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[发明专利]一种低介低损耗复合LTCC材料、制备方法及应用-CN202310687411.1在审
发明人：苏桦;汪子航;简贤;王俊伟 -专利权人：电子科技大学长三角研究院（湖州）
申请日： 2023-06-12 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C04B35/16 文献下载
摘要：本发明属于电子陶瓷材料及其制造技术领域，公开了一种低介低损耗复合LTCC材料、制备方法及应用，LTCC材料，基于SrCuSi4O10与(Li0.5Y0.5)MoO4进行固相反应法复合获得，可同时解决低温烧结和调节谐振频率温度系数的问题，同时复合材料介电常数和介电损耗也很低，满足低介低损耗的要求。该复合材料可以在不添加任何助熔剂的情况下，实现材料体系900℃左右的低温烧结，同时材料的谐振频率温度系数也能调整到±10ppm/℃以内，材料的介电常数也在7.7～8.0之间，Qf值超过了46000GHz，在LTCC集成器件和基板中具有很好的应用前景。
一种低介低损耗复合 ltcc 材料制备方法应用

[发明专利]一种高介低线宽微波旋磁铁氧体材料及其制备方法-CN202211117935.9有效
发明人：苏桦;梁吉;杨钊;荆玉兰;李元勋 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C04B35/40 文献下载
摘要：本发明属于电子材料技术领域，具体涉及一种高介低线宽微波旋磁铁氧体材料及其制备方法。本发明通过严格控制Bi离子在YIG旋磁铁氧体中的替代量在12.5～13.5之间，再通过Gd、V、Ca、Zr等离子的复合替代，以及二次球磨时的H3BO3和WO3微量掺杂，并在工艺上引入了热等静压的工艺，最终制备出4πMs为1838～1850Gs，介电常数27～31，铁磁共振线宽≤20Oe的高介低线宽旋磁铁氧体材料。本发明让旋磁铁氧体材料高介电常数和低铁磁共振线宽的兼具成为可能，为微波铁氧体器件的进一步小型化提供了基础。
一种高介低线宽微波磁铁材料及其制备方法

[发明专利]驱鸟装置-CN201611000095.2有效
发明人：王蓉蓉;高会民;曲建绪;祁立秋;尚润田;樊立沙;徐方;苏桦;魏永和;吴思佳;范婷霞;赵爽 -专利权人：国网冀北电力有限公司管理培训中心;国家电网公司
申请日： 2016-11-14 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： A01M29/00 文献下载
摘要：本发明提供一种驱鸟装置，包括：具有平顶的腔体、固定装置、太阳能发电装置、设置于所述腔体外表面的微波感应控制装置、固定于所述腔体内部底面上的高压气体喷气装置和微波感应开关以及电源。所述腔体的侧面上具有多个出气口；所述微波感应控制装置包括一个或多个微波感应控制器；所述单向高压阀门喷气孔与所述腔体上的多个出气口分别通过喷气管连接；所述太阳能发电装置与所述电源连接，为所述电源供电；所述太阳能发电装置与所述电源连接，为所述电源供电；所述电源分别与所述微波感应开关、所述微波感应控制装置、所述电子单向控制阀电连接，为它们供电；所述腔体固定于所述固定装置上，所述固定装置固定于电线杆塔的横担上。
装置

[发明专利]一种叠层复合磁介基板材料及其制备方法-CN202210920417.4在审
发明人：苏桦;杨钊;荆玉兰;唐晓莉;李元勋 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-08-02 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：本发明属于电子材料技术领域，涉及一种叠层复合磁介基板材料及其制备方法。本发明通过将铁氧体陶瓷膜片和介电陶瓷膜片按比例交替堆叠构成叠层结构，采用叠层复合的方式，在磁性层中形成连续不开气隙的磁路，使得磁导率几乎不受影响，因此本发明叠层复合磁介基板材料的磁导率可达到采用铁氧体磁性材料的磁导率乘上磁性层总厚度与基板总厚度之比，大大高于传统采用粉体混合得到磁介复合材料的磁导率，给调控磁介基板材料的磁性和介电性能提供了更大的实施空间。本发明的叠层复合磁介基板材料，其适用频率可覆盖1MHz～5GHz，并可通过灵活调控复合材料的磁介电性能来实现具体的应用频率调控；且提供了简单易行成熟的制备工艺。
一种复合磁介基板材料及制备方法

[发明专利]一种开关场区域可调的巨磁电阻磁双极性开关传感器-CN202110226043.1有效
发明人：唐晓莉;刘梦丽;苏桦;姜杰 -专利权人：电子科技大学;上海麦歌恩微电子股份有限公司
申请日： 2021-03-01 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H03K17/95 文献下载
摘要：本发明属于电子材料与元器件技术领域，具体为一种开关场区域可调的巨磁电阻磁双极性开关传感器，包括基片、上下电极、传感单元薄膜和导电薄膜。本发明利用不对称残余应变材料的残余应变有无可通过脉冲电压极性调控的特点，通过应变对基片上传感单元薄膜的铁磁层1产生磁弹耦合能有无来实现巨磁电阻双极性开关传感器中开关场的调控。由于该调控可在一固定传感单元中开关场调整，并且可配合残余应变引入时间，实现不对称开关场形式的巨磁电阻双极性开关传感器，因而可以提高该类产品的适应度及扩展应用场景，满足一些特殊的应用需求。
一种开关区域可调磁电阻磁双极性传感器

[发明专利]一种具有不同缺陷程度的二维材料VSe2-CN202010305220.0有效
发明人：简贤;付健桉;张兴中;苏桦;李元勋 -专利权人：电子科技大学;江西国创产业园发展有限公司
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： B01J27/057 文献下载
摘要：一种具有不同缺陷程度的二维材料VSe2的制备方法，属于新材料、电催化制氢清洁能源技术领域。首先，称取钒粉和硒粉作为原料，混合研磨后，转移至石英管中，钒粉和硒粉的摩尔比为1：(1.6～2.0)；然后将石英管抽真空并封管；最后，将密封好的真空石英管竖直放入立式炉中，在空气氛围下升温至700～900℃，在700～900℃下保温24～72h。本发明将原料钒粉和硒粉的摩尔比设置为1：(1.6～2.0)，通过在上述范围内调控钒粉和硒粉的摩尔比，得到具有不同缺陷程度的VSe2二维材料。该VSe2二维材料应用于电催化剂时，其缺陷能暴露更多的活性位点，使得其在催化析氢过程中的催化活性大大提高。
一种具有不同缺陷程度二维材料 vse base sub

[发明专利]一种片状Fe基合金催化生长碳纳米管阵列的制备方法-CN202110080774.X有效
发明人：简贤;吴龙伟;张兴中;李元勋;苏桦;舒剑 -专利权人：电子科技大学;江西国创产业园发展有限公司
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： C01B32/16 文献下载
摘要：一种片状Fe基合金催化生长碳纳米管阵列的制备方法，属于新材料技术、锂离子二次电池领域。包括以下步骤：1)片状Fe基合金置于CVD旋转炉内，通入氮气或者惰性气体；2)启动CVD旋转炉，炉内温度升至450～550℃，向炉内通入乙炔气体，反应30min后，停止乙炔气体的通入，得到长有碳纳米管阵列的Fe基合金；3)酸洗处理去除Fe基合金，得碳纳米管阵列。本发明通过控制工艺条件有效的调控碳纳米管阵列的生长，成功的实现了基底、缓冲层、催化剂层三合一制备出碳纳米管阵列；制备工艺条件温和，方法简单，有利于大规模的制备，具有很好的商业价值；制得的碳纳米管应用于锂离子电池负极，有良好的稳定性、较高的可逆比容量。
一种片状 fe 合金催化生长纳米阵列制备方法

[发明专利]锂离子电池正极导电添加剂碳纳米管阵列的制备方法-CN202110231406.0有效
发明人：简贤;吴龙伟;李元勋;苏桦;舒剑 -专利权人：电子科技大学;江西国创产业园发展有限公司
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： C01B32/162 文献下载
摘要：一种锂离子电池正极导电添加剂碳纳米管阵列的制备方法，属于新材料技术、锂离子二次电池领域。首先，以镍硅基多元合金为催化剂，通过CCVD法制备出取向良好的碳纳米管阵列；然后，利用无定形碳不耐高温的特点，选择一个合适的温度进行退火处理以去除无定形碳和氧化夹杂在其中的微量催化剂，提升碳纳米管阵列的纯度；最后，将样品依次在盐酸和氢氟酸溶液中处理，以去除样品中的金属及其氧化物。本发明方法得到的碳纳米管阵列，具有较高的纯度，纯度可达99％以上，同时保持着原有形貌，即保持了原有的长径比，具有优异的导电性，是未来锂离子电池正极材料导电添加剂材料。
锂离子电池正极导电添加剂纳米阵列制备方法

[发明专利]一种压控三态磁存储单元的实现方法-CN202010040488.6有效
发明人：唐晓莉;刘梦丽;杜伟;苏桦 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：一种压控三态磁存储单元的实现方法，属于磁存储技术领域。以压电基片作为基底，在压电基片的上下表面生长导电层，作为对压电基片施加电压的上电极和下电极，然后在上电极上依次形成磁性存储层和保护层，其中，所述磁性存储层的磁矩初始态为45度角方向，此时可获得一中间值大小的电阻态，在压电基片上施加不同大小的电压，可获得高电阻态和低电阻，这样就可实现高、中、低三种电阻态。本发明通过在压电基片上不施加、施加大于或小于压电基片矫顽电场的电压，来获得高、中、低三种稳定的存储态实现三态存储。由于该三种存储状态只需通过电压大小调制，因此具有结构简单、容易设计且功耗低等优点。
一种三态存储单元实现方法

[发明专利]一种电子材料切割冷加工固定冷凝液及装置-CN202010411040.0有效
发明人：李元勋;李勤华;陶志华;苏桦;徐雷;张仕俊;韩莉坤 -专利权人：电子科技大学;绵阳北斗电子有限公司
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： B28D5/00 文献下载
摘要：本发明属于电子材料及元器件领域，具体提供一种电子材料切割冷加工固定冷凝液及装置，用以解决目前切割加工用的抽真空吸附固定方法难以满足被切割产品尺寸的多样化的问题。本发明提供的固定冷凝液的凝固温度为14～19℃，凝固后匹配辅助防滑块能够对电子材料件具有良好的固定和减震效果，使得能够满足不同尺寸的电子材料件的加工需求；同时，与之匹配的加工装置，采用自来水经刀头冷却装置降温处理后对运行的切刀进行控温处理，1～8℃摄氏度的切刀冷却水能够有效避免凝固层温度上升而融化导致固定不稳定的问题；综上，本发明能够满足不同尺寸的电子材料件的加工需求的同时，不仅提高了加工效率，该更好地保障了加工质量，大大的降低了加工成本。
一种电子材料切割冷加工固定冷凝装置

[发明专利]一种铁基缓蚀剂及其在铁基材酸洗液中的应用-CN201911043813.8有效
发明人：李元勋;王桂娟;陶志华;苏桦;陆永成;韩莉坤 -专利权人：电子科技大学;东莞成启瓷创新材料有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C23F11/14 文献下载
摘要：本发明属于铁基材除锈酸洗/微蚀处理领域，具体提供一种铁基缓蚀剂及其在铁基材酸洗液中的应用。本发明采用罗丹明衍生物(罗丹明B化合物、罗丹明6G化合物)作为缓蚀剂，应用于铁基材酸洗液中，酸洗液中酸液为硫酸或盐酸的一种或两种的组合，配制得具有缓蚀效果的铁基材酸洗液；该酸洗液中作为缓蚀剂的罗丹明衍生物用量少，且缓蚀效率高、可达到80‑99％，缓蚀性能稳定，在不同的温度和浓度下均具有良好的缓蚀性能；同时，由于罗丹明衍生物作为荧光探针的一种，具有特殊的内酰胺结构和优良的荧光性能，成为了理想的荧光探针母体，使得本发明适合酸液中铁基体材料的保护的同时便于探测电子电器封装表面微纳米级缺陷或酸液输送管道的泄漏微孔检测。
一种铁基缓蚀剂及其基材酸洗中的应用

[发明专利]一种缓蚀剂及其在铜金属酸洗液和化学抛光液中的应用-CN201911043823.1有效
发明人：陶志华;刘冠廷;李元勋;苏桦;彭睿;韩莉坤 -专利权人：电子科技大学;东莞成启瓷创新材料有限公司
申请日： 2019-10-30 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C23F11/16 文献下载
摘要：本发明印制电路领域，涉及印制电路工艺中的酸洗技术及化学抛光技术，具体为一种缓蚀剂及其在铜金属酸洗液和化学抛光液中的应用。本发明采用丙硫菌唑和/或5‑巯基‑1‑甲基四唑作为缓蚀剂，5‑巯基‑1‑甲基四唑作为医药中间体、对环境友好，丙硫菌唑毒性低，且两种缓蚀剂均具有水溶性好、成本低等特点。本发明缓蚀剂应用于铜金属酸洗液中，缓蚀剂的用量少，水溶性好且缓蚀效率高、可达到80‑99％，缓蚀性能稳定；本发明缓蚀剂应用于铜金属化学抛光液中，采用硫酸为主腐蚀体系，避免了抛光过程中产生的NOx、SO2等有害气体，使用本发明的化学抛光液对金属表面进行化学抛光得到的化学抛光面光亮度高、表面平整，可达到镜面抛光效果。
一种缓蚀剂及其金属酸洗化学抛光中的应用

[发明专利]一种Ba-Co-V基低介低烧微波陶瓷材料及其制备方法-CN202110622929.8有效
发明人：李元勋;杨昕;彭睿;陆永成;苏桦 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明属于电子材料技术领域，具体涉及一种Ba‑Co‑V基低介低烧微波陶瓷材料及其制备方法，其烧结温度低，且具有高Q*f值和正τf值，可应用于LTCC技术领域。本发明在具有高微波介电性能的Ba3(VO4)2陶瓷基础上，未添加降烧剂通过调整原料配比，首次采用Co2+取代Ba3(VO4)2中的Ba2+，通过不同的取代量，在900℃～950℃低温致密烧结，获得了τf为+14.5ppm/℃～+23.8ppm/℃,Q*f为25318GHz～54,063GHz的Ba‑Co‑V基低介微波介电陶瓷材料；由于未添加助烧剂B2O3，因此避免了后期LTCC领域应用对流延工艺的影响，可作为微波介质陶瓷τf调节材料有效应用于LTCC技术领域。
一种 ba co 基低介低烧微波陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种耐大电流低温烧结NiCuZn铁氧体材料及其制备方法-CN201810232940.1有效
发明人：谢柠帆;苏桦;李元勋 -专利权人：江西国创产业园发展有限公司
申请日： 2018-03-21 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：本发明属于电子陶瓷材料及其制备技术领域，具体涉及一种耐大磁场低温烧结NiCuZn铁氧体材料及其制备方法。本发明材料的分子结构表达式为Ni0.27Zn0.5Cu0.18Co0.05Fe1.95O4，在上述NiCuZn铁氧体材料配方基础上，同时采用1wt%的Bi2O3和2.5~3.5wt%的Zn2SiO4预烧料进行组合掺杂。研制材料可实现900℃的低温烧结，并兼顾起始磁导率μi在65.3~70.4之间；耐大磁场特性H70%在1140~965 A/m，且在6MHz~18MHz频率范围内品质因数都超高100，最高品质因数超高130，综合磁性能非常优良。本发明很好地兼顾了低温烧结铁氧体材料较高起始磁导率、耐大磁场特性以及高品质因数的综合要求，且其生产原料便宜，工艺简单，操作方便且成本低，可广泛应用于叠层片式功率电感、磁珠、变压器及其它磁性集成模块中。
一种电流低温烧结 nicuzn 铁氧体材料及其制备方法

[发明专利]低磁场域下高应变灵敏度的磁致伸缩材料及其制备方法-CN202110031492.0有效
发明人：李元勋;王桂娟;陆永成;彭睿;苏桦;张仕俊;徐雷 -专利权人：电子科技大学;绵阳北斗电子有限公司
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： C04B35/26 文献下载
摘要：本发明属于电子材料技术领域，具体涉及一种低磁场域下高应变灵敏度的磁致伸缩材料及其制备方法。本发明在具有高磁致伸缩系数的钴铁氧体的基础上，首次采用Mg2+和Zr4+复合取代CoFe2O4，通过取代元素的选取以及配方比例选择，实现不同占位，其中Mg2+倾向于同时占据四面体位点和八面体位点，Zr4+倾向于取代四面体位点，在两个位点的共同取代的作用下实现了钴铁氧体在低磁场域下的3.3×10‑9A‑1m～4.3×10‑9A‑1m的应变灵敏度，极大的提升了当前低磁场域下钴铁氧体的应变灵敏度，使其具有更好的应用前景，从而为磁传感器在更低磁场下工作的可能提供了基础。
磁场域下高应变灵敏度伸缩材料及其制备方法

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