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- [发明专利]一种调节巨磁电阻薄膜线性区域的方法-CN201610173054.7有效
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唐晓莉;杨鸿洁;苏桦;钟智勇;张怀武
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电子科技大学
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2016-03-23
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2018-05-18
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H01L43/08
- 一种调节巨磁电阻薄膜线性区域的方法,属于磁性材料与元器件技术领域。采用薄膜溅射工艺并在外磁场H的作用下,依次在基片上沉积第一反铁磁层/第一铁磁层/第一非磁性层/第二铁磁层/第二非磁性层/第三铁磁层/第二反铁磁层作为巨磁电阻薄膜,第三铁磁层和第二反铁磁层的溅射气压为0.004‑0.08Pa,溅射功率为30‑50W,第三铁磁层的厚度为8‑12nm,第二反铁磁层的厚度为10‑18nm。本发明在超低气压下溅射巨磁电阻薄膜探测层中的铁磁层和反铁磁层,在不减薄铁磁层厚度的条件下,使铁磁层FM2/反铁磁层AF2产生不同大小的交换偏置场,进而在不损失巨磁电阻变化率的条件下实现对巨磁电阻薄膜线性区域的调整。
- 一种调节磁电薄膜线性区域方法
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