于顶部的多个出气口及位于内部的多个储气腔；驱动设备驱动采样饼旋转通过进气口向对应的储气腔灌入空气实现采样。本实用新型提供的一种城市空气质量检测采样系统，能够根据需求实现多次采样，采样效率高，采样量大，结构简单，节约成本。
一种城市空气质量检测采样系统

[实用新型]一种城市高空噪音检测系统-CN202121689021.0有效
发明人： 苏玉玉;刘玉伟;尹国逊 -专利权人：山东泰诺检测科技有限公司
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G01H17/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种城市高空噪音检测系统，包括旋转杆、旋转机构、支撑板、顶座、翻转杆和翻转机构；旋转杆竖向设置，其底部通过旋转机构支撑，其顶部从下到上相对固连有支撑板及顶座，翻转杆的两端分别连接有转轴和噪音检测传感器，翻转杆通过转轴与顶座旋转连接；旋转机构通过驱动旋转杆带动翻转杆及噪音检测传感器以旋转杆为基准同步周旋旋转；翻转机构通过驱动翻转杆带动翻转杆及噪音检测传感器以转轴为定点同步翻转。本实用新型提供的一种城市高空噪音检测系统，噪音检测覆盖范围广，检测准确度高，适于规模化推广。
一种城市高空噪音检测系统

[发明专利]一种绝缘体上半导体材料衬底结构及其制备方法-CN201611243728.2有效
发明人：孙兵;刘洪刚;王盛凯;常虎东;苏玉玉 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种绝缘体上半导体材料衬底结构及其制备方法，该绝缘体上半导体材料衬底结构包括单晶硅衬底、绝缘体层、缓冲层和高迁移率半导体层，所述绝缘体层置于所述单晶硅衬底之上，所述缓冲层置于所述单晶硅衬底之上并置于所述绝缘体层之间，所述高迁移率半导体层置于所述绝缘体层和所述缓冲层之上。该绝缘体上半导体材料衬底结构的制备方法采用金属有机化学气相沉积法或分子束外延的方法，在硅衬底上实现绝缘体上高迁移率半导体材料的外延生长，在后摩尔时代高迁移率CMOS集成技术中具有重要的应用价值。
一种绝缘体半导体材料衬底结构及其制备方法

[发明专利]一种氧化物介质的原子层沉积方法-CN201611244141.3有效
发明人：孙兵;刘洪刚;王盛凯;常虎东;苏玉玉 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化物介质的原子层沉积方法，属于半导体集成技术领域。所述氧化物介质的原子层沉积方法将多种氧前驱体源依次通入原子层沉积系统的反应腔，利用原子层沉积系统生长氧化物介质，从而获得高质量的高介电常数的氧化物介质薄膜，所述氧化物介质可以是镧基、钇基、铪基和铍基的一种或多种组合。本发明所述的一种氧化物介质的原子层沉积方法，可应用于CMOS栅介质的生长过程中，可以有效减小栅介质的漏电流，同时提高栅介质的击穿电压，从而提高CMOS器件的性能。
氧化物介质原子层沉积栅介质原子层沉积系统半导体集成技术氧化物介质薄膜高介电常数生长氧化物击穿电压前驱体源生长过程反应腔漏电流减小钇基铪基镧基应用

[发明专利]一种含有V₆O₁₃晶体的非晶氧化钒薄膜材料和制备方法-CN201510401564.0有效
发明人：李静波;苏玉玉;金海波;豆艳坤 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2015-07-09 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种含有V6O13晶体的非晶氧化钒薄膜材料和制备方法，所述方法包括：制备清洁干燥的硅片；溅射过程以金属钒靶为靶材，以清洁干燥的硅片为衬底，以氩气为溅射气体，以氧气为反应气体，共同通入磁控溅射腔室内，在所述硅片基底上沉积非晶体钒氧化物薄膜；将制备的所述非晶体钒氧化物薄膜放入真空退火炉中，进行热处理，热处理后得到所述含有V6O13晶体的非晶氧化钒薄膜。依据本发明的制备方法可以大面积生产含有V6O13晶体的非晶氧化钒薄膜材料，制备的所述薄膜材料的表面平整致密、材料的颗粒比较均匀。同时，生成的所述薄膜材料电阻适中，电阻随温度变化敏感，电阻温度系数大于2％/K，且在升降温过程中电阻变化稳定，可用于制造微测辐射热计。
制备氧化钒薄膜晶体的非晶硅片钒氧化物薄膜热处理薄膜材料非晶体电阻电阻温度系数微测辐射热计温度变化敏感致密真空退火炉表面平整磁控溅射电阻变化反应气体溅射气体氩气清洁金属钒靶材沉积衬底放入基底溅射可用氧气升降室内制造生产

[发明专利]一种砷化镓基MOSFET栅介质的制备方法-CN201611247710.X在审
发明人： 苏玉玉;孙兵;刘洪刚;王盛凯 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓基MOSFET栅介质的制备方法，包括如下步骤步骤1清洗砷化镓衬底表面；步骤2在清洗完成后的所述砷化镓衬底表面沉积阻挡层；步骤3利用直接离化的氧等离子体或间接离化的氧等离子体处理步骤2获得的衬底表面，氧等离子扩散进入到所述阻挡层和砷化镓界面处，从而氧化砷化镓表面，在所述阻挡层与所述砷化镓衬底界面形成一薄层五氧化二砷和三氧化二镓的混合物层；步骤4在氧等离子体氧化后的砷化镓衬底表面沉积高介电常数的栅氧化物层。本发明的制备方法能够在砷化镓表面形成热稳定高、界面态密度小、等效氧化层厚度薄的栅介质，从而提高砷化镓沟道MOSFET器件的电学特性。
一种砷化镓基 mosfet 介质制备方法

[发明专利]一种含纽甜的复合甜味剂-CN201310441012.3有效
发明人：于东海;王刚;苏玉玉;王庭见;刘速凌 -专利权人：济南诚汇双达化工有限公司
申请日： 2013-09-25 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： A23L1/326 文献下载
摘要：本发明涉及食品加工技术领域，特别是涉及一种含纽甜的复合甜味剂和其制作蛋糕、面包的配方及制作方法。本发明含纽甜的复合甜味剂，包括以下重量百分比成分：纽甜0.8%-1.4%，甜蜜素5.3%-7.6%，安赛蜜4.9%-7.2%，葡萄糖83.8%-89%。本发明含纽甜的复合甜味剂口感与蔗糖极为相似，以纽甜复合甜味剂代替蛋糕和面包中的部分蔗糖，减少蔗糖的用量，可满足爱吃甜但患有肥胖等疾病的人的食用要求，且可预防龋齿；在保证蛋糕和面包口感和质地的同时，以高倍甜度的纽甜复合甜味剂替代部分蔗糖还可降低生产成本。
一种含纽甜复合甜味剂

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