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[实用新型]阶梯型沟槽碳化硅JBS两级管器件结构-CN202021320663.9有效
发明人：陈彦豪 -专利权人： 苏州凤凰芯电子科技有限公司
申请日： 2020-07-07 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种阶梯型沟槽碳化硅JBS两级管器件结构，包括第一导电类型重掺杂碳化硅衬底、第一导电类型碳化硅外延体区、第二导电类型体区、第二导电类型材料、阶梯型沟槽、肖特基金属层与欧姆金属层；在第一导电类型碳化硅外延体区的上表面开设有阶梯型沟槽，每个阶梯型沟槽至少具有三级，且在从下往上的方向上，阶梯型沟槽的宽度呈逐级增大设置，由肖特基金属层填满阶梯型沟槽并覆盖第一导电类型碳化硅外延体区的上表面，阶梯型沟槽的外部由阶梯型第二导电类型体区所包围。本实用新型提高了抗突波电流能力，具有更低的器件顺向导通电压，具有更高的器件耐压，具有更低的漏电电流。
阶梯沟槽碳化硅 jbs 两级器件结构

[实用新型]具有抗突波能力的碳化硅两级管器件-CN202021329381.5有效
发明人：陈彦豪 -专利权人： 苏州凤凰芯电子科技有限公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有抗突波能力的碳化硅两级管器件，包括第一导电类型重掺杂碳化硅衬底、第一导电类型碳化硅外延体区、阶梯型沟槽、第二导电类型体区、肖特基金属层与欧姆金属层；在第一导电类型碳化硅外延体区的上表层开设有多个阶梯型沟槽，且在从下往上的方向上，阶梯型沟槽的槽宽呈逐级增大设置；第一导电类型碳化硅外延体区的上表面以及阶梯型沟槽的内部设有肖特基金属层；第二导电类型体区呈阶梯型且包围每一级沟槽的底面以及第二级至最后一级沟槽的侧壁。本实用新型提高了抗顺向突波电流能力；本实用新型具有更低的器件顺向导通电压、更高的器件耐压、更低的漏电电流、更好的抗突波电流能力和更低的制作成本。
具有抗突波能力碳化硅两级器件

[实用新型]具有阶梯环结构的肖特基两级管-CN202021016688.X有效
发明人：陈彦豪 -专利权人： 苏州凤凰芯电子科技有限公司
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有阶梯环结构的肖特基两级管，包括第一导电类型重掺杂衬底及第一导电类型外延层，第一导电类型外延层的上表面设有肖特基金属层，在第一导电类型重掺杂衬底的下表面连接有欧姆金属层；在第一导电类型外延层的上表面且与肖特基金属层邻接的氧化层，在第一导电类型外延层内沿着肖特基金属层和氧化层的结合界面下方设有终端外环，终端外环呈阶梯型结构，且终端外环的宽度从上往下呈逐层缩小设置。本实用新型利用阶梯型终端外环结构来有效调节优化分散平面型碳化硅肖特基两级管器件的表面电场强度，可以达到提高器件耐压、降低漏电电流并且可以进一步优化器件的可靠性。
具有阶梯结构肖特基两级

[实用新型]具有阶梯形结构的JBS两级管器件结构-CN202021025068.2有效
发明人：陈彦豪 -专利权人： 苏州凤凰芯电子科技有限公司
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有阶梯形结构的JBS两级管器件结构，在第一导电类型重掺杂衬底上设第一导电类型外延层，在第一导电类型外延层上表面内设呈阶梯形结构的第二导电类型体区，第二导电类型体区的宽度从下往上呈逐层增大设置，在第一导电类型外延层与第二导电类型体区的上表面设有氧化层与肖特基金属层，在肖特基金属层和氧化层的左端结合界面下方以及右端结合界面下方均设有一个第二导电类型体区，在肖特基金属层和氧化层的左右两端结合界面之间还至少设有一个第二导电类型体区，在衬底的下表面设有欧姆金属层。本实用新型可以达到提高器件耐压能力、降低反偏电压时的漏电电流、增强抗浪涌能力，进一步优化器件的可靠性。
具有阶梯结构 jbs 两级器件

[发明专利]沟槽碳化硅JBS两级管器件结构及其制造方法-CN202010644549.X在审
发明人：陈彦豪 -专利权人： 苏州凤凰芯电子科技有限公司
申请日： 2020-07-07 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种沟槽碳化硅JBS两级管器件结构及其制造方法，包括第一导电类型重掺杂衬底与碳化硅外延体区、第二导电类型体区与材料、沟槽、肖特基金属层与欧姆金属层；第一导电类型碳化硅外延体区的上表层设有多个沟槽，在沟槽的侧面、底面以及第一导电类型碳化硅外延体区的上表层设有肖特基金属层，在对应沟槽底面位置的第一导电类型碳化硅外延体区内设有阶梯形结构的第二导电类型体区，且在从下往上的方向上，第二导电类型体区的宽度呈逐级增大设置。本发明具有更低的器件顺向导通电压、更高的器件耐压、更低的漏电电流、更好的抗浪涌能力与更好的可靠特性。
沟槽碳化硅 jbs 两级器件结构及其制造方法

[发明专利]阶梯型沟槽碳化硅JBS两级管器件结构及其制造方法-CN202010644865.7在审
发明人：陈彦豪 -专利权人： 苏州凤凰芯电子科技有限公司
申请日： 2020-07-07 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种阶梯型沟槽碳化硅JBS两级管器件结构及其制造方法，包括第一导电类型重掺杂衬底、第一导电类型碳化硅外延体区、第二导电类型体区、第二导电类型材料、阶梯型沟槽、肖特基金属与欧姆金属层；在第一导电类型碳化硅外延体区的上表面开设有阶梯型沟槽，每个阶梯型沟槽至少具有三级，且在从下往上的方向上，阶梯型沟槽的宽度呈逐级增大设置，由肖特基金属填满阶梯型沟槽并覆盖第一导电类型碳化硅外延体区的上表面，阶梯型沟槽的外部由阶梯型第二导电类型体区所包围。本发明提高了抗突波电流能力，具有更低的器件顺向导通电压，具有更高的器件耐压，具有更低的漏电电流。
阶梯沟槽碳化硅 jbs 两级器件结构及其制造方法

[发明专利]具有抗突波能力的碳化硅两级管器件及其制造方法-CN202010652169.0在审
发明人：陈彦豪 -专利权人： 苏州凤凰芯电子科技有限公司
申请日： 2020-07-08 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有抗突波能力的碳化硅两级管器件及其制造方法，包括第一导电类型重掺杂碳化硅衬底、第一导电类型碳化硅外延体区、阶梯型沟槽、第二导电类型体区、肖特基金属层与欧姆金属层；在第一导电类型碳化硅外延体区的上表层开设有多个阶梯型沟槽，且在从下往上的方向上，阶梯型沟槽的槽宽呈逐级增大设置；第一导电类型碳化硅外延体区的上表面以及阶梯型沟槽的内部设有肖特基金属层；第二导电类型体区呈阶梯型且包围每一级沟槽的底面以及第二级至最后一级沟槽的侧壁。本发明提高了抗顺向突波电流能力；本发明具有更低的器件顺向导通电压、更高的器件耐压、更低的漏电电流、更好的抗突波电流能力和更低的制作成本。
具有抗突波能力碳化硅两级器件及其制造方法

[发明专利]具有阶梯形结构的JBS两级管器件结构及其制造方法-CN202010505931.2在审
发明人：陈彦豪 -专利权人： 苏州凤凰芯电子科技有限公司
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有阶梯形结构的JBS两级管器件结构及其制造方法，在第一导电类型重掺杂衬底上设第一导电类型外延层，在第一导电类型外延层上表面内设呈阶梯形结构的第二导电类型体区，第二导电类型体区的宽度从下往上呈逐层增大设置，在第一导电类型外延层与第二导电类型体区的上表面设有氧化层与肖特基金属层，在肖特基金属层和氧化层的左端结合界面下方以及右端结合界面下方均设有一个第二导电类型体区，在肖特基金属层和氧化层的左右两端结合界面之间还至少设有一个第二导电类型体区，在衬底的下表面设有欧姆金属层。本发明可以达到提高器件耐压能力、降低反偏电压时的漏电电流、增强抗浪涌能力，进一步优化器件的可靠性。
具有阶梯结构 jbs 两级器件及其制造方法

[发明专利]具有阶梯环结构的肖特基两级管及其制造方法-CN202010505103.9在审
发明人：陈彦豪 -专利权人： 苏州凤凰芯电子科技有限公司
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有阶梯环结构的肖特基两级管及其制造方法，包括第一导电类型重掺杂衬底及第一导电类型外延层，第一导电类型外延层的上表面设有肖特基金属层，在第一导电类型重掺杂衬底的下表面连接有欧姆金属层；在第一导电类型外延层的上表面且与肖特基金属层邻接的氧化层，在第一导电类型外延层内沿着肖特基金属层和氧化层的结合界面下方设有终端外环，终端外环呈阶梯型结构，且终端外环的宽度从上往下呈逐层缩小设置。本发明利用阶梯型终端外环结构来有效调节优化分散平面型碳化硅肖特基两级管器件的表面电场强度，可以达到提高器件耐压、降低漏电电流并且可以进一步优化器件的可靠性。
具有阶梯结构肖特基两级及其制造方法

[实用新型]具有阶梯型氧化层的屏蔽栅MOS器件终端结构-CN201921907505.0有效
发明人：吴宗宪;陈彦豪 -专利权人： 苏州凤凰芯电子科技有限公司
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种具有阶梯型氧化层的屏蔽栅MOS器件终端结构，包括第一导电类型重掺杂衬底、第一导电类型外延层、元胞沟槽、栅氧化层、屏蔽栅槽、屏蔽栅、第一间隔氧化层、栅极槽、栅氧化层、栅极导电多晶硅、终端沟槽、场氧化层、下层终端场板槽、下层终端场板、第二间隔氧化层、上层终端场板槽、上层终端场板、第二导电类型体区、第一导电类型源极区、终端场氧化层条块、绝缘介质层、源极金属柱与源极金属层。本实用新型可进一步降低输入和输出电容，减少器件开关损失，可以优化终端环设计，分散终端环的电场分布；本实用新型的器件具有更低的导通电阻、具有更低的输入、输出寄生电容值、更好的终端电场分布、更小的终端环设计和更好的器件可靠性能。
具有阶梯氧化屏蔽 mos 器件终端结构

[实用新型]能改善反向恢复特性的屏蔽栅MOS结构-CN201921905915.1有效
发明人：吴宗宪;陈彦豪 -专利权人： 苏州凤凰芯电子科技有限公司
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种能改善反向恢复特性的屏蔽栅MOS结构，它包括第一导电类型重掺杂衬底、第一导电类型外延层、第二导电类型上体区、第一导电类型源极区、绝缘介质层、源极金属层、源极接触孔、源极接触金属、第二导电类型下体区、栅氧化层、栅极导电多晶硅与屏蔽栅。本实用新型通过在屏蔽栅两侧设置阶梯形氧化层和沟槽底层注入第二导电类型体区，可降低电场峰值分布，进而提高器件耐压；与传统屏蔽栅器件结构相比，本实用新型的器件具有更低的导通电阻、更低的输入和输出寄生电容值、更低的反向恢复电流峰值和恢复软度特性；本实用新型的器件可减小芯片面积，降低芯片成本。
改善反向恢复特性屏蔽 mos 结构

[实用新型]一种结合屏蔽栅的SJ MOS器件结构-CN201921907548.9有效
发明人：吴宗宪;陈彦豪 -专利权人： 苏州凤凰芯电子科技有限公司
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种结合屏蔽栅的SJ MOS器件结构，它包括元胞区和终端保护区；元胞区由若干个MOS器件单元体并联而成；MOS器件单元体包括半导体基板，半导体基板包括第一导电类型重掺杂衬底、第一导电类型外延层、氧化层沟槽、氧化层、屏蔽栅、栅极导电多晶硅、第二导电类型外延沟槽、第二导电类型外延材料、第一导电类型源极区、绝缘介质层、源极连接金属与源极金属层。本实用新型可降低电场峰值分布，进而提高器件耐压。本实用新型器件具有更低的导通电阻、具有更低的输入和输出寄生电容值且具有更好的雪崩能量特性。
一种结合屏蔽 sj mos 器件结构

[实用新型]具有屏蔽栅的SJ MOS器件终端结构-CN201921907575.6有效
发明人：吴宗宪;陈彦豪 -专利权人： 苏州凤凰芯电子科技有限公司
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本实用新型涉及具有屏蔽栅的SJ MOS器件终端结构，它包括第一导电类型重掺杂衬底、第一导电类型外延层、氧化层、屏蔽栅、栅极导电多晶硅、第二导电类型外延体、第一导电类型源极区、源极接触金属、绝缘介质层、源极金属层、场氧层、下层终端场板和上层终端场板与场氧条块。本实用新型的器件通过在终端区的场氧层内形成上层终端场板和下层终端场板的结构，可以优化终端环设计，分散终端环的电场分布；在器件元胞区的氧化层内采用上层栅极导电多晶硅、下层屏蔽栅的结构，可降低输入电容，减少器件开关损失；在器件元胞区的第一导电类型外延层内采用阶梯型的第二导电类型外延体，并且和第一导电类型外延层形成SJ MOS的效应。
具有屏蔽 sj mos 器件终端结构

[发明专利]具有屏蔽栅的SJ MOS器件终端结构及其制作方法-CN201911078650.7在审
发明人：吴宗宪;陈彦豪 -专利权人： 苏州凤凰芯电子科技有限公司
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明涉及具有屏蔽栅的SJ MOS器件终端结构及其制作方法，它包括第一导电类型重掺杂衬底、第一导电类型外延层、氧化层、屏蔽栅、栅极导电多晶硅、第二导电类型外延体、第一导电类型源极区、源极接触金属、绝缘介质层、源极金属层、场氧层、下层终端场板和上层终端场板与场氧条块。本发明的器件通过在终端区的场氧层内形成上层终端场板和下层终端场板的结构，可以优化终端环设计，分散终端环的电场分布；在器件元胞区的氧化层内采用上层栅极导电多晶硅、下层屏蔽栅的结构，可降低输入电容，减少器件开关损失；在器件元胞区的第一导电类型外延层内采用阶梯型的第二导电类型外延体，并且和第一导电类型外延层形成SJ MOS的效应。
第一导电类型场板终端屏蔽栅外延层下层栅极导电多晶硅导电类型器件元胞上层场氧层外延体氧化层绝缘介质层源极金属层电场分布分散终端器件开关输入电容源极接触终端结构阶梯型源极区终端区重掺杂场氧衬底条块金属制作优化

[发明专利]能改善反向恢复特性的屏蔽栅MOS结构及其制作方法-CN201911078682.7在审
发明人：吴宗宪;陈彦豪 -专利权人： 苏州凤凰芯电子科技有限公司
申请日： 2019-11-07 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种能改善反向恢复特性的屏蔽栅MOS结构及其制作方法，它包括第一导电类型重掺杂衬底、第一导电类型外延层、第二导电类型上体区、第一导电类型源极区、绝缘介质层、源极金属层、源极接触孔、源极接触金属、第二导电类型下体区、栅氧化层、栅极导电多晶硅与屏蔽栅。本发明通过在屏蔽栅两侧设置阶梯形氧化层和沟槽底层注入第二导电类型体区，可降低电场峰值分布，进而提高器件耐压；与传统屏蔽栅器件结构相比，本发明的器件具有更低的导通电阻、更低的输入和输出寄生电容值、更低的反向恢复电流峰值和恢复软度特性；本发明的器件可减小芯片面积，降低芯片成本。
第一导电类型导电类型屏蔽栅栅极导电多晶硅反向恢复电流反向恢复特性绝缘介质层源极接触孔源极金属层电场传统屏蔽导通电阻沟槽底层恢复软度寄生电容两侧设置器件结构芯片成本源极接触栅氧化层外延层下体区氧化层源极区重掺杂上体衬底减小耐压体区芯片金属输出制作

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