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[发明专利]金属有机物化学气相沉积反应器-CN201911411224.0有效
发明人：王文;胡建正;郭泉泳;郭世平 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司;南昌中微半导体设备有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：一种金属有机物化学气相沉积反应器，包括：反应腔，顶部包括气体喷淋头，气体喷淋头包括第一输入端口、第二输入端口和第三输入端口；前驱物输送管道组，与多种前驱物源连接；前驱物汇合输入管道，与前驱物输送管道组连通，用于汇合多种前驱物，连通第一输入端口；镁前驱物输入管道，与镁前驱物源连接，且连通第二输入端口；氮前驱物输送管道，与氮前驱物源连接，且连通气体喷淋头的第三输入端口。利用所述金属有机物化学气相沉积反应器能够降低反应器的复杂度，且提高发光二极管的发光强度。
金属有机物化学沉积反应器

[发明专利]制作基片承载盘的方法、基片承载盘及其制作系统-CN202110696917.X在审
发明人：郭世平;胡建正;陈耀;闫龙;姜勇;王家毅 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-06-23 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明公开了一种制作基片承载盘的方法、基片承载盘及其制作系统，所述方法包括：提供一基片承载盘，基片承载盘上设有若干个基片槽，每个基片槽具有一基片槽底面，在每一基片槽内放置一基片，基片槽底面到基片的距离相同；将基片承载盘置于一化学沉积装置中外延生长；对完成外延生长的基片的外延材料特性进行测量，并根据基片不同区域的外延材料特性得到基片在外延生长时不同区域的温度分布图；根据基片的温度分布图制作一基片槽底面高度不同的基片承载盘，温度分布图上基片温度较高的区域到其下方对应区域的基片槽底面距离大于温度较低的区域到其下方对应区域的基片槽底面距离。本发明解决了基片在生长期间其外延层的波长不均匀性的问题。
制作承载方法及其系统

[实用新型]一种半导体外延的衬底及化学气相沉积装置-CN202220967013.6有效
发明人：闫龙;胡建正;陈耀;王文;郭世平 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体外延的衬底及化学气相沉积装置。所述衬底包括中心区域和边缘区域，所述边缘区域包括一靠近所述中心区域的一侧设置过渡区域，所述过渡区域环绕设置在所述中心区域的边缘，所述过渡区域为一弧面或一斜面。本实用新型提供的衬底，其边缘区域外延得到的是晶体质量差、晶向杂乱的多晶结构的薄膜，而无法形成单晶结构的薄膜。该多晶结构的薄膜内部能够吸收应力，使裂纹集中在边缘区域，而不会向中心区域延伸，从而提高外延片的成品良率和使用面积。
一种半导体外延衬底化学沉积装置

[发明专利]托盘及其金属有机化学气相沉积反应器-CN202011046724.1在审
发明人：陶珩;郭泉泳;王家毅;胡建正 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：一种托盘以及金属有机化学气相沉积反应器，其中，所述托盘，可沿其中心轴转动，具有第一托盘面和设于所述第一托盘面外围的第二托盘面，所述第二托盘面高于第一托盘面，所述第一托盘面内设有一凹陷于所述第一托盘面的基片槽，每个所述基片槽内设置若干个支撑台，所述支撑台用于支撑所处理基片金属有机化学气相沉积反应器能防止飞片提高波长和温度的一致性，能满足显示器的要求。
托盘及其金属有机化学沉积反应器

[实用新型]一种晶圆托盘及化学气相沉积设备-CN202120656072.7有效
发明人：郭世平;胡建正;陈耀;姜勇;王家毅 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶圆托盘及化学气相沉积设备，包括位于托盘上的盘坑，盘坑中设置有支撑台阶和凸台，其中凸台的高度大于等于托盘的高度且向盘坑中心延伸，通过在盘坑侧壁设置与晶圆缺口处对应的凸台，使晶圆定位缺口处距离盘坑侧壁的距离得到减小，凸台可以起到盘坑侧壁延伸的作用，以形成适用于晶圆边缘轮廓的不规则盘坑，达到调节晶圆边缘温度分布的目的，有利于晶圆边缘和整体温度的均一性，提高晶圆化学沉积的膜厚一致性。
一种托盘化学沉积设备

[实用新型]托盘及其金属有机化学气相沉积反应器-CN202022179579.6有效
发明人：陶珩;郭泉泳;王家毅;胡建正 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：一种托盘以及金属有机化学气相沉积反应器，其中，所述托盘，可沿其中心轴转动，具有第一托盘面和设于所述第一托盘面外围的第二托盘面，所述第二托盘面高于第一托盘面，所述第一托盘面内设有一凹陷于所述第一托盘面的基片槽，每个所述基片槽内设置若干个支撑台，所述支撑台用于支撑所处理基片金属有机化学气相沉积反应器能防止飞片提高波长和温度的一致性，能满足显示器的要求。
托盘及其金属有机化学沉积反应器

[发明专利]一种用于MOCVD的基片以及在基片上生长缓冲层的方法-CN201910217948.5在审
发明人：李洪伟;胡建正;王文;郭世平 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种用于MOCVD的基片，其特征在于，基片上表面包括中心区域和边缘区域，所述边缘区域环绕所述中心区域，其中中心区域由单晶结构的氧化铝构成，且表面光滑，边缘区域表面粗糙，使得所述基片被送入MOCVD反应腔时，在中心区域生长出单晶结构的缓冲层，边缘区域生长多晶结构的缓冲层。在缓冲层生长过程中，边缘区域多晶结构的缓冲层中出现的裂缝不会沿着晶格结构延伸到中区域单晶结构的缓冲层中，大幅提高的半导体器件生产效率。
一种用于 mocvd 以及基片上生长缓冲方法

[实用新型]托盘及其金属有机化学气相沉积反应器-CN202020138314.9有效
发明人： 胡建正;陈耀;姜勇;郭世平 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司;南昌中微半导体设备有限公司
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：一种托盘以及金属有机化学气相沉积反应器，托盘包括：托盘，可沿其中心轴转动，具有托盘面，设有若干个凹陷于托盘面的基片槽，每个基片槽内设置若干个支撑台，支撑台用于支撑待处理基片，支撑台的上表面与托盘面之间的高度差使得当待处理基片置于所述支撑台，待处理基片的上表面到支撑台对应的上表面有第一距离，托盘面到支撑台对应的上表面具有第二距离，第一距离减去第二距离的差值为：‑80微米～80微米。包含托盘的金属有机化学气相沉积反应器不仅能够防止待处理基片飞出，还能提高待处理基片表面气流和温度的一致性，从而提高待处理基片表面的外延层波长的均匀性，特别是能满足显示器的性能要求。
托盘及其金属有机化学沉积反应器

[实用新型]半导体结构及器件-CN201921488966.9有效
发明人：郝茂盛;胡建正;袁根如;马艳红;张楠;陈朋 -专利权人：上海芯元基半导体科技有限公司;中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种半导体结构及器件，半导体结构包括：衬底、成核层、多个间隔排布的沟道及外延层；成核层形成于衬底上并覆盖衬底的上表面，为含Al氮化物层，晶向为(0001)晶向；沟道贯穿成核层且底部位于衬底中，将成核层划分为多个间隔排布的成核层平台；外延层为含Al氮化物层，形成于成核层平台上并覆盖成核层平台的上表面及沟道的开口。本实用新型通过沟道及成核层的结构，减少外延层在沟道上成核的几率，且进一步的通过成核层及外延层的材质的选择，增加外延层在成核层平台上成核的几率，以进一步的增大外延层在成核层平台及沟道上成核的几率差，制备具有良好的平整性及完整性的外延层。
半导体结构器件

[发明专利]半导体结构、器件及其制备方法-CN201910843531.X在审
发明人：郝茂盛;胡建正;袁根如;马艳红;张楠;陈朋 -专利权人：上海芯元基半导体科技有限公司;中微半导体设备(上海)股份有限公司
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构、器件及其制备方法，半导体结构包括：衬底、成核层、多个间隔排布的沟道及外延层；成核层形成于衬底上并覆盖衬底的上表面，为含Al氮化物层，晶向为(0001)晶向；沟道贯穿成核层且底部位于衬底中，将成核层划分为多个间隔排布的成核层平台；外延层为含Al氮化物层，形成于成核层平台上并覆盖成核层平台的上表面及沟道的开口。本发明通过沟道及成核层的结构，减少外延层在沟道上成核的几率，且进一步的通过成核层及外延层的材质的选择，增加外延层在成核层平台上成核的几率，以进一步的增大外延层在成核层平台及沟道上成核的几率差，制备具有良好的平整性及完整性的外延层。
成核层外延层沟道衬底半导体结构氮化物层间隔排布上表面晶向制备平整性覆盖开口贯穿

[外观设计]基片托盘-CN201830461274.X有效
发明人：郭世平;姜勇;陈耀;胡建正 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2018-08-20 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： 15-09 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：基片托盘。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于承载待加工基片，并与旋转轴配合驱动托盘上的基片旋转。3．本外观设计的设计要点：产品的形状。4．最能表明设计要点的图片或者照片：俯视图。
外观设计基片托盘托盘俯视图旋转轴承载驱动加工配合图片

[发明专利]具有石墨烯电极的GaN基半导体器件及其制备方法-CN201410120531.4有效
发明人：杨连乔;冯伟;胡建正;张建华 -专利权人：上海大学
申请日： 2014-03-28 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有石墨烯电极的GaN基半导体器件，由衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层、P型半导体层、石墨烯薄膜层和金属电极结合形成，P型半导体层为含GaN的复合材料层，石墨烯薄膜层设有贯穿的孔道，使金属电极穿过石墨烯薄膜层与P型半导体层固定连接，形成石墨烯薄膜层的焊盘，使石墨烯薄膜层固定结合在P型半导体层上，形成复合电极。本发明采用MO源作为催化剂与碳源的前驱体，在现有GaN外延工艺及设备的情况下实现了低温石墨烯电极的自生长，并可通过对金属图形的控制，进一步改善电流分布，提高了器件的出光与散热性能。
具有石墨电极 gan 半导体器件及其制备方法

[实用新型]一种垂直喷淋式MOCVD反应器的出口系统-CN201220254460.3有效
发明人：杨连乔;张建华;胡建正;李刚 -专利权人：上海大学
申请日： 2012-06-01 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种垂直喷淋式MOCVD反应器出口系统。该反应器进口采用垂直喷淋式来保证进气的均匀性，出口系统由石墨大盘上晶片间隙处有规则排列的许多小出口组成，反应尾气经由小出口到达石墨盘下方后经由石墨盘下表面到达反应器的周向或中心处的总出口。此反应器出口系统在充分利用垂直喷淋式反应器入口均匀性的基础上，实现了喷淋头中心处和边缘处喷入的反应气体尾气流经距离的一致性，从而在无旋转装置的情况下保证了基片沿径向的沉积均匀性。另外，反应尾气流经石墨盘的下表面，一方面减少了热涡旋效应对反应气流的负面影响，另一方面其对石墨盘的加热也提高了热利用效率。
一种垂直喷淋 mocvd 反应器出口系统

[发明专利]采用纳米压印技术的Ⅲ族氮化物半导体发光装置-CN200910194801.5无效
发明人： 胡建正;武乐可;李忠武;郭茂峰 -专利权人：上海蓝宝光电材料有限公司
申请日： 2009-08-28 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用纳米压印技术的III族氮化物半导体发光装置。本发明通过采用纳米压印技术制作的绝缘膜图形阵列进行氮化物的选择外延生长，获得了具有较高的外部量子效率、内量子效率以及可靠性的III族氮化物半导体发光装置比如GaN系LED或LD。
采用纳米压印技术氮化物半导体发光装置

[发明专利]具有低温中间层的氮化镓系发光二极管-CN200910194802.X无效
发明人：李刚;胡建正;祝光辉 -专利权人：上海蓝宝光电材料有限公司
申请日： 2009-08-28 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有低温中间层的氮化镓系发光二极管。其结构与现有的氮化镓系发光二极管的最主要差异是，在InGaN/GaN多量子阱活性层与p型GaN接触层之间生长低温中间层，该低温中间层由低温p型氮化镓层和低温p型铟镓氮/铟铝镓氮超晶格组成。结果表明，通过设置该低温中间层，氮化镓系发光二极管的发光强度和发光效率得到较大的提高。
具有低温中间层氮化发光二极管

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