专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]钢铁行业双流体气泡细水雾灭火系统-CN202023047827.8有效
  • 王伟林;苏桦;王军;王强;郭建华;王世鹏 - 王伟林
  • 2020-12-17 - 2021-08-31 - A62C3/00
  • 钢铁行业双流体气泡细水雾灭火系统,包括气泡雾化细水雾喷射装置、液相流体模块及气相流体模块,所述气泡雾化细水雾喷射装置包括进水管、进气管以及开式气泡雾化细水雾喷头,所述液相流体模块包括水源、低压给水泵以及低压给水泵控制装置,所述水源为自来水管道或储水箱,所述气相流体模块包括钢铁厂厂区内部氮气管网或压缩空气管网、气体控制阀及气泡雾化细水雾喷射装置。本实用新型提供了一种钢铁行业双流体气泡细水雾灭火系统,为具有管网氮气等稳定气源,以及具有管道自来水等可用于灭火系统的水源的生产行业,提供一种新型的细水雾灭火系统,其投资小,维护费用低。
  • 钢铁行业双流气泡水雾灭火系统
  • [发明专利]一种线性各向异性磁电阻传感器及其实现方法-CN201910103581.4有效
  • 唐晓莉;虞金彪;苏桦 - 电子科技大学
  • 2019-02-01 - 2021-06-01 - H01L43/12
  • 一种线性各向异性磁电阻传感器及其实现方法,属于磁性材料与元器件技术领域。所述各向异性磁电阻传感器自下而上依次为底电极、基片、顶电极和各向异性磁电阻传感单元薄膜,其特征在于,所述基片为压电基片,通过在底电极和顶电极之间施加电压,压电基片产生应力并通过磁性薄膜磁致伸缩效应,实现各向异性磁电阻传感单元薄膜初始磁矩方向与电流呈45°夹角。本发明基于磁电耦合效应,将压电基片产生的应力,通过磁性薄膜磁致伸缩效应,最终实现线性各向异性磁电阻传感器单元初始磁矩方向与电流呈45°夹角,具有结构简单、工艺难度低、低功耗等优点,可以简化该类线性传感器的制备。
  • 一种线性各向异性磁电传感器及其实现方法
  • [发明专利]一种基于多层交换偏置结构的各向异性磁电阻-CN201810978419.2有效
  • 唐晓莉;陈敏;杜伟;苏桦 - 电子科技大学
  • 2018-08-27 - 2021-05-04 - H01F10/14
  • 一种基于多层交换偏置结构的各向异性磁电阻,属于磁性材料与元器件技术领域。所述磁电阻包括基片,以及依次形成于基片之上的缓冲层薄膜、第一反铁磁层/[铁磁层/第二反铁磁层]n的多层薄膜和覆盖层薄膜,n≥2。本发明提供的各向异性磁电阻在控制磁性层总厚度的情况下,将每层铁磁层减薄到100nm以下,可在反铁磁层/铁磁层/反铁磁层中获得交换偏置场,进而提升整体薄膜的各向异性场,从而实现对基于各向异性磁电阻效应的传感器磁场探测区间的拓展。并且,由于交换偏置场的大小与铁磁层的厚度呈反比,因而可以在控制铁磁层总厚度的情况下,通过调整重复周期n,获得不同的交换偏置场和各向异性场,方便的实现不同磁场探测区间的获得。
  • 一种基于多层交换偏置结构各向异性磁电
  • [发明专利]一种磁性金属薄膜易磁化方向的测试方法-CN201910140846.8有效
  • 唐晓莉;杜伟;苏桦 - 电子科技大学
  • 2019-02-26 - 2021-04-30 - G01R33/12
  • 一种磁性金属薄膜易磁化方向的测试方法,属于磁性测量技术领域。由于在零场的情况下,磁矩位于薄膜的易轴,根据各向异性磁电阻公式R0=R+ΔRcos2θ,若R0、R及ΔR已知,则计算出的角度θ就是易磁化轴的取向。基于上述原理,本发明提供了一种基于各向异性磁电阻效应来确定磁性金属薄膜材料易磁化方向的测试方法,可简单、快速的实现磁性金属薄膜材料易磁化方向的确定,且所需测试设备简单,极易获得,测试成本低,弥补了现有技术的不足,对磁性材料的研究和应用都有着积极的作用。
  • 一种磁性金属薄膜磁化方向测试方法
  • [发明专利]一种低温烧结NiCuZn铁氧体材料及其制备方法-CN201710968240.4有效
  • 苏桦;唐晓莉;张怀武;荆玉兰;李元勋;徐自强 - 电子科技大学
  • 2017-10-18 - 2021-02-05 - C04B35/26
  • 本发明属于电子陶瓷材料及其制备技术领域,具体涉及一种低温烧结NiCuZn铁氧体材料及其制备方法。本发明材料的分子结构表达式为Ni0.29‑x‑yZn0.53+xCu0.18+yFe1.95O4(x=0~0.02;y=0~0.02),同时采用BBSZ玻璃、Co2O3、TiO2和CaCO3作为掺杂剂。通过以上材料配方、工艺的优化设计并结合4种掺杂剂的组合改性,以实现900℃的低温烧结,并兼顾起始磁导率μi在80~96之间;抗直流偏置磁场H70%在950~800A/m,比温度系数≤2×10‑6/℃(20℃~80℃)。本发明很好地兼顾了高起始磁导率、高抗直流偏置磁场以及高温度稳定性的综合要求,其生产原料便宜,工艺简单,操作方便且成本低,可广泛应用于研发生产高可靠性的LTCC片式电感/磁珠产品。
  • 一种低温烧结nicuzn铁氧体材料及其制备方法
  • [发明专利]一种基片集成波导带通滤波器-CN201911124531.0有效
  • 李元勋;曾昭怡;陆永成;彭睿;苏桦;陶志华 - 电子科技大学
  • 2019-11-18 - 2021-02-05 - H01P1/208
  • 本发明设计属于微波射频技术领域,具体是一种基片集成波导带通滤波器,附有金属夹层。本发明采用八分之一基片集成波导结构,物理尺寸是一般基片集成波导结构的八分之一,易于小型化;相比于微带线、悬置线等结构,Q值更高、集成度更高、选择性更好、损耗更小。同时,通过在基片集成波导结构的上下金属层间添加直角梯形的金属夹层,克服了基片集成波导结构不能产生水平极化电磁波这一缺点,为沿垂直于电壁的纵向电流提供路径,其信号的选择性更好,损耗更低。
  • 一种集成波导带通滤波器
  • [发明专利]一种无助熔剂低损耗LTCC材料及其制备方法-CN202010573036.4在审
  • 苏桦;钟茂峰;唐晓莉;荆玉兰;李元勋 - 电子科技大学
  • 2020-06-22 - 2020-09-25 - C04B35/453
  • 本发明属于微波介质材料及其制造领域,具体涉及一种无助熔剂低损耗LTCC材料及其制备方法。本发明材料的化合式为:Zn3‑x‑yCoxCuyB2O6(0.05≤x≤0.20,0.02≤y≤0.12),烧结温度825℃~875℃,相对介电常数5.85~6.95,Q×f值63400GHz~165000GHz,谐振频率温度系数‑25ppm/℃~‑70ppm/℃。在本发明中通过Co、Cu离子共替代的方式,将材料体系的烧结温度降低至825~875℃,完全满足LTCC低温烧结的要求,且材料损耗还能够大幅度的下降,材料为纯陶瓷材料,无玻璃助熔剂掺杂,降低了材料制备的成本,同时避免玻璃掺杂带来的损耗增大及LTCC工艺的不兼容问题,具有很好的应用前景。
  • 一种无助熔剂损耗ltcc材料及其制备方法
  • [发明专利]一种自偏置各向异性磁电阻传感单元的制备方法-CN201811060221.2有效
  • 唐晓莉;杜伟;苏桦 - 电子科技大学
  • 2018-09-12 - 2020-03-27 - H01L43/12
  • 本发明属于磁性材料与元器件技术领域,具体为一种自偏置各向异性磁电阻传感单元的制备方法。本发明利用铁磁层/反铁磁层薄膜替代常规的铁磁层薄膜制备各向异性磁电阻传感单元。选用长短轴比较大的长条形产生沿长轴方向的各向异性场Hk,在制备过程中沿长条形磁电阻传感单元短轴加沉积磁场,产生沿外磁场短轴方向的交换偏置场Hex;使交换偏置场与各向异性场大小趋于相等,使初始态磁矩的取向与沿长轴流动的电流呈所需的45°夹角。本发明实现了初始态磁矩45°的自偏置,且具有结构简单、工艺难度低、易于控制、不用额外增加外置磁场设备的优点,极大的降低该类磁传感单元制备难度。
  • 一种偏置各向异性磁电传感单元制备方法

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